硅光芯片耦合測試系統(tǒng)主要工作可以分為四個部分：1、利用開發(fā)出的耦合封裝工藝,對硅光芯片調(diào)制器進(jìn)行耦合封裝并進(jìn)行性能測試。分析并聯(lián)MZI型硅光芯片調(diào)制器的調(diào)制特性,針對調(diào)制過程,建立數(shù)學(xué)模型,從數(shù)學(xué)的角度出發(fā),總結(jié)出調(diào)制器的直流偏置電壓的快速測試方法。并通過調(diào)制器眼圖分析調(diào)制器中存在的問題,為后續(xù)研發(fā)提供改進(jìn)方向。2、針對倒錐型耦合結(jié)構(gòu),分析在耦合過程中,耦合結(jié)構(gòu)的尺寸對插入損耗,耦合容差的影響,優(yōu)化耦合結(jié)構(gòu)并開發(fā)出行之有效的耦合工藝。3、從波導(dǎo)理論出發(fā),分析了條形波導(dǎo)以及脊型波導(dǎo)的波導(dǎo)模式特性,分析了硅光芯片的良好束光特性。4、理論分析了硅光芯片調(diào)制器的載流子色散效應(yīng),分析了調(diào)制器的基本結(jié)構(gòu)MZI干涉結(jié)構(gòu),并從光學(xué)結(jié)構(gòu)和電學(xué)結(jié)構(gòu)兩方面對光調(diào)制器進(jìn)行理論分析與介紹。因?yàn)楣韫庑酒怨枳鳛榧尚酒囊r底，所有能集成更多的光器件。山西硅光芯片耦合測試系統(tǒng)

在硅光芯片領(lǐng)域，芯片耦合封裝問題是硅光子芯片實(shí)用化過程中的關(guān)鍵問題，芯片性能的測試也是至關(guān)重要的一步驟，現(xiàn)有的硅硅光芯片耦合測試系統(tǒng)系統(tǒng)是將硅光芯片的輸入輸出端硅光纖置于顯微鏡下靠人工手工移動微調(diào)架轉(zhuǎn)軸進(jìn)行調(diào)硅光，并依靠對輸出硅光的硅光功率進(jìn)行監(jiān)控，再反饋到微調(diào)架端進(jìn)行調(diào)試。芯片測試則是將測試設(shè)備按照一定的方式串聯(lián)連接在一起，形成一個測試站。具體的，所有的測試設(shè)備通過硅光纖，設(shè)備連接線等連接成一個測試站。例如將VOA硅光芯片的發(fā)射端通過硅光纖連接到硅光功率計(jì)，使用硅硅光芯片耦合測試系統(tǒng)就可以測試硅光芯片的發(fā)端硅光功率。將硅光芯片的發(fā)射端通過硅光線連接到硅光譜儀，就可以測試硅光芯片的硅光譜等。安徽振動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)哪里有硅光芯片耦合測試系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn)：測試精度高。

基于設(shè)計(jì)版圖對硅光芯片進(jìn)行光耦合測試的方法及系統(tǒng),該方法包括:讀取并解析設(shè)計(jì)版圖,得到用于構(gòu)建芯片圖形的坐標(biāo)簇?cái)?shù)據(jù),驅(qū)動左側(cè)光纖對準(zhǔn)第1測試點(diǎn),獲取與第1測試點(diǎn)相對應(yīng)的測試點(diǎn)圖形的第1選中信息,驅(qū)動右側(cè)光纖對準(zhǔn)第二測試點(diǎn),獲取與第二測試點(diǎn)相對應(yīng)的測試點(diǎn)圖形的第二選中信息,獲取與目標(biāo)測試點(diǎn)相對應(yīng)的測試點(diǎn)圖形的第三選中信息,通過測試點(diǎn)圖形與測試點(diǎn)的對應(yīng)關(guān)系確定目標(biāo)測試點(diǎn)的坐標(biāo),以驅(qū)動左或右側(cè)光纖到達(dá)目標(biāo)測試點(diǎn),進(jìn)行光耦合測試;該系統(tǒng)包括上位機(jī),電機(jī)控制器,電機(jī),夾持載臺及相機(jī)等;本發(fā)明具有操作簡單,耗時短,對用戶依賴程度低等優(yōu)點(diǎn),能夠極大提高硅光芯片光耦合測試的便利性。

