隨著電子產(chǎn)品向小型化/集成化的發(fā)展，線路和層間間距越來(lái)越小，電遷移問(wèn)題也日益受到關(guān)注。一旦發(fā)生電遷移會(huì)造成電子產(chǎn)品絕緣性能下降，甚至短路。電遷移失效同常規(guī)的過(guò)應(yīng)力失效不同，它的發(fā)生需要一個(gè)時(shí)間累積，失效通常會(huì)發(fā)生在**終客戶(hù)的使用過(guò)程中，可能在使用幾個(gè)月后，也可能在幾年后，往往會(huì)造成經(jīng)濟(jì)上的重大損失。但是，電遷移的發(fā)生不僅同離子有關(guān)，它需要離子，電壓差，導(dǎo)體，傳輸通道，濕氣以及溫度等各種因素綜合作用，在長(zhǎng)期累積下產(chǎn)生的失效。所以，通過(guò)在樣品上施加各類(lèi)綜合應(yīng)力來(lái)評(píng)估產(chǎn)品后期使用的電遷移風(fēng)險(xiǎn)就顯得異常重要。與其它方法比較，SIR的優(yōu)點(diǎn)是除了可偵測(cè)局部的污染之外，還可以測(cè)量離子與非離子污染物對(duì)PCB可靠性的影響。貴州國(guó)內(nèi)電阻測(cè)試售后服務(wù)

可靠性試驗(yàn)中，有一項(xiàng)，叫做高加速應(yīng)力試驗(yàn)(簡(jiǎn)稱(chēng)HAST)，主要是在測(cè)試IC封裝體對(duì)溫濕度的抵抗能力，藉以確保產(chǎn)品可靠性。這項(xiàng)試驗(yàn)方式是需透過(guò)外接電源供應(yīng)器，將DC電壓源送入高壓鍋爐機(jī)臺(tái)設(shè)備內(nèi)，再連接到待測(cè)IC插座(Socket)與測(cè)試版(HASTboard)，進(jìn)行待測(cè)IC的測(cè)試。然而這項(xiàng)試驗(yàn)，看似簡(jiǎn)單，但在宜特20多年的可靠性驗(yàn)證經(jīng)驗(yàn)中，卻發(fā)現(xiàn)客戶(hù)都會(huì)遇到一些難題需要克服。特別是芯片應(yīng)用日益復(fù)雜，精密度不斷提升，芯片采取如球柵數(shù)組封裝(Ball Grid Array，簡(jiǎn)稱(chēng)BGA)和芯片尺寸構(gòu)裝(Chip Scale package，簡(jiǎn)稱(chēng)CSP）封裝比例越來(lái)越高，且錫球間距也越來(lái)越小，在執(zhí)行HAST時(shí)，非常容易有電化學(xué)遷移(簡(jiǎn)稱(chēng)ECM）現(xiàn)象的產(chǎn)生，造成芯片于可靠性實(shí)驗(yàn)過(guò)程中發(fā)生電源短路異常。湖南智能電阻測(cè)試誠(chéng)信合作摒棄老的設(shè)備系統(tǒng)集成觀念！

電化學(xué)遷移是PCB組件常見(jiàn)的失效模式。無(wú)論是在設(shè)計(jì)過(guò)程開(kāi)發(fā)階段，還是在生產(chǎn)過(guò)程、控制過(guò)程中，都需要充分的測(cè)試。在電子組裝行業(yè)，有許多可用的方法可以來(lái)評(píng)估組件表面的電化學(xué)遷移傾向。根據(jù)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試將繼續(xù)為SIR。這是因?yàn)樵摐y(cè)試**接近組件的正常使用壽命中導(dǎo)致電化學(xué)遷移的條件，而且它考慮了所有促進(jìn)電化學(xué)遷移機(jī)制的四個(gè)因素之間的相互作用。當(dāng)測(cè)試集中在一個(gè)或一些因素上時(shí)，例如測(cè)試離子含量，它們可能表明每個(gè)組件上離子種類(lèi)的變化，但它們不能直接評(píng)估電化學(xué)遷移的傾向。在銅、電壓、濕度和離子含量之間的相互作用中存在著一些關(guān)鍵因素，電解會(huì)導(dǎo)致枝晶生長(zhǎng)，這將繼續(xù)推動(dòng)測(cè)試的最佳實(shí)踐朝著直接測(cè)試表面絕緣電阻的方向發(fā)展。**重要的是將SIR測(cè)試的條件盡可能地與操作條件相匹配。一旦裝配過(guò)程得到驗(yàn)證和認(rèn)可，局部萃取和離子色譜測(cè)試等工具和方法在維持離子含量水平以及在確定來(lái)料和工藝控制的變化方面都是有用的。

