何謂電化學(xué)遷移。金屬離子在電場(chǎng)的作用下，電路的陽(yáng)極和陰極之間會(huì)形成一個(gè)導(dǎo)電信道產(chǎn)生電解腐蝕(Electrolytic Corrosion。樣式如樹枝狀結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)，造成不同區(qū)域的金屬互相連接，進(jìn)而導(dǎo)致電路短路。ECM現(xiàn)象好發(fā)于電路板上。造成電化學(xué)遷移(ECM)比較大因素造成ECM形成的比較大因素為「電解質(zhì)層形成」，電解質(zhì)層的形成會(huì)產(chǎn)生自由離子進(jìn)而增加導(dǎo)電率。而會(huì)加速電解質(zhì)層形成的原因大多為濕度、溫度、汗水、環(huán)境中的污染物、助焊劑化學(xué)物、板材材料、表面粗糙度…等因素，因此，如何預(yù)防電解質(zhì)層形成極為重要。表面絕緣電阻（SIR）測(cè)試可以用來(lái)評(píng)估金屬導(dǎo)體之間短路或者電流泄露造成的問(wèn)題。江西國(guó)內(nèi)電阻測(cè)試系統(tǒng)解決方案

金屬離子遷移過(guò)程此失效樣品灌封膠有機(jī)物與電路板上電阻存在一定縫隙，未能完全隔絕兩端電極，縫隙的存在為電化學(xué)遷移提供了遷移通道。因此密封電阻與電路板間縫隙能夠抑制金屬離子的遷移過(guò)程。針對(duì)金屬離子的遷移過(guò)程，可以加入絡(luò)合劑，使其與金屬正離子形成帶負(fù)電荷的絡(luò)合物，帶負(fù)電的絡(luò)合物將不會(huì)往陰極方向遷移和在陰極處發(fā)生還原沉積，由此達(dá)到抑制金屬離子往陰極遷移的目的。同時(shí)，隨著外電場(chǎng)強(qiáng)度增大，會(huì)加快陽(yáng)極溶解、離子遷移和離子沉積過(guò)程。根據(jù)文獻(xiàn)[10]報(bào)道，當(dāng)外電壓不超過(guò)2V時(shí)，形成的樹枝狀沉積物數(shù)目較少，且外加電壓的增加會(huì)使得電化學(xué)遷移造成的短路失效時(shí)間會(huì)***縮短。因此，盡量在設(shè)計(jì)階段中，設(shè)置元件在工作狀態(tài)時(shí)為較低的外電場(chǎng)，也能避免由于快速發(fā)生電化學(xué)遷移而導(dǎo)致的短路失效，延長(zhǎng)使用壽命。陜西pcb離子遷移絕緣電阻測(cè)試歡迎選購(gòu)SIR表面絕緣電阻測(cè)試的目的之一：變更助焊劑和/或錫膏。

局部萃取的離子色譜法在過(guò)去的十年中，一種新興的方法得到了***的應(yīng)用，那就是局部萃取，然后用離子色譜(IC)分析來(lái)控制重要的清潔度，通常被稱為C3測(cè)試。這種方法使用冷蒸汽直接通過(guò)一個(gè)小噴嘴，并在選定的電路板和組件表面冷凝，用以溶解各種離子。然后噴嘴將水和離子的溶液萃取回測(cè)試池中進(jìn)行測(cè)試。電流通過(guò)萃取物，并測(cè)量達(dá)到持續(xù)狀態(tài)的時(shí)間。然后用離子色譜法對(duì)萃取物進(jìn)行檢測(cè)，以確定其中存在的離子種類及數(shù)量。這種類型的測(cè)試特別適用于對(duì)電路板上潛在的問(wèn)題區(qū)域進(jìn)行抽查，例如低間距組件、高熱質(zhì)量區(qū)域、選擇性焊接的部件和清洗過(guò)的組件。**重要的是，局部萃取方法可以很容易地集成到質(zhì)量保證協(xié)議中，以驗(yàn)證測(cè)試結(jié)果隨時(shí)間變化的一致性和很多不同組裝工藝的一致性。

