第五計算單元325，用于根據(jù)太陽高度角和所述拍攝位置高程，計算相對大氣光學(xué)質(zhì)量；第六計算單元326，用于根據(jù)相對大氣光學(xué)質(zhì)量，計算直射輻射大氣透明度系數(shù)，并根據(jù)直射輻射大氣透明度系數(shù)，計算散射輻射大氣透明度系數(shù)；第七計算單元327，用于根據(jù)大氣層上界垂直入射時的太陽輻射強(qiáng)度、所述直射輻射大氣透明度系數(shù)和太陽高度角，計算所述太陽直接輻射強(qiáng)度；第八計算單元328，用于根據(jù)散射輻射大氣透明度系數(shù)和太陽高度角，計算太陽散射輻射強(qiáng)度。需要說明的是，裝置部分的實(shí)施例方式與方法部分的實(shí)施例方式對應(yīng)類似，具體細(xì)節(jié)請參照方法實(shí)施例部分，在此不再贅述。本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種用于選擇性吸收太陽光譜的膜層的制備方法。青海銷售太陽光譜模擬價格

可選地，根據(jù)拍攝時刻和地理經(jīng)度，計算拍攝時刻的太陽時角，包括：根據(jù)ω(x，t)＝(12-t)×15°-l(x)計算太陽時角，其中，t為拍攝時刻，ω(x，t)為坐標(biāo)為(x，y)的像素點(diǎn)在t時刻對應(yīng)的太陽時角?？蛇x地，根據(jù)太陽赤緯角、太陽時角和地理緯度，計算拍攝時刻的太陽高度角，包括：根據(jù)α(x，y，d，t)＝arcsin[sinb(y)×sinδ(d)+cosb(y)×cosδ(d)×cosω(x，t)]，計算太陽高度角α(x，y，d，t)?？蛇x地，根據(jù)太陽高度角和拍攝位置高程，計算相對大氣光學(xué)質(zhì)量，包括：根據(jù)其中，z表示地理位置(l(x)，b(y))處的海拔高度，r(α，z)為相對大氣光學(xué)質(zhì)量。寧夏生產(chǎn)太陽光譜模擬公司濺鍍制備低發(fā)射率膜：在第二真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的銅離子沉積在步驟。

WTi-Al2O3金屬陶瓷基太陽光譜選擇性吸收涂層在600℃退火前后反射光譜變化圖、微結(jié)構(gòu)和熱強(qiáng)化機(jī)理示意圖   金屬納米粒子嵌入到陶瓷基體中組成的金屬陶瓷薄膜是太陽光譜選擇性吸收涂層的**工作層，其熱穩(wěn)定性和綜合光學(xué)性能直接決定著整個涂層的光熱轉(zhuǎn)換效率。高溫下，金屬陶瓷膜內(nèi)金屬納米粒子的團(tuán)聚、長大、氧化及涂層內(nèi)層間原子的擴(kuò)散遷徙，往往會導(dǎo)致成分和微結(jié)構(gòu)的變化，從而誘發(fā)涂層光學(xué)性能的衰減 (不可逆性)。如何解決上述問題，構(gòu)建熱穩(wěn)定性優(yōu)異、熱發(fā)射率低且吸收率高的太陽光譜選擇性吸收涂層，是光熱技術(shù)應(yīng)用所面臨的重要材料基礎(chǔ)問題。  

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的模塊、單元中的任意多個、或其中任意多個的至少部分功能可以在一個模塊中實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的模塊、單元中的任意一個或多個可以被拆分成多個模塊來實(shí)現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的模塊、單元中的任意一個或多個可以至少被部分地實(shí)現(xiàn)為硬件電路，例如現(xiàn)場可編程門陣列(fpga)、可編程邏輯陣列(pla)、片上系統(tǒng)、基板上的系統(tǒng)、封裝上的系統(tǒng)、**集成電路(asic)，或可以通過對電路進(jìn)行集成或封裝的任何其他的合理方式的硬件或固件來實(shí)現(xiàn)，或以軟件、硬件以及固件三種實(shí)現(xiàn)方式中任意一種或以其中任意幾種的適當(dāng)組合來實(shí)現(xiàn)?；蛘?，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的模塊、單元中的一個或多個可以至少被部分地實(shí)現(xiàn)為計算機(jī)程序模塊，當(dāng)該計算機(jī)程序模塊被運(yùn)行時，可以執(zhí)行相應(yīng)的功能。本申請?zhí)峁┝艘环N用于選擇性吸收太陽光譜的膜層的制備方法，吸熱體由基材及設(shè)置在基材的外表面上膜層構(gòu)成。

