在確定為CAF失效之前，應(yīng)該確認(rèn)連接線兩端的電阻是不是要小于菊花鏈區(qū)域的電阻。做法是將菊花鏈附近連接測(cè)試線纜的線路切斷。所有的測(cè)試結(jié)束后，如果發(fā)現(xiàn)某塊測(cè)試板連接線兩端的電阻確實(shí)小于菊花鏈區(qū)域的電阻，那么這塊測(cè)試板就不能作為數(shù)據(jù)分析的依據(jù)。常規(guī)結(jié)果判定：1.96小時(shí)靜置后絕緣電阻R1≤107歐姆，即判定樣本失效；2.當(dāng)**終測(cè)試絕緣電阻R2<108歐姆，或者在測(cè)試過程中有3次記錄或以上出現(xiàn)R2<108歐姆即判定樣本失效。廣州維柯信息技術(shù)有限公司的高低阻(CAF/TCT)測(cè)試系統(tǒng)可以做到有效電壓測(cè)試。系統(tǒng)測(cè)試可在IPC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的環(huán)境條件下對(duì)試驗(yàn)樣品進(jìn)行高效、準(zhǔn)確的絕緣電阻測(cè)試和漏電流監(jiān)測(cè)！海南電阻測(cè)試以客為尊

可靠性研究的兩大內(nèi)容就是失效分析和可靠性測(cè)試（包括破壞性實(shí)驗(yàn)）。兩者之間是相互影響和相互制約的。電子元器件技術(shù)的快速發(fā)展和可靠性的提高奠定了現(xiàn)代電子裝備的基礎(chǔ)，元器件可靠性工作的根本任務(wù)是提高元器件的可靠性。因此，必須重視和加快發(fā)展元器件的可靠性分析工作，通過分析確定失效機(jī)理，找出失效原因，反饋給設(shè)計(jì)、制造和使用，共同研究和實(shí)施糾正措施，提高電子元器件的可靠性。電子元器件失效分析的目的是借助各種測(cè)試分析技術(shù)和分析程序確認(rèn)電子元器件的失效現(xiàn)象，分辨其失效模式和失效機(jī)理，確認(rèn)結(jié)果的失效原因，提出改進(jìn)設(shè)計(jì)和制造工藝的建議，防止失效的重復(fù)出現(xiàn)，提高元器件可靠性。廣西離子遷移絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)接口友好：軟件可定制，或開放數(shù)據(jù)接口，或接入實(shí)驗(yàn)室LIMS系統(tǒng)。

表面絕緣電阻（SIR）IPC-TM-650方法定義了在高濕度環(huán)境下表面絕緣電阻的測(cè)試條件。SIR測(cè)試在40°C和相對(duì)濕度為90%的箱體里進(jìn)行。樣板的制備和ECM測(cè)試一樣，都是依據(jù)方法制備（如圖1）。***版本的測(cè)試要求規(guī)定每20分鐘要檢查一次樣板。在七天的測(cè)試中，不同模塊之間的表面絕緣電阻值衰減必須少于10Ohms，但是要排除**開始24小時(shí)的穩(wěn)定時(shí)間。電壓是恒定不變的。這和ECM測(cè)試在很多方面不一樣。兩者的不同點(diǎn)是：持續(xù)時(shí)間、測(cè)試箱體條件和頻繁測(cè)量數(shù)據(jù)的目的。樣板同樣需要目測(cè)檢查枝晶生長(zhǎng)是否超過間距的20%和是否有任何腐蝕引起的變色問題。

金屬離子遷移過程此失效樣品灌封膠有機(jī)物與電路板上電阻存在一定縫隙，未能完全隔絕兩端電極，縫隙的存在為電化學(xué)遷移提供了遷移通道。因此密封電阻與電路板間縫隙能夠抑制金屬離子的遷移過程。針對(duì)金屬離子的遷移過程，可以加入絡(luò)合劑，使其與金屬正離子形成帶負(fù)電荷的絡(luò)合物，帶負(fù)電的絡(luò)合物將不會(huì)往陰極方向遷移和在陰極處發(fā)生還原沉積，由此達(dá)到抑制金屬離子往陰極遷移的目的。同時(shí)，隨著外電場(chǎng)強(qiáng)度增大，會(huì)加快陽(yáng)極溶解、離子遷移和離子沉積過程。根據(jù)文獻(xiàn)[10]報(bào)道，當(dāng)外電壓不超過2V時(shí)，形成的樹枝狀沉積物數(shù)目較少，且外加電壓的增加會(huì)使得電化學(xué)遷移造成的短路失效時(shí)間會(huì)***縮短。因此，盡量在設(shè)計(jì)階段中，設(shè)置元件在工作狀態(tài)時(shí)為較低的外電場(chǎng)，也能避免由于快速發(fā)生電化學(xué)遷移而導(dǎo)致的短路失效，延長(zhǎng)使用壽命。SIR測(cè)試目的變動(dòng)電路板設(shè)計(jì)或布局。

電子元器件失效分析項(xiàng)目1、元器件類失效電感、電阻、電容：開裂、破裂、裂紋、參數(shù)變化2、器件/模塊失效二極管、三極管、LED燈3、集成電路失效DIP封裝芯片、PGA封裝芯片、SOP/SSOP系列芯片、QFP系列芯片、BGA封裝芯片4、PCB&PCBA焊接失效PCB板面起泡、分層、阻焊膜脫落、發(fā)黑，遷移氧化，腐蝕，開路，短路、CAF短時(shí)失效；板面變色，錫面變色，焊盤變色；孔間絕緣性能下降；深孔開裂；爆板等PCBA（ENIG、化鎳沉金、電鍍鎳金、OSP、噴錫板）焊接不良；端子（引腳）上錫不良，表面異物、電遷移、元件脫落等5、DPA分析電阻器/電容器/熱敏電阻器/二極管等電子元器件可靠性驗(yàn)證服務(wù)根據(jù)客戶實(shí)際需求定制，比如接入對(duì)應(yīng)ERP系統(tǒng)。廣西離子遷移絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)

多通道導(dǎo)通電阻實(shí)時(shí)監(jiān)控測(cè)試系統(tǒng)，32 通道/組，各、組所有參數(shù)可以獨(dú)自設(shè)置。海南電阻測(cè)試以客為尊

隨著電子產(chǎn)品向小型化/集成化的發(fā)展，線路和層間間距越來(lái)越小，電遷移問題也日益受到關(guān)注。一旦發(fā)生電遷移會(huì)造成電子產(chǎn)品絕緣性能下降，甚至短路。電遷移失效同常規(guī)的過應(yīng)力失效不同，它的發(fā)生需要一個(gè)時(shí)間累積，失效通常會(huì)發(fā)生在**終客戶的使用過程中，可能在使用幾個(gè)月后，也可能在幾年后，往往會(huì)造成經(jīng)濟(jì)上的重大損失。但是，電遷移的發(fā)生不僅同離子有關(guān)，它需要離子，電壓差，導(dǎo)體，傳輸通道，濕氣以及溫度等各種因素綜合作用，在長(zhǎng)期累積下產(chǎn)生的失效。所以，通過在樣品上施加各類綜合應(yīng)力來(lái)評(píng)估產(chǎn)品后期使用的電遷移風(fēng)險(xiǎn)就顯得異常重要。海南電阻測(cè)試以客為尊

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