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廣西SIR表面絕緣電阻測(cè)試方法

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-12-21

CAF形成過(guò)程:1、常規(guī)FR4P片是由玻璃絲編輯成玻璃布,然后涂環(huán)氧樹脂半固化后制成;2、樹脂與玻纖之間的附著力不足,或含浸時(shí)親膠性不良,兩者之間容易出現(xiàn)間隙;3、鉆孔等機(jī)械加工過(guò)程中,由于切向拉力及縱向沖擊力的作用對(duì)樹脂的粘合力進(jìn)一步破壞;4、距離較近的兩孔若電勢(shì)不同,則正極部分銅離子在電壓驅(qū)動(dòng)下逐漸向負(fù)極遷移。CAF產(chǎn)生的原因:1、原料問(wèn)題1)樹脂身純度不良,如雜質(zhì)太多而招致附著力不佳;2)玻纖束之表面有問(wèn)題,如耦合性不佳,親膠性不良;3)樹脂之硬化劑不良,容易吸水;4)膠片含浸中行進(jìn)速度太快;常使得玻纖束中應(yīng)有的膠量尚未全數(shù)充實(shí)填飽造成氣泡殘存。2、流程工藝問(wèn)題1)孔粗-鉆孔太過(guò)粗糙,造成玻纖束被拉松或分離而出現(xiàn)間隙;2)除膠渣-PCB制程之PTH中的除膠渣過(guò)度,或沉銅浸入玻纖束發(fā)生燈芯效應(yīng),過(guò)度的燈芯加上孔與孔相距太近時(shí),可能會(huì)使得其間板材的絕緣品質(zhì)變差加速產(chǎn)生CAF效應(yīng)。電阻測(cè)試是一種常見的電子測(cè)試方法。廣西SIR表面絕緣電阻測(cè)試方法

電阻測(cè)試

1、電化學(xué)遷移(ECM)電化學(xué)遷移是在直流電壓的影響下發(fā)生的離子運(yùn)動(dòng)。在潮濕條件下,金屬離子會(huì)在陽(yáng)極形成,并向陰極遷移(見圖6.1),形成枝晶。當(dāng)枝晶連接兩種導(dǎo)體時(shí),便造成了短路,而且枝晶會(huì)因電流驟增而發(fā)生熔斷。2、導(dǎo)電陽(yáng)極絲(CAF)目前公認(rèn)的CAF成因是銅離子的電化學(xué)遷移隨著銅鹽的沉積。在高溫高濕條件下,PCB內(nèi)部的樹脂和玻纖之間的附力劣化,促成玻纖表面的硅烷偶聯(lián)劑產(chǎn)生水解,樹脂和玻纖分離并形成可供離子遷移的通道。PCB/PCBA絕緣失效失效機(jī)理絕緣電阻是表征PCB絕緣性能的一個(gè)簡(jiǎn)單而且容易測(cè)量的指標(biāo),絕緣失效是指絕緣電阻減小。一般,影響絕緣電阻的因素有溫度、濕度、電場(chǎng)強(qiáng)度以及樣品處理等。絕緣失效通常可能發(fā)生在PCB表面或者內(nèi)部,前者多見于電化學(xué)遷移(ECM)或化學(xué)腐蝕,后者則多見于導(dǎo)電陽(yáng)極絲(CAF)。1、電化學(xué)遷移(ECM)電化學(xué)遷移是在直流電壓的影響下發(fā)生的離子運(yùn)動(dòng)。在潮濕條件下,金屬離子會(huì)在陽(yáng)極形成,并向陰極遷移(見圖6.1),形成枝晶。當(dāng)枝晶連接兩種導(dǎo)體時(shí),便造成了短路,而且枝晶會(huì)因電流驟增而發(fā)生熔斷。廣西表面絕緣SIR電阻測(cè)試哪家好智能電阻是一種集成了智能化功能的電阻器件。

