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云南光子晶體硅光芯片耦合測試系統(tǒng)價(jià)格

來源: 發(fā)布時間:2024-01-01

硅光芯片耦合測試系統(tǒng)的面向硅光芯片的光模塊封裝結(jié)構(gòu)及方法,封裝結(jié)構(gòu)包括硅光芯片,電路板和光纖陣列,硅光芯片放置在基板上,基板和電路板通過連接件相連,并且在連接件的作用下實(shí)現(xiàn)硅光芯片與電路板的電氣連通;光纖陣列的端面與硅光芯片的光端面耦合形成輸入輸出光路;基板所在平面與電路板所在平面之間存在一個夾角,使得光纖陣列的尾纖出纖方向與光模塊的輸入和/或輸出通道的光軸的夾角為銳角。本發(fā)明避免光纖陣列尾纖彎曲半徑過小的問題,提高了封裝的可靠性。集成電路的晶圓級可靠性測試中,使用非常普遍的測試類別主要是熱載流注入測試、電遷移測試等等。云南光子晶體硅光芯片耦合測試系統(tǒng)價(jià)格

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伴隨著光纖通信技術(shù)的快速發(fā)展,小到芯片間,大到數(shù)據(jù)中心間的大規(guī)模數(shù)據(jù)交換處理,都迫切需求高速,可靠,低成本,低功耗的互聯(lián)。當(dāng)前,我們把主流的光互聯(lián)技術(shù)分為兩類。一類是基于III-V族半導(dǎo)體材料,另一類是基于硅等與現(xiàn)有的成熟的微電子CMOS工藝兼容的材料。基于III-V族半導(dǎo)體材料的光互聯(lián)技術(shù),在光學(xué)性能方面較好,但是其成本高,工藝復(fù)雜,加工困難,集成度不高的缺點(diǎn)限制了未來大規(guī)模光電子集成的發(fā)展。硅光芯片器件可將光子功能和智能電子結(jié)合在一起以及提供潛力巨大的高速光互聯(lián)的解決方案。貴州分路器硅光芯片耦合測試系統(tǒng)供應(yīng)商硅基光電集成取得了一系列令人振奮的成果,如硅基光波導(dǎo)、光開關(guān)、調(diào)制器以及探測器均已實(shí)現(xiàn)。

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硅光芯片耦合測試系統(tǒng)組件裝夾完成后,通過校正X,Y和Z方向的偏差來進(jìn)行的初始光功率耦合,圖像處理軟件能自動測量出各項(xiàng)偏差,然后軟件驅(qū)動運(yùn)動控制系統(tǒng)和運(yùn)動平臺來補(bǔ)償偏差,以及給出提示,繼續(xù)手動調(diào)整角度滑臺。當(dāng)三個器件完成初始定位,同時確認(rèn)其在Z軸方向的相對位置關(guān)系后,這時需要確認(rèn)輸入光纖陣列和波導(dǎo)器件之間光的耦合對準(zhǔn)。點(diǎn)擊找初始光軟件會將物鏡聚焦到波導(dǎo)器件的輸出端面。通過物鏡及初始光CCD照相機(jī),可以將波導(dǎo)輸出端各通道的近場圖像投射出來,進(jìn)行適當(dāng)耦合后,圖像會被投射到顯示器上。

