科技之光,研發(fā)未來(lái)-特殊染色技術(shù)服務(wù)檢測(cè)中心
常規(guī)HE染色技術(shù)服務(wù)檢測(cè)中心:專(zhuān)業(yè)、高效-生物醫(yī)學(xué)
科研的基石與質(zhì)量的保障-動(dòng)物模型復(fù)制實(shí)驗(yàn)服務(wù)檢測(cè)中心
科技之光照亮生命奧秘-細(xì)胞熒光顯微鏡檢測(cè)服務(wù)檢測(cè)中心
揭秘微觀世界的窗口-細(xì)胞電鏡檢測(cè)服務(wù)檢測(cè)中心
科研的基石與創(chuàng)新的搖籃-細(xì)胞分子生物學(xué)實(shí)驗(yàn)服務(wù)檢測(cè)中心
科研的堅(jiān)實(shí)后盾-大小動(dòng)物學(xué)實(shí)驗(yàn)技術(shù)服務(wù)檢測(cè)中心
推動(dòng)生命科學(xué)進(jìn)步的基石-細(xì)胞生物學(xué)實(shí)驗(yàn)技術(shù)服務(wù)
科技前沿的守護(hù)者-細(xì)胞藥效學(xué)實(shí)驗(yàn)服務(wù)檢測(cè)中心
科研前沿的探索者-細(xì)胞遷移與侵襲實(shí)驗(yàn)服務(wù)檢測(cè)中心
既然提到硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng),我們就認(rèn)識(shí)一下硅光子集。所謂硅光子集成技術(shù),是以硅和硅基襯底材料(如SiGe/Si、SOI等)作為光學(xué)介質(zhì),通過(guò)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)兼容的集成電路工藝制造相應(yīng)的光子器件和光電器件(包括硅基發(fā)光器件、調(diào)制器、探測(cè)器、光波導(dǎo)器件等),并利用這些器件對(duì)光子進(jìn)行發(fā)射、傳輸、檢測(cè)和處理,以實(shí)現(xiàn)其在光通信、光互連、光計(jì)算等領(lǐng)域中的實(shí)際應(yīng)用。硅光技術(shù)的中心理念是“以光代電”,即采用激光束代替電子信號(hào)傳輸數(shù)據(jù),將光學(xué)器件與電子元件整合至一個(gè)單獨(dú)的微芯片中。在硅片上用光取代傳統(tǒng)銅線作為信息傳導(dǎo)介質(zhì),較大提升芯片之間的連接速度。硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)硅光芯片的好處:片內(nèi)具有快速RAM,通常可通過(guò)單獨(dú)的數(shù)據(jù)總線在兩塊中同時(shí)訪問(wèn)。福建收發(fā)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)多少錢(qián)
硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)耦合掉電,是在耦合的過(guò)程中斷電致使設(shè)備連接不上的情況,如果電池電量不足或者使用程控電源時(shí)供電電壓過(guò)低、5V觸發(fā)電壓未接觸好、測(cè)試連接線不良等都會(huì)導(dǎo)致耦合掉電的現(xiàn)象。與此相似的耦合充電也是常見(jiàn)的故障之一,在硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)過(guò)程中,點(diǎn)擊HQ_CFS的“開(kāi)始”按鈕進(jìn)行測(cè)試時(shí)一定要等到“請(qǐng)稍后”出現(xiàn)后才能插上USB進(jìn)行硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng),否則就會(huì)出現(xiàn)耦合充電,若測(cè)試失敗,可重新插拔電池再次進(jìn)行測(cè)試,排除以上操作手法沒(méi)有問(wèn)題后,還是出現(xiàn)充電現(xiàn)象,則是耦合驅(qū)動(dòng)的問(wèn)題了,若識(shí)別不到端口則是測(cè)試用的數(shù)據(jù)線損壞的緣故。山東硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)服務(wù)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)硅光芯片的好處:使用大規(guī)模集成性。
基于設(shè)計(jì)版圖對(duì)硅光芯片進(jìn)行光耦合測(cè)試的方法及系統(tǒng)進(jìn)行介紹,該方法包括:讀取并解析設(shè)計(jì)版圖,得到用于構(gòu)建芯片圖形的坐標(biāo)簇?cái)?shù)據(jù),驅(qū)動(dòng)左側(cè)光纖對(duì)準(zhǔn)第1測(cè)試點(diǎn),獲取與第1測(cè)試點(diǎn)相對(duì)應(yīng)的測(cè)試點(diǎn)圖形的第1選中信息,驅(qū)動(dòng)右側(cè)光纖對(duì)準(zhǔn)第二測(cè)試點(diǎn),獲取與第二測(cè)試點(diǎn)相對(duì)應(yīng)的測(cè)試點(diǎn)圖形的第二選中信息,獲取與目標(biāo)測(cè)試點(diǎn)相對(duì)應(yīng)的測(cè)試點(diǎn)圖形的第三選中信息,通過(guò)測(cè)試點(diǎn)圖形與測(cè)試點(diǎn)的對(duì)應(yīng)關(guān)系確定目標(biāo)測(cè)試點(diǎn)的坐標(biāo),以驅(qū)動(dòng)左或右側(cè)光纖到達(dá)目標(biāo)測(cè)試點(diǎn),進(jìn)行光耦合測(cè)試;該系統(tǒng)包括上位機(jī),電機(jī)控制器,電機(jī),夾持載臺(tái)及相機(jī)等;本發(fā)明具有操作簡(jiǎn)單,耗時(shí)短,對(duì)用戶(hù)依賴(lài)程度低等優(yōu)點(diǎn),能夠極大提高硅光芯片光耦合測(cè)試的便利性。
