以AgAl-Al2O3金屬陶瓷薄膜作為吸收層，成功構建了AgAl-Al2O3太陽光譜選擇性吸收涂層。在氮氣氣氛下經500℃退火1002 h，其太陽光譜吸收率穩(wěn)定在95%左右，400℃紅外發(fā)射率約在10-11%，如圖1所示（Advanced Materials Interfaces 2016, 3, 1600248）。   目前國內外研究人員積極開發(fā)基于熔融鹽（如60% KNO3+40% NaNO3）熱工質的高溫太陽能熱發(fā)電系統(tǒng)，其工作溫度常在550℃以上，客觀上對太陽光譜選擇性吸收涂層提出了更為苛刻的要求，如何獲得600℃下具備優(yōu)異熱穩(wěn)定性的太陽光譜選擇性吸收涂層是亟需攻克的難題之一。此外，如何提高吸熱體的基材的外表面上的薄膜對太陽熱能的吸收，提高光熱轉換的效率。上海生產太陽光譜模擬濾光片

獲取模塊310，用于獲取地球靜止軌道衛(wèi)星光學遙感圖像的尺寸、地理經度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時刻和拍攝位置高程。***計算模塊320，用于根據遙感圖像尺寸、地理經度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時刻和拍攝位置高程，計算地球靜止軌道衛(wèi)星光學遙感圖像拍攝位置的太陽直接輻射強度和太陽散射輻射強度。第二計算模塊330，用于根據太陽直接輻射強度和太陽散射輻射強度，計算地球靜止軌道衛(wèi)星光學遙感圖像的太陽總輻照強度。第三計算模塊340，用于針對于不同拍攝日期、和/或不同拍攝時間、和/或拍攝位置對應的地球靜止軌道衛(wèi)星光學遙感圖像，計算各自對應的太陽總輻照強度相互之間的差值，得到各個地球靜止軌道衛(wèi)星光學遙感圖像之間的太陽光照補償值。海南AM0太陽光譜模擬銷售雖然科學家們?yōu)榱藢崿F更具效率的太陽能電池已經努力多年，這一方法具有兩個創(chuàng)新之處。

技術實現要素：(一)要解決的技術問題針對于現有技術問題，本發(fā)明提出一種太陽光照補償值計算方法，用于至少部分解決上述技術問題。(二)技術方案本發(fā)明提供一種太陽光照補償值計算方法，用于對地球靜止軌道衛(wèi)星光學遙感圖像進行光補償，包括：獲取地球靜止軌道衛(wèi)星光學遙感圖像尺寸、地理經度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時刻及拍攝位置高程；根據地球靜止軌道衛(wèi)星光學遙感圖像尺寸、地理經度區(qū)間、地理緯度區(qū)間、拍攝日期、拍攝時刻和拍攝位置高程，計算地球靜止軌道衛(wèi)星光學遙感圖像拍攝位置的太陽直接輻射強度和太陽散射輻射強度；根據太陽直接輻射強度和太陽散射輻射強度，計算地球靜止軌道衛(wèi)星光學遙感圖像的太陽總輻照強度；針對于不同拍攝日期、和/或不同拍攝時間、和/或拍攝位置對應的地球靜止軌道衛(wèi)星光學遙感圖像，計算各自對應的太陽總輻照強度相互之間的差值，得到各個地球靜止軌道衛(wèi)星光學遙感圖像各像素之間的太陽光照補償值。

經檢測，本實施例1制備的膜層的吸收率為94％，比現有技術中膜層的吸收率提高了3％～9％；本申請制備的膜層的發(fā)射率為4％，比現有技術中膜層的發(fā)射率降低了3％～12％；膜層的附著力根據標準要求測試，結果為1級；采用本申請制備的膜層的太陽能集熱器的熱效率為80.4％，比采用現有技術中膜層的太陽能集熱器的熱效率提高了6％～8.4％。本發(fā)明未詳盡描述的方法和裝置均為現有技術，不再贅述。本文中應用了具體實施例對本發(fā)明的原理及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其**思想。應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以對本發(fā)明進行若干改進和修飾，這些改進和修飾也落入本發(fā)明權利要求的保護范圍內。通過降低成本和回收利用這些生長基底，未來類似的產品可能將被推向市場。

s25，根據太陽高度角和拍攝位置高程，計算相對大氣光學質量。在本實施例一可行的方式中，根據其中，z表示地理位置(l(x)，b(y))處的海拔高度，r(α，z)為相對大氣光學質量。s26，根據相對大氣光學質量，計算直射輻射大氣透明度系數，并根據直射輻射大氣透明度系數，計算散射輻射大氣透明度系數。在本實施例一可行的方式中，根據τd(α，z)＝0.56×(e-0.56r(α，z)+e-0.096r(α，z))×k1(8)計算晴天無云條件下的直射輻射大氣透明度系數，其中，τd(α，z)為所述直射輻射大氣透明度系數，k1為常系數，根據大氣質量渾濁程度，取值范圍例如可以為0.8≤k1≤0.9。撞擊出來的硅離子與通入的氧氣發(fā)生化學反應生成二氧化硅，反應生成的二氧化硅沉積在步驟。陜西上打光太陽光譜模擬

因為不同物質被離子擊出的濺擊產額不同，因此不容易控制化合物的成份組成與性質。上海生產太陽光譜模擬濾光片

5)反應性濺鍍制備吸收膜：在第五真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學反應生成氧化鉻，反應生成的氧化鉻沉積在步驟4)制得的過渡膜的外表面上形成吸收膜；6)反應性濺鍍制備抗反射膜：在第六真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的硅離子與通入的氧氣發(fā)生化學反應生成二氧化硅，反應生成的二氧化硅沉積在步驟5)制得的吸收膜的外表面上形成抗反射膜，完成后在吸熱體的基材的外表面上制得包括6層的膜層。在本申請的一個實施例中，步驟1)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～200sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的強化膜的厚度為30～120nm。上海生產太陽光譜模擬濾光片

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