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江蘇溫控探針臺(tái)供應(yīng)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2020-12-16

高精度探針臺(tái):目前世界出貨量的型號(hào)吸收了很新的工藝科技例如OTS,QPU和TTG相關(guān)技術(shù),這種全新的高精度系統(tǒng)為下一代小型化的設(shè)計(jì)及多種測(cè)試條件提供保證。特性1:OTS-近的位置對(duì)正系統(tǒng)(光學(xué)目標(biāo)對(duì)準(zhǔn))OTS通過(guò)對(duì)照相機(jī)相對(duì)位置的測(cè)量來(lái)保證其位置的精度。這是非常引人注目的技術(shù),來(lái)源于精密的度量技術(shù)。OTS實(shí)現(xiàn)了以自己為參照的光學(xué)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)。特性2:QPU-高剛性的硅片承載臺(tái)(四方型系統(tǒng))為了有效的達(dá)到接觸位置的精度,硅片承載臺(tái)各部分的剛性一致是非常重要的,UF3000使用新的4軸機(jī)械轉(zhuǎn)換裝置(QPU),達(dá)到高剛性,高穩(wěn)定度的接觸。圓片移動(dòng)到下一個(gè)芯片的位置,這種方法可以讓圓片上的每一個(gè)芯片都經(jīng)過(guò)測(cè)試。江蘇溫控探針臺(tái)供應(yīng)

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近年來(lái),半導(dǎo)體作為信息產(chǎn)業(yè)的基石和兵家必爭(zhēng)之地成為本輪貿(mào)易戰(zhàn)的焦點(diǎn)。2019年,中美摩擦、日韓半導(dǎo)體材料爭(zhēng)端對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局也帶來(lái)了較大的影響。在自主可控發(fā)展策略指導(dǎo)下、在資本與相關(guān)配套政策扶植下,中國(guó)大陸正在也必將成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)擴(kuò)張寶地,未來(lái)幾年半導(dǎo)體產(chǎn)能擴(kuò)充仍將有較大需求。2019年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備投資約為923.51億元,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模約為67.43億元。在疫病結(jié)束后國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體投資將反彈及恢復(fù)增長(zhǎng),檢測(cè)設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模也將隨之增長(zhǎng),預(yù)計(jì)2022年將達(dá)到103.22億元。四川芯片探針臺(tái)適用于對(duì)芯片進(jìn)行科研分析,抽查測(cè)試等用途。

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平面電機(jī)x-y步進(jìn)工作臺(tái):平面電機(jī)由定子和動(dòng)子組成,它和傳統(tǒng)的步進(jìn)電機(jī)相比其特殊性就是將定子展開(kāi),定子是基礎(chǔ)平臺(tái),動(dòng)子和定子間有一層氣墊,動(dòng)子浮于氣墊上,而可編程承片臺(tái)則安裝在動(dòng)子之上。這種結(jié)構(gòu)的x-y工作臺(tái),由于動(dòng)子和定子間無(wú)相對(duì)摩擦故無(wú)磨損,使用壽命長(zhǎng)。而定子在加工過(guò)程中生產(chǎn)廠家根據(jù)不同的設(shè)計(jì)要求如分辨力等,用機(jī)加工的方法在一平面的鐵制鑄件上加工出若干個(gè)線槽,線槽間的距離即稱為平面電機(jī)的齒距,而定子則按不同的細(xì)分控制方式,按編制好的運(yùn)行程序借助于平面定子和動(dòng)子之間的氣墊才能實(shí)現(xiàn)步進(jìn)運(yùn)動(dòng)。

探針臺(tái)需要特別注意的是在未加壓縮空氣時(shí)不可強(qiáng)行拉動(dòng)動(dòng)子,以免造成定子及動(dòng)子的損傷。平面電機(jī)應(yīng)使用在環(huán)境溫度15~25℃,相對(duì)濕度小于50%的環(huán)境中,其所需的壓縮空氣必須經(jīng)過(guò)干燥過(guò)濾處理且與環(huán)境空氣溫度差值小于5℃,氣壓為0.4±0.04MPa。相對(duì)于平面電機(jī)工作臺(tái),絲杠導(dǎo)軌結(jié)構(gòu)的工作臺(tái)結(jié)構(gòu)組成較復(fù)雜,工作臺(tái)由上層(x向)及下層(y向)兩部分組成。工作臺(tái)由兩個(gè)步進(jìn)電機(jī)分別驅(qū)動(dòng)x、y向精密滾珠絲杠副帶動(dòng)工作臺(tái)運(yùn)動(dòng),導(dǎo)向部分采用精密直線滾動(dòng)導(dǎo)軌。芯片測(cè)試是為了檢驗(yàn)規(guī)格的一致性而在硅片集成電路上進(jìn)行的電學(xué)參數(shù)測(cè)量。

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高性能密閉微暗室有效屏蔽:腔體采用導(dǎo)電的處理工藝,確保了各零件之間的導(dǎo)通狀態(tài)從而達(dá)到全屏蔽的效果,降低系統(tǒng)噪聲,有效屏蔽外界干擾,并提供低漏電流保護(hù),為微弱電信號(hào)測(cè)試提供了合理的測(cè)試環(huán)境;同時(shí)也注意零件配合以及裝配的同時(shí),保證內(nèi)部的密封性。對(duì)于一些特殊的器件/晶圓需要在高低溫的情況進(jìn)行環(huán)境的模擬測(cè)試,有效地避免了空氣中的水分在樣品上結(jié)露或者結(jié)霜的存在,通過(guò)氣流的特性,填充滿密封腔體內(nèi),使腔體里內(nèi)的氣體露的點(diǎn)進(jìn)行降低直至到一定的點(diǎn)。從功能上來(lái)區(qū)分有:高溫探針臺(tái),低溫探針臺(tái),RF探針臺(tái),LCD平板探針臺(tái),表面電阻率探針臺(tái)。山東直流探針臺(tái)加工廠家

探針臺(tái)由于動(dòng)子和定子間無(wú)相對(duì)摩擦故無(wú)磨損,使用壽命長(zhǎng)。江蘇溫控探針臺(tái)供應(yīng)

晶圓級(jí)半自動(dòng)面內(nèi)磁場(chǎng)探針臺(tái)詳細(xì)參數(shù):垂直或面內(nèi)磁場(chǎng)探針臺(tái),通用性設(shè)計(jì);容納12寸晶圓,且向下兼容8寸、6寸、碎片;兼容4組探針(RF或DC測(cè)試);提供Z軸探針平臺(tái)快速升降功能,實(shí)現(xiàn)高效測(cè)試;磁場(chǎng)強(qiáng)度≥330 mT;直流探針(4組)或微波探針(4組);XY電控行程±150 mm,調(diào)節(jié)精度2μm;T軸手動(dòng)調(diào)節(jié)±5°,小至調(diào)節(jié)精度5’。晶圓級(jí)半自動(dòng)二維磁場(chǎng)探針臺(tái):詳細(xì)參數(shù)可對(duì)晶圓施加垂直或面內(nèi)磁場(chǎng),兼容性設(shè)計(jì);容納12寸晶圓,且向下兼容8寸、6寸、碎片;兼容4組探針(RF或DC測(cè)試);提供Z軸探針平臺(tái)快速升降功能,實(shí)現(xiàn)高效測(cè)試;磁場(chǎng)強(qiáng)度≥0.7 T;直流探針(4組)或微波探針(4組);XY電控行程±150 mm,調(diào)節(jié)精度2μm;T軸手動(dòng)調(diào)節(jié)±5°,小到調(diào)節(jié)精度5’。江蘇溫控探針臺(tái)供應(yīng)