ICP（感應(yīng)耦合等離子）刻蝕GaN是物料濺射和化學(xué)反應(yīng)相結(jié)合的復(fù)雜過(guò)程?？涛gGaN主要使用到氯氣和三氯化硼，刻蝕過(guò)程中材料表面表面的Ga-N鍵在離子轟擊下破裂，此為物理濺射，產(chǎn)生活性的Ga和N原子，氮原子相互結(jié)合容易析出氮?dú)猓珿a原子和Cl離子生成容易揮發(fā)的GaCl2或者GaCl3。光刻（Photolithography)是一種圖形轉(zhuǎn)移的方法，在微納加工當(dāng)中不可或缺的技術(shù)。光刻是一個(gè)比較大的概念，其實(shí)它是有多步工序所組成的。1.清洗：清洗襯底表面的有機(jī)物。2.旋涂：將光刻膠旋涂在襯底表面。3.曝光。將光刻版與襯底對(duì)準(zhǔn)，在紫外光下曝光一定的時(shí)間。4.顯影：將曝光后的襯底在顯影液下顯影一定的時(shí)間，受過(guò)紫外線曝光的地方會(huì)溶解在顯影液當(dāng)中。5.后烘。將顯影后的襯底放置熱板上后烘，以增強(qiáng)光刻膠與襯底之前的粘附力。提高微納加工技術(shù)的加工能力和效率是未來(lái)微納結(jié)構(gòu)及器件研究的重點(diǎn)方向。南充MENS微納加工

光刻是半導(dǎo)體制造中常用的技術(shù)之一，是現(xiàn)代光電子器件制造的基礎(chǔ)。然而，深紫外和極紫外光刻系統(tǒng)及其相應(yīng)的光學(xué)掩模都是基于低速高成本的電子束光刻（EBL）或者聚焦離子束刻蝕(FIB)技術(shù)，導(dǎo)致其價(jià)格都相對(duì)昂貴。因此，無(wú)掩模的高速制備法是微納結(jié)構(gòu)制備的優(yōu)先方法。在這些無(wú)掩模方法中，直接激光寫(xiě)入(direct laser writing, DLW)是一種重要的、被廣采用的微處理技術(shù)，能夠提供比較低的價(jià)格和相對(duì)較高的吞吐量。但是，實(shí)際應(yīng)用中存在兩個(gè)主要挑戰(zhàn)：一是與FIB和EBL相比，分辨率還不夠高。濱州石墨烯微納加工在微納加工過(guò)程中，薄膜的形成方法主要為物理沉積、化學(xué)沉積和混合方法沉積。

    微納測(cè)試與表征技術(shù)是微納加工技術(shù)的基礎(chǔ)與前提，它包括在微納器件的設(shè)計(jì)、制造和系統(tǒng)集成過(guò)程中，對(duì)各種參量進(jìn)行微米/納米檢測(cè)的技術(shù)。微米測(cè)量主要服務(wù)于精密制造和微加工技術(shù)，目標(biāo)是獲得微米級(jí)測(cè)量精度，或表征微結(jié)構(gòu)的幾何、機(jī)械及力學(xué)特性；納米測(cè)量則主要服務(wù)于材料工程和納米科學(xué)，特別是納米材料，目標(biāo)是獲得材料的結(jié)構(gòu)、地貌和成分的信息。在半導(dǎo)體領(lǐng)域人們所關(guān)心的與尺寸測(cè)量有關(guān)的參數(shù)主要包括：特征尺寸或線寬、重合度、薄膜的厚度和表面的糙度等等。未來(lái)，微納測(cè)試與表征技術(shù)正朝著從二維到三維、從表面到內(nèi)部、從靜態(tài)到動(dòng)態(tài)、從單參量到多參量耦合、從封裝前到封裝后的方向發(fā)展。探索新的測(cè)量原理、測(cè)試方法和表征技術(shù)，發(fā)展微納加工及制造實(shí)時(shí)在線測(cè)試方法和微納器件質(zhì)量快速檢測(cè)系統(tǒng)已成為了微納測(cè)試與表征的主要發(fā)展趨勢(shì)。

