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河南高級(jí)太陽(yáng)光譜模擬銷(xiāo)售

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-01-17

在本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例中,步驟2)中,靶材為銅靶,氬氣流量為50~500sccm,制得的低發(fā)射率膜的厚度為180~220nm。在本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例中,步驟3)中,靶材為鉻靶,氬氣流量為50~300sccm,氮?dú)饬髁繛?0~100sccm,制得的緩沖膜的厚度為30~150nm。在本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例中,步驟4)中,靶材為鉻靶,氬氣流量為50~500sccm,氮?dú)饬髁繛?0~200sccm,氧氣流量為10~200sccm,制得的過(guò)渡膜的厚度為30~100nm。在本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例中,步驟5)中,靶材為鉻靶,氬氣流量為50~300sccm,氧氣流量為10~200sccm,制得的吸收膜的厚度為30~120nm。這一新設(shè)備利用了聚光光伏(CPV)電池板,利用透鏡將太陽(yáng)光集中到微小尺度的太陽(yáng)能電池上。河南高級(jí)太陽(yáng)光譜模擬銷(xiāo)售

示意性示出了本發(fā)明實(shí)施例太陽(yáng)光照補(bǔ)償值計(jì)算方法的流程圖,如圖1所示,該方法例如可以包括操作s1~s1。s1,獲取地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時(shí)刻和拍攝位置高程。該尺寸包括地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像的長(zhǎng)或?qū)挘?,獲取一幅大小為x×y的地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像。地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時(shí)刻和拍攝位置高程例如可以從數(shù)據(jù)庫(kù)中獲取。s2,根據(jù)地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時(shí)刻和拍攝位置高程,計(jì)算地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像拍攝位置的太陽(yáng)直接輻射強(qiáng)度和太陽(yáng)散射輻射強(qiáng)度。安徽下打光太陽(yáng)光譜模擬報(bào)價(jià)膜層的附著力根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)要求測(cè)試,結(jié)果為1級(jí);本申請(qǐng)制備的膜層的光熱轉(zhuǎn)換的效率為77%~82%。

2)濺鍍制備低發(fā)射率膜:在第二真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來(lái)的銅離子沉積在步驟1)制得的強(qiáng)化膜的外表面上形成低發(fā)射率膜;3)反應(yīng)性濺鍍制備緩沖膜:在第三真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氮?dú)獍l(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮化鉻,反應(yīng)生成的氮化鉻沉積在步驟2)制得的低發(fā)射率膜的外表面上形成緩沖膜;4)反應(yīng)性濺鍍制備過(guò)渡膜:在第四真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材,撞擊出來(lái)的鉻離子與通入的氧氣與氮?dú)獍l(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻,反應(yīng)生成的氮氧化鉻、氮化鉻以及氧化鉻沉積在步驟3)制得的緩沖膜的外表面上形成過(guò)渡膜;

陽(yáng)光是一種**度、易獲得的光源,包括數(shù)千個(gè)“內(nèi)置”的校準(zhǔn)光譜特征。許多研究都需要用到這種質(zhì)量的光源,例如日光誘導(dǎo)葉綠素?zé)晒?;植被,作物和礦物的地物光譜,高光譜,以及多光譜測(cè)試;地球大氣層研究等等。LightMachinery的高分辨率光譜儀,不但可以用來(lái)測(cè)試太陽(yáng)光譜,也可以利用其高分辨率測(cè)試的夫朗和費(fèi)線反演太陽(yáng)自轉(zhuǎn),大氣水汽等等。顯示太陽(yáng)光譜**直接的方法是將直射陽(yáng)光耦合到連接到光譜儀輸入端口的光纖中。某些型號(hào)的LightMachinery光譜儀提供了必要的光通量和靈敏度來(lái)記錄太陽(yáng)光譜,只需將光纖端部大致對(duì)準(zhǔn)太陽(yáng)的方向即可。反應(yīng)性濺鍍制備過(guò)渡膜:在第四真空鍍膜室中,氬離子撞擊靶材。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的模塊、單元中的任意多個(gè)、或其中任意多個(gè)的至少部分功能可以在一個(gè)模塊中實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的模塊、單元中的任意一個(gè)或多個(gè)可以被拆分成多個(gè)模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的模塊、單元中的任意一個(gè)或多個(gè)可以至少被部分地實(shí)現(xiàn)為硬件電路,例如現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(fpga)、可編程邏輯陣列(pla)、片上系統(tǒng)、基板上的系統(tǒng)、封裝上的系統(tǒng)、**集成電路(asic),或可以通過(guò)對(duì)電路進(jìn)行集成或封裝的任何其他的合理方式的硬件或固件來(lái)實(shí)現(xiàn),或以軟件、硬件以及固件三種實(shí)現(xiàn)方式中任意一種或以其中任意幾種的適當(dāng)組合來(lái)實(shí)現(xiàn)。或者,根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的模塊、單元中的一個(gè)或多個(gè)可以至少被部分地實(shí)現(xiàn)為計(jì)算機(jī)程序模塊,當(dāng)該計(jì)算機(jī)程序模塊被運(yùn)行時(shí),可以執(zhí)行相應(yīng)的功能。這種新型的基于銻化鎵的太陽(yáng)能電池被組裝成堆棧式結(jié)構(gòu)。遼寧AM1太陽(yáng)光譜模擬AM0

首先,該方法利用了一族基于銻化鎵(GaSb)基底的材料,這常見(jiàn)于紅外激光器和光電探測(cè)器等應(yīng)用之中。河南高級(jí)太陽(yáng)光譜模擬銷(xiāo)售

WTi-Al2O3金屬陶瓷基太陽(yáng)光譜選擇性吸收涂層在600℃退火前后反射光譜變化圖、微結(jié)構(gòu)和熱強(qiáng)化機(jī)理示意圖   金屬納米粒子嵌入到陶瓷基體中組成的金屬陶瓷薄膜是太陽(yáng)光譜選擇性吸收涂層的**工作層,其熱穩(wěn)定性和綜合光學(xué)性能直接決定著整個(gè)涂層的光熱轉(zhuǎn)換效率。高溫下,金屬陶瓷膜內(nèi)金屬納米粒子的團(tuán)聚、長(zhǎng)大、氧化及涂層內(nèi)層間原子的擴(kuò)散遷徙,往往會(huì)導(dǎo)致成分和微結(jié)構(gòu)的變化,從而誘發(fā)涂層光學(xué)性能的衰減 (不可逆性)。如何解決上述問(wèn)題,構(gòu)建熱穩(wěn)定性優(yōu)異、熱發(fā)射率低且吸收率高的太陽(yáng)光譜選擇性吸收涂層,是光熱技術(shù)應(yīng)用所面臨的重要材料基礎(chǔ)問(wèn)題。  河南高級(jí)太陽(yáng)光譜模擬銷(xiāo)售

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