針對不同的硅光芯片結(jié)構(gòu),我們提出并且實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了兩款新型耦合器以提高硅光芯片的耦合效率。一款基于非均勻光柵的垂直耦合器,在實(shí)驗(yàn)中,我們得到了超過60%的光纖-波導(dǎo)耦合效率。此外,我們還開發(fā)了一款用以實(shí)現(xiàn)硅條形波導(dǎo)和狹縫波導(dǎo)之間高效耦合的新型耦合器應(yīng)用的系統(tǒng)主要是硅光芯片耦合測試系統(tǒng),理論設(shè)計(jì)和實(shí)驗(yàn)結(jié)果都證明該耦合器可以實(shí)現(xiàn)兩種波導(dǎo)之間的無損光耦合。為了消除硅基無源器件明顯的偏振相關(guān)性,我們首先利用一種特殊的三明治結(jié)構(gòu)波導(dǎo),通過優(yōu)化多層結(jié)構(gòu),成功消除了一個超小型微環(huán)諧振器中心波長的偏振相關(guān)性。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn)：易于大規(guī)模測試。

硅光芯片耦合測試系統(tǒng)使用到一些有視覺輔助地初始光耦合的步驟是屬于耦合工藝的一部分。在此工藝過程中，輸入及輸出光纖陣列和波導(dǎo)輸入及輸出端面的距離大約是100~200微米，以便通過使用機(jī)器視覺精密地校準(zhǔn)預(yù)粘接間隙的測量，為后面必要的旋轉(zhuǎn)耦合留出安全的空間。旋轉(zhuǎn)耦合技術(shù)的原理。大體上來講，旋轉(zhuǎn)耦合是通過使用線性偏移測量及旋轉(zhuǎn)移動相結(jié)合的方法，將輸出光纖陣列和波導(dǎo)的的第1個及結(jié)尾一個通道進(jìn)行耦合，并作出必要的更正調(diào)整。輸出光纖陣列的第1個及結(jié)尾一個通道和兩個光探測器相聯(lián)接。端面耦合器需要解決的問題是模斑尺寸的匹配,而光柵耦合器由于需要特定角度入射光,主要需要解決光路偏折。安徽光子晶體硅光芯片耦合測試系統(tǒng)服務(wù)

IC測試架可以測試多種集成電路。山西硅光芯片耦合測試系統(tǒng)

硅光芯片耦合測試系統(tǒng)系統(tǒng)，該設(shè)備主要由極低/變溫控制子系統(tǒng)、背景強(qiáng)磁場子系統(tǒng)、強(qiáng)電流加載控制子系統(tǒng)、機(jī)械力學(xué)加載控制子系統(tǒng)、非接觸多場環(huán)境下的宏/微觀變形測量子系統(tǒng)五個子系統(tǒng)組成。其中極低/變溫控制子系統(tǒng)采用GM制冷機(jī)進(jìn)行低溫冷卻，實(shí)現(xiàn)無液氦制冷，并通過傳導(dǎo)冷方式對杜瓦內(nèi)的試樣機(jī)磁體進(jìn)行降溫。產(chǎn)品優(yōu)勢：1、可視化杜瓦，可實(shí)現(xiàn)室溫~4.2K變溫環(huán)境下光學(xué)測試根據(jù)測試。2、背景強(qiáng)磁場子系統(tǒng)能夠提供高達(dá)3T的背景強(qiáng)磁場。3、強(qiáng)電流加載控制子系統(tǒng)采用大功率超導(dǎo)電源對測試樣品進(jìn)行電流加載，較大可實(shí)現(xiàn)1000A的測試電流。4、該測量系統(tǒng)不與極低溫試樣及超導(dǎo)磁體接觸，不受強(qiáng)磁場、大電流及極低溫的影響和干擾，能夠高精度的測量待測試樣的三維或二維的全場測量。山西硅光芯片耦合測試系統(tǒng)