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表面絕緣電阻(SIR)測(cè)試是通過(guò)在高溫高濕的環(huán)境中持續(xù)給予PCB一定的偏壓,經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的試驗(yàn),觀察線路間是否有瞬間短路或出現(xiàn)絕緣失效的緩慢漏電情形發(fā)生。表面絕緣電阻(SIR)測(cè)試可以用來(lái)評(píng)估金屬導(dǎo)體之間短路或者電流泄露造成的問(wèn)題,也有助于看出錫膏中的助焊劑或其他化學(xué)物品在PCB板面上是否殘留任何會(huì)影響電子零件電氣特性的物質(zhì),通過(guò)表面絕緣電阻(SIR)測(cè)試數(shù)據(jù)可以直接反映PCB的清潔度。當(dāng)PCB受到離子性物質(zhì)的污染、或含有離子的物質(zhì)時(shí),在高溫高濕狀態(tài)下施加電壓,電極在電場(chǎng)和絕緣間隙存在水分的共同作用下,離子化金屬向相反的電極間移動(dòng)(陰極向陽(yáng)極轉(zhuǎn)移),相對(duì)的電極還原成本來(lái)的金屬并析出樹枝狀金屬的現(xiàn)象(類似錫須,容易造成短路),這種現(xiàn)象稱為離子遷移。當(dāng)存在這種現(xiàn)象時(shí),表面絕緣電阻(SIR)測(cè)試可以通過(guò)電阻值顯現(xiàn)出來(lái)。

電阻測(cè)試種類繁多,包括靜態(tài)電阻測(cè)試、動(dòng)態(tài)電阻測(cè)試、溫度電阻測(cè)試等。靜態(tài)電阻測(cè)試是常見的電阻測(cè)試方法之一。它通過(guò)將待測(cè)電阻與一個(gè)已知電阻串聯(lián),然后通過(guò)測(cè)量電路中的電壓和電流來(lái)計(jì)算待測(cè)電阻的阻值。這種測(cè)試方法簡(jiǎn)單易行,適用于大多數(shù)電阻測(cè)試場(chǎng)景。在進(jìn)行靜態(tài)電阻測(cè)試時(shí),需要注意測(cè)試電路的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性,以確保測(cè)試結(jié)果的可靠性。動(dòng)態(tài)電阻測(cè)試是一種更為精確的電阻測(cè)試方法。它通過(guò)在待測(cè)電阻上施加一個(gè)交變電壓或交變電流,然后測(cè)量電路中的相位差和幅度來(lái)計(jì)算待測(cè)電阻的阻值。與靜態(tài)電阻測(cè)試相比,動(dòng)態(tài)電阻測(cè)試可以消除電路中的噪聲和干擾,提高測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。動(dòng)態(tài)電阻測(cè)試常用于對(duì)高精度電阻的測(cè)試,例如精密儀器和測(cè)量設(shè)備。智能電阻的應(yīng)用范圍更加廣,可以滿足不同行業(yè)和領(lǐng)域的需求。

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離子遷移(ECM/SIR/CAF)的要因分析與解決方案從材料方面:樹脂與玻纖紗束之間結(jié)合力不足;解決方案:優(yōu)化CCL制作參數(shù);選擇抗分層的材料;填充空洞或樹脂奶油層不足;解決方案:優(yōu)化CCL制作參數(shù);選擇抗分層的材料;樹脂吸溫性差;解決方案:膠片與基板中的硬化劑由Dicy改為PN以減少吸水;樹脂與玻纖清潔度差(含離子成份);解決方案:使用Anti-CAF的材料;銅箔銅芽較長(zhǎng),易造成離子遷移;解決方案:選用Lowprofilecopperfoil;多大絕緣體表面或內(nèi)部有形成電解質(zhì)物質(zhì)的潛在因素。包括絕緣體本身的種類,構(gòu)成,添加物,纖維性能,樹脂性能。廣州SIR和CAF表面絕緣電阻測(cè)試方法

焊錫青、焊錫絲、助焊劑、清洗劑等引起的材料絕緣性能退化評(píng)估。廣西SIR表面絕緣電阻測(cè)試方法

Sir電阻測(cè)試是一種非接觸式的電阻測(cè)試方法,這種測(cè)試方法不需要直接接觸電路,因此可以避免對(duì)電路的損壞。同時(shí),Sir電阻測(cè)試還具有高精度和高速度的優(yōu)點(diǎn),可以快速準(zhǔn)確地測(cè)量電路中的電阻值。它可以用來(lái)測(cè)量電路中的電阻值。這種測(cè)試方法具有高精度和高速度的優(yōu)點(diǎn),可以快速準(zhǔn)確地測(cè)量電路中的電阻值。同時(shí),它還可以用來(lái)檢測(cè)電路中的其他問(wèn)題,如短路和斷路。因此,掌握Sir電阻測(cè)試方法對(duì)于電子工程師來(lái)說(shuō)非常重要。無(wú)論是在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境還是在工業(yè)生產(chǎn)中,Sir電阻測(cè)試都可以發(fā)揮重要作用,提高工作效率。廣西SIR表面絕緣電阻測(cè)試方法