金屬離子在陰極沉積過(guò)程在陰極區(qū)，陽(yáng)極溶解生成的金屬離子（主要為錫離子和鉛離子）在電場(chǎng)的作用下，在電解液中遷移到陰極得到電子直接生成金屬單質(zhì)；或者與陰極生成的氫氧根離子相遇而生成氫氧化物的沉淀物，氫氧化物的沉淀物發(fā)生脫水分解為氧化物，氧化物繼續(xù)還原為金屬單質(zhì)。伴隨著枝晶的生長(zhǎng)過(guò)程，陰極區(qū)還發(fā)生的反應(yīng)為電解質(zhì)中溶解氧氣的還原反應(yīng)及水的還原反應(yīng)，反應(yīng)方程式如下：Pb2++2e-→PbSn2++2e-→SnSn4++4e-→SnO2+2H2O+4e-→4OH-2H2O+2e-→H2+2OH-Pb2++2OH-→Pb(OH)2→PbO+H2OSn2++2OH-→Sn(OH)2→SnO+H2OSn4++4OH-→Sn(OH)4→SnO2+2H2O為建立可抑制電化學(xué)遷移中陰極還原沉積過(guò)程，可能的有效途徑為可以在陰極表面添加不同的活性劑，使陰極沉積物由樹(shù)枝狀結(jié)構(gòu)變?yōu)榉稚⒃陉帢O表面，由此可有效避免由樹(shù)枝狀枝晶的生長(zhǎng)而造成的短路失效。根據(jù)客戶(hù)實(shí)際需求定制，比如接入對(duì)應(yīng)ERP系統(tǒng)。

SIR和局部萃取的結(jié)果是通過(guò)或失敗。判定標(biāo)準(zhǔn)分別基于電路電阻率和萃取液電阻率。為了便于參考，附錄中包含了詳細(xì)的結(jié)果。如表1所示，通過(guò)被編碼為綠色，失敗被編碼為橙色。結(jié)果顯示了一個(gè)清晰的定義：即所有未清洗的測(cè)試模塊都沒(méi)有通過(guò)測(cè)試，所有清洗過(guò)的測(cè)試模塊都通過(guò)了測(cè)試。事實(shí)上，助焊劑殘?jiān)泻写罅康碾x子，局部萃取試驗(yàn)很快就超過(guò)了電阻率極限。在未清洗板上有幾種離子濃度很高?？偟膩?lái)說(shuō)，這是一個(gè)非常極端的比較，因?yàn)楦锌赡苁遣糠智逑炊皇峭耆辞逑础＿@加強(qiáng)了必須清洗使用了水溶性焊錫膏組件的重要性。GWHR-256多通道 SIR/CAF實(shí)時(shí)監(jiān)控測(cè)試系統(tǒng)適用于IPC-TM-650標(biāo)準(zhǔn)，測(cè)試速度 20mS/所有通道。海南直銷(xiāo)電阻測(cè)試批量定制

印刷電路板的電極之間會(huì)出現(xiàn)離子轉(zhuǎn)移，出現(xiàn)絕緣劣化的現(xiàn)象。通常發(fā)生在PCB基板中。貴州國(guó)內(nèi)電阻測(cè)試售后服務(wù)

有數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)90%以上的電阻在大氣環(huán)境中使用[1]，因此不可避免地受到工作環(huán)境中的溫度、濕度、灰塵顆粒及大氣污染物的影響，很容易發(fā)生電化學(xué)遷移。電化學(xué)遷移被認(rèn)為是電阻在電場(chǎng)與環(huán)境作用下發(fā)生的一種重要的失效形式，會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品在服役期間發(fā)生漏電、短路等故障。1失效分析某一批智能水表上的電路板使用大約2年后其內(nèi)部電阻存在短路失效的情況。1.1機(jī)械開(kāi)封機(jī)械開(kāi)封后1#電阻樣品表面形貌如圖1所示，可明顯發(fā)現(xiàn)電阻表面有一層金屬光澤異物粘附，異物呈樹(shù)枝狀結(jié)晶，由一端電極往另一端電極方向生長(zhǎng)，并連接了電阻兩端電極；一端電表表面發(fā)生溶解，且溶解的端電極表面存在黑色腐蝕產(chǎn)物。貴州國(guó)內(nèi)電阻測(cè)試售后服務(wù)

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