【真空鍍膜設備的分類】： 這個問題如果在十年之前，其實是很容易回答的，就是兩個大類，物理沉積設備和化學沉積設備。現在這樣回答也是沒錯的，但現在再這樣回答就沒辦法把事情說清楚了，所以從應用領域上可以分成以下幾類： 傳統光學器件（鏡片，濾光片）所用的鍍膜設備：單腔體或多腔體蒸發(fā)式鍍膜設備，濺射式鍍膜設備。 新材料領域的柔性設備：卷對卷柔性鍍膜設備。 光通訊行業(yè)：離子束濺射鍍膜設備。 半導體及相似工藝：化學氣相沉積設備。 功能膜：多弧離子鍍設備，濺射設備，蒸發(fā)設備 玻璃工藝：濺射式連續(xù)線 其余的就得歸到“工藝定制設備”這個范圍里面了，例如車燈鍍膜設備，太陽能的共蒸發(fā)設備，光纖鍍膜設備，太陽能管設備等等 真空鍍膜設備培訓資料。安徽真空鍍膜設備廠有哪些

【離子鍍膜法之射頻離子鍍】： 射頻離子鍍(RFIP):利用電阻或電子束加熱使膜材氣化；依靠射頻等離子體放電使充入的真空Ar及其它惰性氣體、反應氣體氧氣、氮氣、乙炔等離化。這種方法的特點是：基板溫升小，不純氣體少，成膜好，適合鍍化合物膜，但匹配較困難?？蓱糜阱児鈱W器件、半導體器件、裝飾品、汽車零件等。射頻離子鍍膜設備對周遭環(huán)境沒有不利影響，符合現代綠色制造的工業(yè)發(fā)展方向。目前，該類型設備已經guang泛用在硬質合金立銑刀、可轉位銑刀、焊接工具、階梯鉆、鉆頭、鉸刀、油孔鉆、車刀、異型刀具、絲錐等工具的鍍膜處理上。 此外，離子鍍法還包括有低壓等離子體離子鍍，感應離子加熱鍍，集團離子束鍍和多弧離子鍍等多種方法。福建真空鍍膜設備商成都國泰真空鍍膜設備怎么樣？

【真空鍍膜產品常見不良分析及改善對策之膜外自霧】： 現象：鍍膜完成后，表面有一些淡淡的白霧，用丙tong或混合液擦拭，會有越擦越嚴重的現象。用氧化鈰粉擦拭，可以擦掉或減輕。 可能成因有： 1. 膜結構問題，外層膜的柱狀結構松散，外層膜太粗糙 2. 蒸發(fā)角過大，膜結構粗糙 3. 溫差：鏡片出罩時內外溫差過大 4. 潮氣：鏡片出罩后擺放環(huán)境的潮氣 5. 真空室內POLYCOLD解凍時水汽過重 6. 蒸鍍中充氧不完全，膜結構不均勻。 7. 膜與膜之間的應力 改善思路：膜外白霧成因很多但各有特征，盡量對癥下藥。主要思路，一是把膜做的致密光滑些不容易吸附，二是改善環(huán)境減少吸附的對象。 改善對策： 1. 改善膜系，外層加二氧化硅，使膜表面光滑，不易吸附。 2. 降低出罩時的鏡片溫度 3. 改善充氧（加大），改善膜結構 4. 適當降低蒸發(fā)速率，改善柱狀結構 5. 離子輔助鍍膜，改善膜結構 6. 加上Polycold解凍時的小充氣閥 7. 從蒸發(fā)源和夾具上想辦法改善蒸發(fā)角 8. 改善基片表面粗糙度 9. 注意Polycold解凍時的真空度。

【濺射鍍膜定義】： 定義：所謂濺射，就是這充滿腔室的工藝氣體在高電壓的作用下，形成氣體等離子體（輝光放電），其中的陽離子在電場力作用下高速向靶材沖擊，陽離子和靶材進行能量交換，使靶材原子獲得足夠的能量從靶材表面逸出（其中逸出的還可能包含靶材離子）。這一整個的動力學過程，就叫做濺射。入射離子轟擊靶面時，將其部分能量傳輸給表層晶格原子，引起靶材中原子的運動。有的原子獲得能量后從晶格處移位，并克服了表面勢壘直接發(fā)生濺射；有的不能脫離晶格的束縛，只能在原位做振動并波及周圍原子，結果使靶的溫度升高；而有的原子獲得足夠大的能量后產生一次反沖，將其臨近的原子碰撞移位，反沖繼續(xù)下去產生高次反沖，這一過程稱為級聯碰撞。級聯碰撞的結果是部分原子達到表面，克服勢壘逸出，這就形成了級聯濺射，這就是濺射機理。當級聯碰撞范圍內反沖原子密度不高時，動態(tài)反沖原子彼此間的碰撞可以忽略，這就是線性級聯碰撞。真空鍍膜設備怎么維修。

【真空鍍膜產品常見不良分析及改善對策之破邊、炸裂】： 一般的鍍膜會對基片加熱，由于基片是裝架在金屬圈、碟內，由于鏡圈或碟片與鏡片（基片）的熱膨脹系數不一致，冷卻過程中會造成鏡片的破便或炸裂。 有些大鏡片，由于出罩時的溫度較高，與室溫的溫差較大，鏡片的熱應力作用造成鏡片炸裂或破邊。有些零件邊緣倒邊的形狀容易造成卡圈而破邊。 改善對策： 1. 夾具（鏡圈、碟片）的設計，在尺寸配合上要合理，充分考慮制造誤差帶來的影響。 2. 注意鏡圈、碟片的變形，已經變形的夾具不能使用。 3. 選用合適的夾具才來哦（非導磁材料、不生銹、耐高溫不變性），不銹鋼較為理想（熱變形系數?。?，就是加工難度大，價格貴。 4. 對于大鏡片應降低出罩時的溫度，減少溫差，防止炸裂。 5. 如果時鏡圈，可以考慮在鏡圈上開槽，作為緩沖。 真空鍍膜設備是什么？廣西真空鍍膜設備哪里有賣

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【磁控濺射鍍膜的歷史】： 磁控濺射技術作為一種十分有效的薄膜沉積方法,被普遍地應用于許多方面，特別是在微電子、光學薄膜和材料表面處理等領域。1852年Grove首ci描述濺射這種物理現象,20世紀40年代濺射技術作為一種沉積鍍膜方法開始得到應用和發(fā)展。60年代后隨著半導體工業(yè)的迅速崛起,這種技術在集成電路生產工藝中,用于沉積集成電路中晶體管的金屬電極層,才真正得以普及和guang泛的應用。磁控濺射技術出現和發(fā)展,以及80年代用于制作CD的反射層之后,磁控濺射技術應用領域得到極大地擴展,逐步成為制造許多產品的一種常用手段。 【磁控濺射原理】: 電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子。氬離子在電場作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶原子，靶原子沉積在基片表面形成膜。二次電子受到磁場影響，被束縛在靶面的等離子體區(qū)域，二次電子在磁場作用下繞靶面做圓周運動，在運動過程中不斷和氬原子發(fā)生撞擊，電離出大量氬離子轟擊靶材。 【磁控濺射優(yōu)缺點】： 優(yōu)點：工藝重復性好，薄膜純度高，膜厚均勻，附著力好。 缺點：設備結構復雜，靶材利用率低。 安徽真空鍍膜設備廠有哪些