在96個(gè)小時(shí)的靜置時(shí)間后，測(cè)試電壓和偏置電壓的極性必須是始終一致的。在整個(gè)測(cè)試過(guò)程中，建議每24到100個(gè)小時(shí)需要換用另外的電阻檢測(cè)器，確保測(cè)試電壓和偏置電壓的極性始終一致。在電阻測(cè)量過(guò)程中，為了保證測(cè)試的準(zhǔn)確性，如果觀察到周期性的電阻突降，也應(yīng)該被算作一次失效。因?yàn)殛?yáng)極導(dǎo)電絲是很細(xì)的，很容易被破壞掉。當(dāng)50%的部分已經(jīng)失效了，測(cè)試即可停止。當(dāng)CAF發(fā)生時(shí)，電阻偏小，施加到CAF失效兩端的電壓會(huì)下降。當(dāng)測(cè)試網(wǎng)絡(luò)的阻值接近限流電阻的阻值時(shí)，顯得尤為明顯。所以在整個(gè)測(cè)試過(guò)程中，并不需要調(diào)整電壓。9、500個(gè)小時(shí)的偏置電壓后（一共596個(gè)小時(shí)），像之前一樣重新進(jìn)行絕緣電阻的測(cè)量。10、在500小時(shí)的偏壓加載后，可以進(jìn)行額外的T/H/B條件。然而，**少要進(jìn)行500小時(shí)加載偏置電壓的測(cè)試，來(lái)作為CAF測(cè)試的結(jié)果之一。導(dǎo)通電阻和接觸電阻測(cè)試系統(tǒng)用于新材料新技術(shù)的自動(dòng)評(píng)估測(cè)試及焊點(diǎn)可靠性故障分析研究。

為SAC305開發(fā)了加熱曲線，其熔點(diǎn)范圍為217–220°C。針對(duì)相似的工藝窗口的四種回流曲線，分別為標(biāo)準(zhǔn)回流曲線、模擬返修站的自然(快速)冷卻曲線、自然冷卻條件下的較低峰值曲線，以及延長(zhǎng)冷卻條件下的低峰值曲線。圖4中所示的爐溫曲線是由一臺(tái)爐溫測(cè)試儀測(cè)試的回流爐的曲線，和由電偶測(cè)量的返工臺(tái)的曲線。返修工位曲線升溫時(shí)間更短，為了便于峰位和TAL的比較，對(duì)溫度曲線進(jìn)行了輕微的偏移。為SAC305開發(fā)了加熱曲線，其熔點(diǎn)范圍為217–220°C。針對(duì)相似的工藝窗口的四種回流曲線，分別為標(biāo)準(zhǔn)回流曲線、模擬返修站的自然(快速)冷卻曲線、自然冷卻條件下的較低峰值曲線，以及延長(zhǎng)冷卻條件下的低峰值曲線。圖4中所示的爐溫曲線是由一臺(tái)爐溫測(cè)試儀測(cè)試的回流爐的曲線，和由電偶測(cè)量的返工臺(tái)的曲線。返修工位曲線升溫時(shí)間更短，為了便于峰位和TAL的比較，對(duì)溫度曲線進(jìn)行了輕微的偏移。廣州維柯GWHR-256 產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：容錯(cuò)機(jī)制強(qiáng)：任何一組板卡發(fā)生故障不影響其它通道的正常測(cè)試。海南pcb離子遷移絕緣電阻測(cè)試有哪些

1-500V 1-2000V 以0.1V分辨率任意值可調(diào)。江西國(guó)內(nèi)電阻測(cè)試系統(tǒng)解決方案

金屬離子在陰極沉積過(guò)程在陰極區(qū)，陽(yáng)極溶解生成的金屬離子（主要為錫離子和鉛離子）在電場(chǎng)的作用下，在電解液中遷移到陰極得到電子直接生成金屬單質(zhì)；或者與陰極生成的氫氧根離子相遇而生成氫氧化物的沉淀物，氫氧化物的沉淀物發(fā)生脫水分解為氧化物，氧化物繼續(xù)還原為金屬單質(zhì)。伴隨著枝晶的生長(zhǎng)過(guò)程，陰極區(qū)還發(fā)生的反應(yīng)為電解質(zhì)中溶解氧氣的還原反應(yīng)及水的還原反應(yīng)，反應(yīng)方程式如下：Pb2++2e-→PbSn2++2e-→SnSn4++4e-→SnO2+2H2O+4e-→4OH-2H2O+2e-→H2+2OH-Pb2++2OH-→Pb(OH)2→PbO+H2OSn2++2OH-→Sn(OH)2→SnO+H2OSn4++4OH-→Sn(OH)4→SnO2+2H2O為建立可抑制電化學(xué)遷移中陰極還原沉積過(guò)程，可能的有效途徑為可以在陰極表面添加不同的活性劑，使陰極沉積物由樹枝狀結(jié)構(gòu)變?yōu)榉稚⒃陉帢O表面，由此可有效避免由樹枝狀枝晶的生長(zhǎng)而造成的短路失效。江西國(guó)內(nèi)電阻測(cè)試系統(tǒng)解決方案

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