為了消除硅基無源器件明顯的偏振相關(guān)性,我們首先利用一種特殊的三明治結(jié)構(gòu)波導(dǎo),通過優(yōu)化多層結(jié)構(gòu),成功消除了一個超小型微環(huán)諧振器中心波長的偏振相關(guān)性。針對不同的硅光芯片結(jié)構(gòu),我們提出并且實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了兩款新型耦合器以提高硅光芯片的耦合效率。一款基于非均勻光柵的垂直耦合器,在實(shí)驗(yàn)中,我們得到了超過60%的光纖-波導(dǎo)耦合效率。此外,我們還開發(fā)了一款用以實(shí)現(xiàn)硅條形波導(dǎo)和狹縫波導(dǎo)之間高效耦合的新型耦合器應(yīng)用的系統(tǒng)主要是硅光芯片耦合測試系統(tǒng),理論設(shè)計(jì)和實(shí)驗(yàn)結(jié)果都證明該耦合器可以實(shí)現(xiàn)兩種波導(dǎo)之間的無損光耦合測試。聚合物將其壓在FA上,使得FA進(jìn)入V槽中。每個光纖的位置可以進(jìn)行調(diào)整,光纖完全落入槽中,達(dá)到比較好的耦合效率。

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基于設(shè)計(jì)版圖對硅光芯片進(jìn)行光耦合測試的方法及系統(tǒng)進(jìn)行介紹,該方法包括:讀取并解析設(shè)計(jì)版圖,得到用于構(gòu)建芯片圖形的坐標(biāo)簇?cái)?shù)據(jù),驅(qū)動左側(cè)光纖對準(zhǔn)第1測試點(diǎn),獲取與第1測試點(diǎn)相對應(yīng)的測試點(diǎn)圖形的第1選中信息,驅(qū)動右側(cè)光纖對準(zhǔn)第二測試點(diǎn),獲取與第二測試點(diǎn)相對應(yīng)的測試點(diǎn)圖形的第二選中信息,獲取與目標(biāo)測試點(diǎn)相對應(yīng)的測試點(diǎn)圖形的第三選中信息,通過測試點(diǎn)圖形與測試點(diǎn)的對應(yīng)關(guān)系確定目標(biāo)測試點(diǎn)的坐標(biāo),以驅(qū)動左或右側(cè)光纖到達(dá)目標(biāo)測試點(diǎn),進(jìn)行光耦合測試;該系統(tǒng)包括上位機(jī),電機(jī)控制器,電機(jī),夾持載臺及相機(jī)等;本發(fā)明具有操作簡單,耗時短,對用戶依賴程度低等優(yōu)點(diǎn),能夠極大提高硅光芯片光耦合測試的便利性。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn):給企業(yè)帶來方便性。湖南自動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)多少錢

端面耦合器需要解決的問題是模斑尺寸的匹配,而光柵耦合器由于需要特定角度入射光,主要需要解決光路偏折。云南光子晶體硅光芯片耦合測試系統(tǒng)價(jià)格

我們分析了一種可以有效消除偏振相關(guān)性的偏振分級方案,并提出了兩種新型結(jié)構(gòu)以實(shí)現(xiàn)該方案中的兩種關(guān)鍵元件。通過理論分析以及實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,一個基于一維光柵的偏振分束器被證明能夠?qū)崿F(xiàn)兩種偏振光的有效分離。該分束器同時還能作為光纖與硅光芯片之間的高效耦合器。實(shí)驗(yàn)中我們獲得了超過50%的耦合效率以及低于-20dB的偏振串?dāng)_。我們還對一個基于硅條形波導(dǎo)的超小型偏振旋轉(zhuǎn)器進(jìn)行了理論分析,該器件能夠?qū)崿F(xiàn)100%的偏轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)化效率,并擁有較大的制造容差。在這里,我們還對利用側(cè)向外延生長硅光芯片耦合測試系統(tǒng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)Ⅲ-Ⅴ材料與硅材料混集成的可行性進(jìn)行了初步分析,并優(yōu)化了諸如氫化物氣相外延,化學(xué)物理拋光等關(guān)鍵工藝。在該方案中,二氧化硅掩膜被用來阻止InP種子層中的線位錯在外延生長中的傳播。初步實(shí)驗(yàn)結(jié)果和理論分析證明該集成平臺對于實(shí)現(xiàn)InP和硅材料的混合集成具有比較大的吸引力。云南光子晶體硅光芯片耦合測試系統(tǒng)價(jià)格