實(shí)驗(yàn)中我們經(jīng)常使用硅光芯片耦合測試系統(tǒng)獲得了超過50%的耦合效率測試以及低于-20dB的偏振串?dāng)_。我們還對一個(gè)基于硅條形波導(dǎo)的超小型偏振旋轉(zhuǎn)器進(jìn)行了理論分析,該器件能夠?qū)崿F(xiàn)100%的偏轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)化效率,并擁有較大的制造容差。在這里,我們還對利用側(cè)向外延生長硅光芯片耦合測試系統(tǒng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)Ⅲ-Ⅴ材料與硅材料混集成的可行性進(jìn)行了初步分析,并優(yōu)化了諸如氫化物氣相外延,化學(xué)物理拋光等關(guān)鍵工藝。在該方案中,二氧化硅掩膜被用來阻止InP種子層中的線位錯(cuò)在外延生長中的傳播。初步實(shí)驗(yàn)結(jié)果和理論分析證明該集成平臺對于實(shí)現(xiàn)InP和硅材料的混合集成具有比較大的吸引力。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)硅光芯片的好處:使用大規(guī)模集成性。河南分路器硅光芯片耦合測試系統(tǒng)加工廠家
硅光芯片耦合測試系統(tǒng)系統(tǒng)的服務(wù)器為完成設(shè)備控制及自動測試應(yīng)包含有自動化硅光芯片耦合測試系統(tǒng)服務(wù)端程序,用于根據(jù)測試站請求信息分配測試設(shè)備,并自動切換光矩陣進(jìn)行自動測試。服務(wù)器連接N個(gè)測試站、測試設(shè)備、光矩陣。其中N個(gè)測試站連接由于非占用式特性采用網(wǎng)口連接方式;測試設(shè)備包括可調(diào)激光器、偏振控制器和多通道光功率計(jì),物理連接采用GPIB接口、串口或者USB接口;光矩陣連接采取串口。自動化硅光芯片耦合測試系統(tǒng)服務(wù)端程序包含三個(gè)功能模塊:多工位搶占式通信、設(shè)備自動測試、測試指標(biāo)運(yùn)算;設(shè)備自動測試過程又包含如下三類:偏振態(tài)校準(zhǔn)、存光及指標(biāo)測試。上海震動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)價(jià)格硅光芯片耦合測試系統(tǒng)保證產(chǎn)品質(zhì)量一致性,節(jié)約了人力成本,降低對人工的依賴。
在光芯片領(lǐng)域,芯片耦合封裝問題是光子芯片實(shí)用化過程中的關(guān)鍵問題,芯片性能的測試也是至關(guān)重要的一步驟,現(xiàn)有的硅光芯片耦合測試系統(tǒng)是將光芯片的輸入輸出端光纖置于顯微鏡下靠人工手工移動微調(diào)架轉(zhuǎn)軸進(jìn)行調(diào)光,并依靠對輸出光的光功率進(jìn)行監(jiān)控,再反饋到微調(diào)架端進(jìn)行調(diào)試。芯片測試則是將測試設(shè)備按照一定的方式串聯(lián)連接在一起,形成一個(gè)測試站。具體的,所有的測試設(shè)備通過光纖,設(shè)備連接線等連接成一個(gè)測試站。例如將VOA光芯片的發(fā)射端通過光纖連接到光功率計(jì),就可以測試光芯片的發(fā)端光功率。將光芯片的發(fā)射端通過光線連接到光譜儀,就可以測試光芯片的光譜等。
在光芯片領(lǐng)域,芯片耦合封裝問題是光子芯片實(shí)用化過程中的關(guān)鍵問題,芯片性能的測試也是至關(guān)重要的一步驟,現(xiàn)有的硅光芯片耦合測試系統(tǒng)系統(tǒng)是將光芯片的輸入輸出端光纖置于顯微鏡下靠人工手工移動微調(diào)架轉(zhuǎn)軸進(jìn)行調(diào)光,并依靠對輸出光的光功率進(jìn)行監(jiān)控,再反饋到微調(diào)架端進(jìn)行調(diào)試。芯片測試則是將測試設(shè)備按照一定的方式串聯(lián)連接在一起,形成一個(gè)測試站。具體的,所有的測試設(shè)備通過光纖,設(shè)備連接線等連接成一個(gè)測試站。例如將VOA光芯片的發(fā)射端通過光纖連接到光功率計(jì),就可以測試光芯片的發(fā)端光功率。將光芯片的發(fā)射端通過光線連接到光譜儀,就可以測試光芯片的光譜等。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)硅光芯片的好處:可編程性。
硅光芯片耦合測試系統(tǒng)系統(tǒng),該設(shè)備主要由極低/變溫控制子系統(tǒng)、背景強(qiáng)磁場子系統(tǒng)、強(qiáng)電流加載控制子系統(tǒng)、機(jī)械力學(xué)加載控制子系統(tǒng)、非接觸多場環(huán)境下的宏/微觀變形測量子系統(tǒng)五個(gè)子系統(tǒng)組成。其中極低/變溫控制子系統(tǒng)采用GM制冷機(jī)進(jìn)行低溫冷卻,實(shí)現(xiàn)無液氦制冷,并通過傳導(dǎo)冷方式對杜瓦內(nèi)的試樣機(jī)磁體進(jìn)行降溫。產(chǎn)品優(yōu)勢:1、可視化杜瓦,可實(shí)現(xiàn)室溫~4.2K變溫環(huán)境下光學(xué)測試根據(jù)測試。2、背景強(qiáng)磁場子系統(tǒng)能夠提供高達(dá)3T的背景強(qiáng)磁場。3、強(qiáng)電流加載控制子系統(tǒng)采用大功率超導(dǎo)電源對測試樣品進(jìn)行電流加載,較大可實(shí)現(xiàn)1000A的測試電流。4、該測量系統(tǒng)不與極低溫試樣及超導(dǎo)磁體接觸,不受強(qiáng)磁場、大電流及極低溫的影響和干擾,能夠高精度的測量待測試樣的三維或二維的全場測量。圖像處理軟件能自動測量出各項(xiàng)偏差,然后軟件驅(qū)動運(yùn)動控制系統(tǒng)和運(yùn)動平臺來補(bǔ)償偏差,以及給出提示。貴州振動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)廠家
硅光芯片耦合測試系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn):易操作。河南分路器硅光芯片耦合測試系統(tǒng)加工廠家
目前,基于SOI(絕緣體上硅)材料的波導(dǎo)調(diào)制器成為當(dāng)前的研究熱點(diǎn),也取得了許多的進(jìn)展,但在硅光芯片調(diào)制器的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中,面臨著一系列的問題,波導(dǎo)芯片與光纖的有效耦合就是難題之一。從懸臂型耦合結(jié)構(gòu)出發(fā),模擬設(shè)計(jì)了懸臂型倒錐耦合結(jié)構(gòu),通過開發(fā)相應(yīng)的有效地耦合工藝來實(shí)現(xiàn)耦合實(shí)驗(yàn),驗(yàn)證了該結(jié)構(gòu)良好的耦合效率。在這個(gè)基礎(chǔ)之上,對硅光芯片調(diào)制器進(jìn)行耦合封裝,并對封裝后的調(diào)制器進(jìn)行性能測試分析。主要研究基于硅光芯片調(diào)制技術(shù)的硅基調(diào)制器芯片的耦合封裝及測試技術(shù)其實(shí)就是硅光芯片耦合測試系統(tǒng)。河南分路器硅光芯片耦合測試系統(tǒng)加工廠家