根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈劃分,芯片從設(shè)計(jì)到出廠的中心環(huán)節(jié)主要包括6個(gè)部分:(1)設(shè)計(jì)軟件,芯片設(shè)計(jì)軟件是芯片公司設(shè)計(jì)芯片結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵工具,目前芯片的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)主要依靠EDA(電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化)軟件來(lái)完成;(2)指令集體系,從技術(shù)來(lái)看,CPU只是高度聚集了上百萬(wàn)個(gè)小開(kāi)關(guān),沒(méi)有高效的指令集體系,芯片沒(méi)法運(yùn)行操作系統(tǒng)和軟件;(3)芯片設(shè)計(jì),主要連接電子產(chǎn)品、服務(wù)的接口;(4)制造設(shè)備,即生產(chǎn)芯片的設(shè)備;(5)圓晶代工,圓晶代工廠是芯片從圖紙到產(chǎn)品的生產(chǎn)車(chē)間,它們決定了芯片采用的納米工藝等性能指標(biāo);(6)封裝測(cè)試,是芯片進(jìn)入銷(xiāo)售前的結(jié)尾一個(gè)環(huán)節(jié),主要目的是保證產(chǎn)品的品質(zhì),對(duì)技術(shù)需求相對(duì)較低。應(yīng)用到芯片的領(lǐng)域比如我們的硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)。硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn):易于大規(guī)模測(cè)試。
說(shuō)到功率飄忽不定,耦合直通率低一直是影響產(chǎn)能的重要因素,功率飄通常與耦合板的位置有關(guān),因此在耦合時(shí)一定要固定好相應(yīng)的位置,不可隨便移動(dòng),此外部分機(jī)型需要使用專(zhuān)屬版本,又或者說(shuō)耦合RF線材損壞也會(huì)對(duì)功率的穩(wěn)定造成比較大的影響。若以上原因都排除則故障原因就集中在終測(cè)儀和機(jī)頭本身了。結(jié)尾說(shuō)一說(shuō)耦合不過(guò)站的故障,為防止耦合漏作業(yè)的現(xiàn)象,在耦合的過(guò)程中會(huì)通過(guò)網(wǎng)線自動(dòng)上傳耦合數(shù)據(jù)進(jìn)行過(guò)站,若MES系統(tǒng)的外觀工位攔截到耦合不過(guò)站的機(jī)頭,則比較可能是CB一鍵藕合工具未開(kāi)啟或者損壞,需要卸載后重新安裝,排除耦合4.0的故障和電腦系統(tǒng)本身的故障之后,則可能是MES系統(tǒng)本身的問(wèn)題導(dǎo)致耦合數(shù)據(jù)無(wú)法上傳而導(dǎo)致不過(guò)站的現(xiàn)象的。硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)硅光芯片的好處:具有在單周期內(nèi)操作的多個(gè)硬件地址產(chǎn)生器。黑龍江射頻硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)公司
硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)硅光芯片的好處:可嵌入性。福建收發(fā)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)多少錢(qián)
硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)的面向硅光芯片的光模塊封裝結(jié)構(gòu)及方法,封裝結(jié)構(gòu)包括硅光芯片,電路板和光纖陣列,硅光芯片放置在基板上,基板和電路板通過(guò)連接件相連,并且在連接件的作用下實(shí)現(xiàn)硅光芯片與電路板的電氣連通;光纖陣列的端面與硅光芯片的光端面耦合形成輸入輸出光路;基板所在平面與電路板所在平面之間存在一個(gè)夾角,使得光纖陣列的尾纖出纖方向與光模塊的輸入和/或輸出通道的光軸的夾角為銳角。本發(fā)明避免光纖陣列尾纖彎曲半徑過(guò)小的問(wèn)題,提高了封裝的可靠性。福建收發(fā)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)多少錢(qián)