微納加工中，材料濕法腐蝕是一個(gè)常用的工藝方法。材料的濕法化學(xué)刻蝕，包括刻蝕劑到達(dá)材料表面和反應(yīng)產(chǎn)物離開(kāi)表面的傳輸過(guò)程，也包括表面本身的反應(yīng)。半導(dǎo)體技術(shù)中的許多刻蝕工藝是在相當(dāng)緩慢并受速率控制的情況下進(jìn)行的，這是因?yàn)楦采w在表面上有一污染層。污染層厚度常有幾微米，如果化學(xué)反應(yīng)有氣體逸出，則此層就可能破裂。濕法刻蝕工藝常常有反應(yīng)物產(chǎn)生，這種產(chǎn)物受溶液的溶解速率的限制。為了使刻蝕速率提高，常常使溶液攪動(dòng)，因?yàn)閿噭?dòng)增強(qiáng)了外擴(kuò)散效應(yīng)。多晶和非晶材料的刻蝕是各向異性的。然而，結(jié)晶材料的刻蝕可能是各向同性，也可能是各向異性的，它取決于反應(yīng)動(dòng)力學(xué)的性質(zhì)。晶體材料的各向同性刻蝕常被稱作拋光刻蝕，因?yàn)樗鼈儺a(chǎn)生平滑的表面。各向異性刻蝕通常能顯示晶面，或使晶體產(chǎn)生缺陷。因此，可用于化學(xué)加工，也可作為結(jié)晶刻蝕劑。在微納加工過(guò)程中，蒸發(fā)沉積和濺射沉積是典型的物理方法，主要用于沉積金屬單質(zhì)薄膜、合金薄膜、化合物等。

仿生學(xué)是近年來(lái)發(fā)展起來(lái)的一門工程技術(shù)與生物科學(xué)相結(jié)合的交叉學(xué)科。仿生學(xué)研究生物體的結(jié)構(gòu)、功能和工作原理，并將這些原理移植于工程技術(shù)之中，試圖在技術(shù)上模仿植物和動(dòng)物在自然中的功能，發(fā)明性能優(yōu)越的儀器、裝置和機(jī)器，創(chuàng)造新技術(shù)。就聚合物仿生功能材料而言，在聚合物材料表面加工出不同形式的微納結(jié)構(gòu)就會(huì)賦予材料不同的性能。超疏水表面是指水滴在表面的接觸角大于150°，同時(shí)滾動(dòng)角小于10°的一種特殊表面。在過(guò)去的20年里，超疏水表面誘人的潛在應(yīng)用價(jià)值已經(jīng)引起了科學(xué)家們極大的興趣。自然界中，荷葉表面是超疏水的典型象征，其表面的接觸角高達(dá)160°。展示了荷葉的超疏水效果及其表面微觀結(jié)構(gòu)。荷葉表面的這種超疏水特性是由微米乳突和低表面能的蠟狀晶體共同引起的。通過(guò)在聚合物材料表面構(gòu)建類荷葉狀的周期性微納米結(jié)構(gòu)可以獲得具有優(yōu)異超疏水性能的聚合物制品，可用于汽車后視鏡等有防水防霧需求的場(chǎng)合。微納加工平臺(tái)支持基礎(chǔ)信息器件與系統(tǒng)等多領(lǐng)域、交叉學(xué)科，開(kāi)展前沿信息科學(xué)研究和技術(shù)開(kāi)發(fā)?；窗参⒓{加工中心

我造技術(shù)的研究從其誕生之初就一直牢據(jù)行國(guó)的微納制造技術(shù)的研究與世界先進(jìn)水平業(yè)的杰出位置。南充MENS微納加工

    濺射鍍膜有兩種方式：一種稱為離子束濺射，指真空狀態(tài)下用離子束轟擊靶表面，使濺射出的粒子在基體表面成膜，該工藝較為昂貴，主要用于制取特殊的薄膜；另一種稱為陰極濺射，主要利用低壓氣體放電現(xiàn)象，使處于等離子狀態(tài)下的離子轟擊靶面，濺射出的粒子沉積在基體上。它采用平行板電極結(jié)構(gòu)，膜料物質(zhì)做成的大面積靶為陰極，支持基體的基板為陽(yáng)極，安裝于鐘罩式真空容器內(nèi)。為減少污染，先將鐘罩內(nèi)的壓強(qiáng)抽到小于10-3~10-4Pa，然后充入Ar氣，使壓強(qiáng)維持在1~10Pa。在兩極之間加數(shù)千伏的電壓進(jìn)行濺射鍍膜。與蒸發(fā)鍍膜相比，濺射鍍膜時(shí)靶材（膜料）無(wú)相變，化合物成分穩(wěn)定，合金不易分餾，因此適合制備的膜材非常廣。由于濺射沉積到襯底上的粒子能量比蒸發(fā)時(shí)的能量高50倍，它們對(duì)襯底有清洗和升溫作用，所以形成的薄膜附著力大。特別是濺射鍍膜容易控制膜的成分，通過(guò)直接濺射或者反應(yīng)濺射，可以制備大面積均勻的各種合金膜、化合物膜、多層膜和復(fù)合膜。濺射鍍膜易實(shí)現(xiàn)連續(xù)化、自動(dòng)化作業(yè)和規(guī)?；a(chǎn)。但是，由于濺射時(shí)要使用高電壓和氣體，所以裝置比較復(fù)雜，薄膜易受濺射氣氛的影響，薄膜沉積速率也較低。此外，濺射鍍膜需要事先制備各種成分的靶，裝卸靶不太方便。 南充MENS微納加工