對于開關(guān)頻率小于100kHz的信號一般取（400～500）kHz載波頻率較好，變壓器選用較高磁導(dǎo)如5K、7K等高頻環(huán)形磁芯，其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好。這種驅(qū)動電路只適合于信號頻率小于100kHz的場合，因信號頻率相對載波頻率太高的話，相對延時太多，且所需驅(qū)動功率增大，UC3724和UC3725芯片發(fā)熱溫升較高，故100kHz以上開關(guān)頻率只對較小極電容的MOSFET才可以。對于1kVA左右開關(guān)頻率小于100kHz的場合，它是一種良好的驅(qū)動電路。該電路具有以下特點：單電源工作，控制信號與驅(qū)動實現(xiàn)隔離，結(jié)構(gòu)簡單尺寸較小，尤其適用于占空比變化不確定或信號頻率也變化的場合。來看這個電路，控制信號PGC控制V4.2是否給P_GPRS供電。此電路中，源漏兩端沒有接反，R110與R113存在的意義在于R110控制柵極電流不至于過大，R113控制柵極的常態(tài)，將R113上拉為高，截至PMOS，同時也可以看作是對控制信號的上拉，當(dāng)MCU內(nèi)部管腳并沒有上拉時，即輸出為開漏時，并不能驅(qū)動PMOS關(guān)閉，此時，就需要外部電壓給予的上拉，所以電阻R113起到了兩個作用。R110可以更小，到100歐姆也可。場效應(yīng)管可以用作放大器，可以放大輸入信號的幅度。徐州漏極場效應(yīng)管

場效應(yīng)管的工作方式有兩種：當(dāng)柵壓為零時有較大漏極電流的稱為耗盡型；當(dāng)柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強型。作用：1.場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2.場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。3.場效應(yīng)管可以用作可變電阻。4.場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。5.場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。徐州漏極場效應(yīng)管場效應(yīng)管的制造工藝不斷改進，使得其性能更加穩(wěn)定，可靠性更高。

MOS管開關(guān)電路圖：頭一種應(yīng)用，由PMOS來進行電壓的選擇，當(dāng)V8V存在時，此時電壓全部由V8V提供，將PMOS關(guān)閉，VBAT不提供電壓給VSIN，而當(dāng)V8V為低時，VSIN由8V供電。注意R120的接地，該電阻能將柵極電壓穩(wěn)定地拉低，確保PMOS的正常開啟，這也是前文所描述的柵極高阻抗所帶來的狀態(tài)隱患。D9和D10的作用在于防止電壓的倒灌。D9可以省略。這里要注意到實際上該電路的DS接反，這樣由附生二極管導(dǎo)通導(dǎo)致了開關(guān)管的功能不能達到，實際應(yīng)用要注意。

什么是MOSFET，mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)、半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型back gate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。場效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導(dǎo)， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（P溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管。場效應(yīng)管需遵循正確的電路連接方式，通常包括源極、柵極和漏極三個引腳，根據(jù)不同類型選擇合適的偏置電壓。

場效應(yīng)管主要參數(shù)：場效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但普通運用時主要關(guān)注以下一些重點參數(shù)：飽和漏源電流IDSS，夾斷電壓Up，（結(jié)型管和耗盡型絕緣柵管，或開啟電壓UT（加強型絕緣柵管）、跨導(dǎo)gm、漏源擊穿電壓BUDS、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM。一、飽和漏源電流，飽和漏源電流IDSS：是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，柵極電壓UGS＝0時的漏源電流。二、夾斷電壓，夾斷電壓Up是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。場效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件，用于放大或開關(guān)電路中的信號。徐州漏極場效應(yīng)管

熟練掌握場效應(yīng)管的使用方法和注意事項，對于電子工程師來說是提升電路設(shè)計能力和解決實際問題的重要技能。徐州漏極場效應(yīng)管

MOS場效應(yīng)管，即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（較高可達1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指：當(dāng)VGS=0時管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強”了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道。耗盡型則是指，當(dāng)VGS=0時即形成溝道，加上正確的VGS時，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止。徐州漏極場效應(yīng)管