1)反應(yīng)性濺鍍制備強(qiáng)化膜：在***真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻，反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在吸熱體的基材的外表面上形成強(qiáng)化膜；步驟1)中，吸熱體的基材為不銹鋼片；步驟1)中，靶材為鉻靶，功率為9kw，電壓為500v，真空度為8.0e-6torr，鍍膜速度為6mm/s，氬氣流量為120sccm，氧氣流量為80sccm，制得的強(qiáng)化膜的厚度為70nm；膜厚是根據(jù)工藝要求可調(diào)整的；2)濺鍍制備低發(fā)射率膜：在第二真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的銅離子沉積在步驟1)制得的強(qiáng)化膜的外表面上形成低發(fā)射率膜；這種太陽(yáng)能電池非常昂貴，但研究者認(rèn)為其**重要的是表明了所能達(dá)到的效率上限。黑龍江AM1太陽(yáng)光譜模擬銷量

步驟5)中，靶材為鉻靶，功率為11kw，電壓為500v，真空度為8.0e-6torr，鍍膜速度為6mm/s，氬氣流量為110sccm，氧氣流量為90sccm，制得的吸收膜的厚度為80nm；6)反應(yīng)性濺鍍制備抗反射膜：在第六真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來(lái)的硅離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成二氧化硅，反應(yīng)生成的二氧化硅沉積在步驟5)制得的吸收膜的外表面上形成抗反射膜，完成后在吸熱體的基材的外表面上制得包括6層的膜層；步驟6)中，靶材為硅靶，功率為6kw，電壓為560v，真空度為8.0e-6torr，鍍膜速度為6mm/s，氬氣流量為220sccm，氧氣流量為30sccm，制得的抗反射膜的厚度為120nm。江西銷售太陽(yáng)光譜模擬AM1這一方法不同于一般在房頂或者田野中看到的那種太陽(yáng)能電池板。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的模塊、單元中的任意多個(gè)、或其中任意多個(gè)的至少部分功能可以在一個(gè)模塊中實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的模塊、單元中的任意一個(gè)或多個(gè)可以被拆分成多個(gè)模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的模塊、單元中的任意一個(gè)或多個(gè)可以至少被部分地實(shí)現(xiàn)為硬件電路，例如現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(fpga)、可編程邏輯陣列(pla)、片上系統(tǒng)、基板上的系統(tǒng)、封裝上的系統(tǒng)、**集成電路(asic)，或可以通過(guò)對(duì)電路進(jìn)行集成或封裝的任何其他的合理方式的硬件或固件來(lái)實(shí)現(xiàn)，或以軟件、硬件以及固件三種實(shí)現(xiàn)方式中任意一種或以其中任意幾種的適當(dāng)組合來(lái)實(shí)現(xiàn)?；蛘撸鶕?jù)本發(fā)明實(shí)施例的模塊、單元中的一個(gè)或多個(gè)可以至少被部分地實(shí)現(xiàn)為計(jì)算機(jī)程序模塊，當(dāng)該計(jì)算機(jī)程序模塊被運(yùn)行時(shí)，可以執(zhí)行相應(yīng)的功能。

示意性示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的操作s2計(jì)算過(guò)程流程圖，如圖2所示，該操作例如可以包括s21～s28。s21，根據(jù)地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間，計(jì)算地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像中每個(gè)像素對(duì)應(yīng)的地理經(jīng)度和地理緯度。在本實(shí)施例可行方式中，獲取一幅大小為x×y的地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像，選取圖像中一點(diǎn)為原點(diǎn)建立直角坐標(biāo)系，例如，可以在左上角建立直角坐標(biāo)系，圖像左上角向右為x軸正方向，圖像左上角向下為y軸正方向，還可以選取圖像的中心點(diǎn)為原點(diǎn)建立坐標(biāo)系，向右為x軸正方向，向上為y軸正方向，具體建立坐標(biāo)系的方式本發(fā)明不做限制。這樣，可以得到圖像總每一像素點(diǎn)的坐標(biāo)值(x，y)，像素點(diǎn)的灰度值可用g(x，y)表示。每一像素點(diǎn)對(duì)應(yīng)的地理坐標(biāo)為(by-1，lx-1)，該地理坐標(biāo)表示該像素點(diǎn)**的地球上的位置在地里坐標(biāo)系中用經(jīng)度和緯度表示地面點(diǎn)位置的球面坐標(biāo)。本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N用于選擇性吸收太陽(yáng)光譜的膜層的制備方法，吸熱體由基材及設(shè)置在基材的外表面上膜層構(gòu)成。

可選地，根據(jù)尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間，計(jì)算地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像中每個(gè)像素對(duì)應(yīng)的地理經(jīng)度和地理緯度，包括：以地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像中的一預(yù)設(shè)點(diǎn)建立直角坐標(biāo)系，根據(jù)遙感圖像尺寸，得到每個(gè)像素點(diǎn)在直角坐標(biāo)系中的坐標(biāo)(x，y)；獲取每個(gè)像素點(diǎn)對(duì)應(yīng)的地理坐標(biāo)(by-1，lx-1)；根據(jù)計(jì)算坐標(biāo)為(x，y)的像素點(diǎn)對(duì)應(yīng)的地理經(jīng)度l(x)；根據(jù)計(jì)算坐標(biāo)為(x，y)的像素點(diǎn)對(duì)應(yīng)的地理緯度b(y)；其中，(b0，l0)為坐標(biāo)值(0，0)為的像素點(diǎn)對(duì)應(yīng)的地理坐標(biāo)，x×y為尺寸?？蛇x地，根據(jù)拍攝日期，計(jì)算拍攝日期對(duì)應(yīng)的太陽(yáng)赤緯角和大氣層上界垂直入射時(shí)的太陽(yáng)輻射強(qiáng)度，包括：根據(jù)計(jì)算太陽(yáng)赤緯角；根據(jù)計(jì)算太陽(yáng)輻射強(qiáng)度；其中，d表示計(jì)算拍攝日期在一年中所處的天數(shù)，δ(d)為太陽(yáng)赤緯角，e(d)為太陽(yáng)輻射強(qiáng)度。為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例。北京下打光太陽(yáng)光譜模擬AM0

反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在步驟4)制得的過(guò)渡膜的外表面上形成吸收膜。黑龍江AM1太陽(yáng)光譜模擬銷量

陽(yáng)光是一種**度、易獲得的光源，包括數(shù)千個(gè)“內(nèi)置”的校準(zhǔn)光譜特征。許多研究都需要用到這種質(zhì)量的光源，例如日光誘導(dǎo)葉綠素?zé)晒猓恢脖?，作物和礦物的地物光譜，高光譜，以及多光譜測(cè)試；地球大氣層研究等等。LightMachinery的高分辨率光譜儀，不但可以用來(lái)測(cè)試太陽(yáng)光譜，也可以利用其高分辨率測(cè)試的夫朗和費(fèi)線反演太陽(yáng)自轉(zhuǎn)，大氣水汽等等。顯示太陽(yáng)光譜**直接的方法是將直射陽(yáng)光耦合到連接到光譜儀輸入端口的光纖中。某些型號(hào)的LightMachinery光譜儀提供了必要的光通量和靈敏度來(lái)記錄太陽(yáng)光譜，只需將光纖端部大致對(duì)準(zhǔn)太陽(yáng)的方向即可。黑龍江AM1太陽(yáng)光譜模擬銷量

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