5)反應(yīng)性濺鍍制備吸收膜：在第五真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的鉻離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成氧化鉻，反應(yīng)生成的氧化鉻沉積在步驟4)制得的過渡膜的外表面上形成吸收膜；6)反應(yīng)性濺鍍制備抗反射膜：在第六真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材，撞擊出來的硅離子與通入的氧氣發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成二氧化硅，反應(yīng)生成的二氧化硅沉積在步驟5)制得的吸收膜的外表面上形成抗反射膜，完成后在吸熱體的基材的外表面上制得包括6層的膜層。在本申請的一個實(shí)施例中，步驟1)中，靶材為鉻靶，氬氣流量為50～200sccm，氧氣流量為10～200sccm，制得的強(qiáng)化膜的厚度為30～120nm?？茖W(xué)家們設(shè)計和建造了一種新型太陽能電池的原型，將多個電池堆疊到一個設(shè)備中。遼寧購買太陽光譜模擬銷量

反應(yīng)性濺鍍制備強(qiáng)化膜：在***真空鍍膜室中，氬離子撞擊靶材。青海銷售太陽光譜模擬價格

示意性示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的操作s2計算過程流程圖，如圖2所示，該操作例如可以包括s21～s28。s21，根據(jù)地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像尺寸、地理經(jīng)度區(qū)間、地理緯度區(qū)間，計算地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像中每個像素對應(yīng)的地理經(jīng)度和地理緯度。在本實(shí)施例可行方式中，獲取一幅大小為x×y的地球靜止軌道衛(wèi)星光學(xué)遙感圖像，選取圖像中一點(diǎn)為原點(diǎn)建立直角坐標(biāo)系，例如，可以在左上角建立直角坐標(biāo)系，圖像左上角向右為x軸正方向，圖像左上角向下為y軸正方向，還可以選取圖像的中心點(diǎn)為原點(diǎn)建立坐標(biāo)系，向右為x軸正方向，向上為y軸正方向，具體建立坐標(biāo)系的方式本發(fā)明不做限制。這樣，可以得到圖像總每一像素點(diǎn)的坐標(biāo)值(x，y)，像素點(diǎn)的灰度值可用g(x，y)表示。每一像素點(diǎn)對應(yīng)的地理坐標(biāo)為(by-1，lx-1)，該地理坐標(biāo)表示該像素點(diǎn)**的地球上的位置在地里坐標(biāo)系中用經(jīng)度和緯度表示地面點(diǎn)位置的球面坐標(biāo)。青海銷售太陽光譜模擬價格

昊躍光學(xué)科技（蘇州）有限公司正式組建于2020-01-16，將通過提供以天文觀察濾光片，太陽光譜模擬濾光片，儀器用濾光片，望遠(yuǎn)鏡等服務(wù)于于一體的組合服務(wù)。業(yè)務(wù)涵蓋了天文觀察濾光片，太陽光譜模擬濾光片，儀器用濾光片，望遠(yuǎn)鏡等諸多領(lǐng)域，尤其天文觀察濾光片，太陽光譜模擬濾光片，儀器用濾光片，望遠(yuǎn)鏡中具有強(qiáng)勁優(yōu)勢，完成了一大批具特色和時代特征的電子元器件項目；同時在設(shè)計原創(chuàng)、科技創(chuàng)新、標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范等方面推動行業(yè)發(fā)展。隨著我們的業(yè)務(wù)不斷擴(kuò)展，從天文觀察濾光片，太陽光譜模擬濾光片，儀器用濾光片，望遠(yuǎn)鏡等到眾多其他領(lǐng)域，已經(jīng)逐步成長為一個獨(dú)特，且具有活力與創(chuàng)新的企業(yè)。公司坐落于若水路388號蘇州納米技術(shù)國家大學(xué)科技園B棟10樓1005，業(yè)務(wù)覆蓋于全國多個省市和地區(qū)。持續(xù)多年業(yè)務(wù)創(chuàng)收，進(jìn)一步為當(dāng)?shù)亟?jīng)濟(jì)、社會協(xié)調(diào)發(fā)展做出了貢獻(xiàn)。