探針臺如何工作：探針臺可以固定晶圓或芯片，并精確定位待測物。手動探針臺的使用者將探針臂和探針安裝到操縱器中，并使用顯微鏡將探針尖銳端放置到待測物上的正確位置。一旦所有探針尖銳端都被設置在正確的位置，就可以對待測物進行測試。對于帶有多個芯片的晶圓，使用者可以抬起壓盤，壓盤將探針頭與芯片分開，然后將工作臺移到下一個芯片上，使用顯微鏡找到精確的位置，壓板降低后下一個芯片可以進行測試。半自動和全自動探針臺系統(tǒng)使用機械化工作臺和機器視覺來自動化這個移動過程，提高了探針臺生產(chǎn)率。探針卡使用一段時間后，由于探針加工及使用過程中的微小差異導致所有探針不能在同一平面上會造成。北京射頻探針臺生產(chǎn)

X系列探針臺：1、基板采用鑄件為基準進行設計，使運動的穩(wěn)定性得到提升，底板的重量同樣在隔震性能上得到提高。2、運動系統(tǒng)采用的是日系高剛性、高精密的導軌和絲桿；反饋檢測系統(tǒng)采用的是0.1μm分辨率光柵尺配合進口運動控制卡與電機形成整個閉環(huán)的反饋檢測，以保證實現(xiàn)高精度高溫度性的運動系統(tǒng)。3、整個四維運動設計成低重心的緊湊結(jié)構(gòu)，保證其速率能到達70mm/s，并能提高運動過程中的加速。4、關鍵零件用導電的表面處理，保證每個位置能進行接地保護。黑龍江芯片探針臺多少錢系統(tǒng)在測試每個芯片的時候?qū)π酒暮脡呐c否進行判斷，發(fā)出合格與不合格的信號。

晶圓是制作硅半導體積體電路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種，然后慢慢拉出，形成圓柱形的單晶硅。硅晶棒在經(jīng)過研磨，拋光，切片后，形成硅晶圓片，也就是晶圓。半導體工業(yè)對于晶圓表面缺陷檢測的要求，一般是要求高效準確，能夠捕捉有效缺陷，實現(xiàn)實時檢測。較為普遍的表面檢測技術主要可以分為兩大類：針接觸法和非接觸法，接觸法以針觸法為象征；非接觸法又可以分為原子力法和光學法。在具體使用時，又可以分為成像的和非成像的。

探針臺是半導體（包括集成電路、分立器件、光電器件、傳感器）行業(yè)重要的檢測裝備之一，其普遍應用于復雜、高速器件的精密電氣測量，旨在確保質(zhì)量及可靠性，并縮減研發(fā)時間和器件制造工藝的成本。探針臺用于晶圓加工之后、封裝工藝之前的CP測試環(huán)節(jié)，負責晶圓的輸送與定位，使晶圓上的晶粒依次與探針接觸并逐個測試。在半導體器件與集成電路制造工藝中，從單晶硅棒的制取到終器件制造的完成需經(jīng)過復雜的工序，可分為前道工序與后道工序，探針臺是檢測半導體芯片的電參數(shù)、光參數(shù)的關鍵設備。經(jīng)過檢測，探針臺將參數(shù)特性不符合要求的芯片記錄下來，在進入后序工序前予以剔除，降低器件的制造成本。上海勤確科技有限公司有數(shù)據(jù)表明探針測試臺的故障中有半數(shù)以上是工作臺的故障。

初TI退休工程師杰克·基比(JackSt.ClairKilby)發(fā)明顆單石集成電路，為現(xiàn)代半導體領域奠定基礎時，晶圓直徑不過1.25英寸～2英寸之間，生產(chǎn)過程多以人工方式進行。隨著6英寸、8英寸晶圓的誕生，Align/Load的校準工作和一些進階檢測也開始自動化；直到12英寸晶圓成形，可謂正式邁入“單鍵探測”(OneButtonProbing)的全部自動化時代，就連傳輸也開始借助機器輔助；但此時的測試大都是轉(zhuǎn)包給專業(yè)的廠商做，且大部分是著重在如何縮短工藝開發(fā)循環(huán)的參數(shù)測試上。探針臺故障有許多是對其維護保養(yǎng)不當或盲目調(diào)整造成的。河北溫控探針臺公司

自動探針測試臺和以采用精密滾珠絲杠副和直線導軌結(jié)構(gòu)的x-y工作臺型自動探針測試臺。北京射頻探針臺生產(chǎn)

磁場探針臺主要用于半導體材料、微納米器件、磁性材料、自旋電子器件及相關技術領域的電、磁學特性測試，能夠提供磁場或變溫環(huán)境，并進行高精度的直流/射頻測量。我們生產(chǎn)各類磁場探針臺，穩(wěn)定性強、功能多樣、可升級擴展，適用于各大高校、研究所及半導體行業(yè)的實驗研究和生產(chǎn)。詳細參數(shù)：二維磁場探針臺，包含兩組磁鐵，可同時提供垂直與面內(nèi)磁場；面內(nèi)磁鐵極頭間距可根據(jù)樣品尺寸調(diào)整以獲得大的磁場，兼容性強；大兼容7組探針（4組RF，3組DC同時測試使用）；Y軸提供大行程位移裝置，在不移動探針情況下快速抽拉更換樣品；配備樣品臺傾斜微調(diào)旋鈕，確保樣品平面平行于面內(nèi)磁場方向；至多支持7組探針同時放置：直流探針（3組）+微波探針（4組）；XY軸位移行程±12.5mm，T軸旋轉(zhuǎn)±5°；面內(nèi)磁場單獨施加時，磁場垂直分量優(yōu)于0.025%。北京射頻探針臺生產(chǎn)