表面電子組件的電化學(xué)遷移的發(fā)生機(jī)理取決于四個(gè)因素：銅、電壓、濕度和離子種類(lèi)。當(dāng)環(huán)境中的濕氣在電路板上形成水滴時(shí)，能夠與表面上的任何離子相互作用，使離子沿著電路板表面移動(dòng)。離子與銅發(fā)生反應(yīng)，它們?cè)陔妷旱淖饔孟拢煌苿?dòng)著在銅電路之間遷移。這通常被總結(jié)為一系列步驟：水吸附、陽(yáng)極金屬溶解或離子生成、離子積累、離子遷移到陰極和金屬枝晶狀生長(zhǎng)。線(xiàn)路板表面的每一種材料都有可能是電遷移產(chǎn)生的影響因素：無(wú)論是線(xiàn)路板材料和阻焊層、元器件的清潔度，還是制板工藝或組裝工藝產(chǎn)生的任何殘留物（包括助焊劑殘留物）。由于這種失效機(jī)制是動(dòng)態(tài)變化的，理想狀況是對(duì)每種設(shè)計(jì)和裝配都進(jìn)行測(cè)試。但這是不可行的。這就提出了一個(gè)問(wèn)題：如何比較好地描述一個(gè)組件的電化學(xué)遷移傾向。每個(gè)板卡一個(gè)**測(cè)試電源，可適應(yīng)多批量測(cè)試條件。廣西多功能電阻測(cè)試訂做價(jià)格

失效機(jī)理分析及防護(hù)策略結(jié)合以上結(jié)果，電阻失效是由于經(jīng)典電化學(xué)遷移引起（ElectrochemicalMigration,ECM）。其中失效模型包含Ag、Sn、Pb等金屬元素，指的是在一定的偏壓電場(chǎng)條件下，作為陽(yáng)極的電子元件發(fā)生陽(yáng)極金屬溶解，溶解到電解質(zhì)中的金屬離子在電場(chǎng)作用下遷移到陰極，并發(fā)生沉積還原的行為，**終導(dǎo)致金屬離子以樹(shù)枝狀結(jié)晶形式向陽(yáng)極生長(zhǎng)[6]。因此電化學(xué)遷移現(xiàn)象有三個(gè)必要的過(guò)程：(1)陽(yáng)極溶解形成金屬離子過(guò)程；(2)金屬離子遷移過(guò)程；(3)金屬離子在陰極沉積過(guò)程[7]。廣東離子遷移絕緣電阻測(cè)試歡迎選購(gòu)表面絕緣電阻（SIR）測(cè)試可以用來(lái)評(píng)估金屬導(dǎo)體之間短路或者電流泄露造成的問(wèn)題。

此外，失效電阻表面還存在少量的乙酸根離子(CH3COO-)，由于工藝生產(chǎn)中引入的有機(jī)弱酸減小了溶液的pH、提高了溶液的導(dǎo)電率，促進(jìn)了金屬陽(yáng)極的溶解過(guò)程，加大金屬陽(yáng)離子的濃度而提升枝晶的生長(zhǎng)速率，造成了電阻的短路失效。從表1離子色譜結(jié)果可以得出原工藝中生產(chǎn)使用的SnPb焊料存在較高的氯離子（Cl-），說(shuō)明SnPb焊料中的助焊劑中存在較高的氯離子，加速了電阻表面發(fā)生焊料的電化學(xué)遷移。參考國(guó)際電子工業(yè)聯(lián)接協(xié)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)表面絕緣電阻手冊(cè)IPC-TM-6502.3.28.2[4]，“/”表示未檢出，其含量低于方法檢出限，方法檢出限為0.003mg/cm2。

SIR測(cè)試模型允許將此測(cè)試組件安裝在溫度為40°C和相對(duì)濕度為90%的箱體中，如IPC TM-650所述。有一個(gè)輕微的偏差，因?yàn)榘鍥](méi)有固定，并有不同的方向相對(duì)于氣流確保在測(cè)試期間SIR測(cè)試模塊上沒(méi)有明顯的冷凝現(xiàn)象。根據(jù)IPC標(biāo)準(zhǔn)，通過(guò)測(cè)試的模塊，在整個(gè)測(cè)試過(guò)程中，其電阻都高于108Ω。測(cè)試結(jié)果將根據(jù)這個(gè)限定值判定為通過(guò)或失敗。相關(guān)研究的目的是描述不同回流曲線(xiàn)對(duì)助焊劑殘留物的影響。在以前的工作中，據(jù)說(shuō)曾經(jīng)觀察到與回流工藝產(chǎn)出的組件相比，使用電烙鐵加熱和更快冷卻速度的返工工位完成的組件顯示出更高的離子殘留物水平。與其它方法比較，SIR的優(yōu)點(diǎn)是除了可偵測(cè)局部的污染之外，還可以測(cè)量離子與非離子污染物對(duì)PCB可靠性的影響。

測(cè)量電阻。采用50V的直流偏置電壓，用100V的測(cè)試電壓測(cè)試每塊板的菊花鏈網(wǎng)絡(luò)的絕緣電阻前至少充電60S的時(shí)間。偏置電壓的極性和測(cè)試電壓的極性必須隨時(shí)保持一致。4、在初始的絕緣電阻測(cè)量后關(guān)閉測(cè)試系統(tǒng)，使樣品在65±2℃或85±2℃、相對(duì)濕度為87+3/-2%RH、無(wú)偏壓的環(huán)境下靜置96個(gè)小時(shí)（±30分鐘）。96個(gè)小時(shí)（±30分鐘）的靜置期后，在每個(gè)菊花鏈網(wǎng)絡(luò)和地之間測(cè)試絕緣電阻。5、確認(rèn)所有的測(cè)試樣品的連接是有效的，每個(gè)測(cè)試電路對(duì)應(yīng)適當(dāng)?shù)南蘖麟娮?。然后將測(cè)試板與電源相連開(kāi)始進(jìn)行T/H/B部分的CAF測(cè)試。廣州維柯信息技術(shù)有限公司的高低阻（CAF/TCH）測(cè)試系統(tǒng)可以做到測(cè)試速度快：20ms/所有通道。湖南pcb絕緣電阻測(cè)試廠家供應(yīng)

GWHR-256多通道 SIR/CAF實(shí)時(shí)監(jiān)控測(cè)試系統(tǒng)適用于IPC-TM-650標(biāo)準(zhǔn)，測(cè)試速度 20mS/所有通道。廣西多功能電阻測(cè)試訂做價(jià)格

何謂電化學(xué)遷移。金屬離子在電場(chǎng)的作用下，電路的陽(yáng)極和陰極之間會(huì)形成一個(gè)導(dǎo)電信道產(chǎn)生電解腐蝕(Electrolytic Corrosion。樣式如樹(shù)枝狀結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)，造成不同區(qū)域的金屬互相連接，進(jìn)而導(dǎo)致電路短路。ECM現(xiàn)象好發(fā)于電路板上。造成電化學(xué)遷移(ECM)比較大因素造成ECM形成的比較大因素為「電解質(zhì)層形成」，電解質(zhì)層的形成會(huì)產(chǎn)生自由離子進(jìn)而增加導(dǎo)電率。而會(huì)加速電解質(zhì)層形成的原因大多為濕度、溫度、汗水、環(huán)境中的污染物、助焊劑化學(xué)物、板材材料、表面粗糙度…等因素，因此，如何預(yù)防電解質(zhì)層形成極為重要。廣西多功能電阻測(cè)試訂做價(jià)格

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