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硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)是比較關(guān)鍵的,我們的客戶非常關(guān)注此工位測(cè)試的嚴(yán)謹(jǐn)性,硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)主要控制“信號(hào)弱”,“易掉話”,“找網(wǎng)慢或不找網(wǎng)”,“不能接聽”等不良機(jī)流向市場(chǎng)。一般模擬用戶環(huán)境對(duì)設(shè)備EMC干擾的方法與實(shí)際使用環(huán)境存在較大差異,所以“信號(hào)類”返修量一直占有較大的比例??梢姡韫庑酒詈蠝y(cè)試系統(tǒng)是一個(gè)需要嚴(yán)謹(jǐn)?shù)年P(guān)鍵崗位,在利用金機(jī)調(diào)好衰減(即線損)之后,功率無法通過的,必須進(jìn)行維修,而不能隨意的更改線損使其通過測(cè)試,因?yàn)楸容^可能此類機(jī)型在開機(jī)界面顯示滿格信號(hào)而在使用過程中出現(xiàn)“掉話”的現(xiàn)象,給設(shè)備質(zhì)量和信譽(yù)帶來負(fù)面影響。以上是整機(jī)耦合的原理和測(cè)試存在的意義,也就是設(shè)備主板在FT測(cè)試之后,還要進(jìn)行組裝硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)的原因。硅光芯片耦合測(cè)試能夠高精度的測(cè)量待測(cè)試樣的三維或二維的全場(chǎng)測(cè)量。甘肅硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)哪家好
在光芯片領(lǐng)域,芯片耦合封裝問題是硅光芯片實(shí)用化過程中的關(guān)鍵問題,芯片性能的測(cè)試也是尤其重要的一個(gè)步驟,現(xiàn)有的硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)是將光芯片的輸入輸出端光纖置于顯微鏡下靠人工手工移動(dòng)微調(diào)架轉(zhuǎn)軸進(jìn)行調(diào)光,并依靠對(duì)輸出光的光功率進(jìn)行監(jiān)控,再反饋到微調(diào)架端進(jìn)行調(diào)試。芯片測(cè)試則是將測(cè)試設(shè)備按照一定的方式串聯(lián)連接在一起,形成一個(gè)測(cè)試站。具體的,所有的測(cè)試設(shè)備通過光纖,設(shè)備連接線等連接成一個(gè)測(cè)試站。例如將VOA光芯片的發(fā)射端通過光纖連接到光功率計(jì),就可以測(cè)試光芯片的發(fā)端光功率。將光芯片的發(fā)射端通過光線連接到光譜儀,就可以測(cè)試光芯片的光譜等。吉林分路器硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)多少錢硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn):價(jià)格實(shí)惠。
硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)組件裝夾完成后,主要是通過校正X,Y和Z方向的偏差來進(jìn)行的初始光功率進(jìn)行耦合測(cè)試的,圖像處理軟件能自動(dòng)測(cè)量出各項(xiàng)偏差,然后軟件驅(qū)動(dòng)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)和運(yùn)動(dòng)平臺(tái)來補(bǔ)償偏差,以及給出提示,繼續(xù)手動(dòng)調(diào)整角度滑臺(tái)。當(dāng)三個(gè)器件完成初始定位,同時(shí)確認(rèn)其在Z軸方向的相對(duì)位置關(guān)系后,這時(shí)需要確認(rèn)輸入光纖陣列和波導(dǎo)器件之間光的耦合對(duì)準(zhǔn)。點(diǎn)擊找初始光軟件會(huì)將物鏡聚焦到波導(dǎo)器件的輸出端面。通過物鏡及初始光CCD照相機(jī),可以將波導(dǎo)輸出端各通道的近場(chǎng)圖像投射出來,進(jìn)行適當(dāng)耦合后,圖像會(huì)被投射到顯示器上。
硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)系統(tǒng),該設(shè)備主要由極低/變溫控制子系統(tǒng)、背景強(qiáng)磁場(chǎng)子系統(tǒng)、強(qiáng)電流加載控制子系統(tǒng)、機(jī)械力學(xué)加載控制子系統(tǒng)、非接觸多場(chǎng)環(huán)境下的宏/微觀變形測(cè)量子系統(tǒng)五個(gè)子系統(tǒng)組成。其中極低/變溫控制子系統(tǒng)采用GM制冷機(jī)進(jìn)行低溫冷卻,實(shí)現(xiàn)無液氦制冷,并通過傳導(dǎo)冷方式對(duì)杜瓦內(nèi)的試樣機(jī)磁體進(jìn)行降溫。產(chǎn)品優(yōu)勢(shì):1、可視化杜瓦,可實(shí)現(xiàn)室溫~4.2K變溫環(huán)境下光學(xué)測(cè)試根據(jù)測(cè)試。2、背景強(qiáng)磁場(chǎng)子系統(tǒng)能夠提供高達(dá)3T的背景強(qiáng)磁場(chǎng)。3、強(qiáng)電流加載控制子系統(tǒng)采用大功率超導(dǎo)電源對(duì)測(cè)試樣品進(jìn)行電流加載,較大可實(shí)現(xiàn)1000A的測(cè)試電流。4、該測(cè)量系統(tǒng)不與極低溫試樣及超導(dǎo)磁體接觸,不受強(qiáng)磁場(chǎng)、大電流及極低溫的影響和干擾,能夠高精度的測(cè)量待測(cè)試樣的三維或二維的全場(chǎng)測(cè)量。端面耦合器需要解決的問題是模斑尺寸的匹配,而光柵耦合器由于需要特定角度入射光,主要需要解決光路偏折。
硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)主要工作可以分為四個(gè)部分(1)從波導(dǎo)理論出發(fā),分析了條形波導(dǎo)以及脊型波導(dǎo)的波導(dǎo)模式特性,分析了硅光芯片的良好束光特性。(2)針對(duì)倒錐型耦合結(jié)構(gòu),分析在耦合過程中,耦合結(jié)構(gòu)的尺寸對(duì)插入損耗,耦合容差的影響,優(yōu)化耦合結(jié)構(gòu)并開發(fā)出行之有效的耦合工藝。(3)理論分析了硅光芯片調(diào)制器的載流子色散效應(yīng),分析了調(diào)制器的基本結(jié)構(gòu)MZI干涉結(jié)構(gòu),并從光學(xué)結(jié)構(gòu)和電學(xué)結(jié)構(gòu)兩方面對(duì)光調(diào)制器進(jìn)行理論分析與介紹。(4)利用開發(fā)出的耦合封裝工藝,對(duì)硅光芯片調(diào)制器進(jìn)行耦合封裝并進(jìn)行性能測(cè)試。分析并聯(lián)MZI型硅光芯片調(diào)制器的調(diào)制特性,針對(duì)調(diào)制過程,建立數(shù)學(xué)模型,從數(shù)學(xué)的角度出發(fā),總結(jié)出調(diào)制器的直流偏置電壓的快速測(cè)試方法。并通過調(diào)制器眼圖分析調(diào)制器中存在的問題,為后續(xù)研發(fā)提供改進(jìn)方向。硅基光電集成取得了一系列令人振奮的成果,如硅基光波導(dǎo)、光開關(guān)、調(diào)制器以及探測(cè)器均已實(shí)現(xiàn)。安徽震動(dòng)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)報(bào)價(jià)
利用硅的高折射率差和成熟的制造工藝,硅光子學(xué)被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)高集成度光子芯片的較佳選擇。甘肅硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)哪家好
既然提到硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng),我們就認(rèn)識(shí)一下硅光子集。所謂硅光子集成技術(shù),是以硅和硅基襯底材料(如SiGe/Si、SOI等)作為光學(xué)介質(zhì),通過互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)兼容的集成電路工藝制造相應(yīng)的光子器件和光電器件(包括硅基發(fā)光器件、調(diào)制器、探測(cè)器、光波導(dǎo)器件等),并利用這些器件對(duì)光子進(jìn)行發(fā)射、傳輸、檢測(cè)和處理,以實(shí)現(xiàn)其在光通信、光互連、光計(jì)算等領(lǐng)域中的實(shí)際應(yīng)用。硅光技術(shù)的中心理念是“以光代電”,即采用激光束代替電子信號(hào)傳輸數(shù)據(jù),將光學(xué)器件與電子元件整合至一個(gè)單獨(dú)的微芯片中。在硅片上用光取代傳統(tǒng)銅線作為信息傳導(dǎo)介質(zhì),較大提升芯片之間的連接速度。甘肅硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)哪家好