真空鍍膜：反應(yīng)磁控濺射法：反應(yīng)磁控濺射沉積過程中基板溫度一般不會有很大的升高，而且成膜過程通常也并不要求對基板進行很高溫度的加熱，因此對基板材料的限制較少。反應(yīng)磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜，并能實現(xiàn)單機年產(chǎn)上百萬平方米鍍膜的工業(yè)化生產(chǎn)。但是反應(yīng)磁控濺射在20世紀90年代之前，通常使用直流濺射電源，因此帶來了一些問題，主要是靶中毒引起的打火和濺射過程不穩(wěn)定，沉積速率較低，膜的缺陷密度較高，這些都限制了它的應(yīng)用發(fā)展。真空濺鍍可根據(jù)基材和靶材的特性直接濺射不用涂底漆。來料真空鍍膜工藝流程

真空鍍膜：電子束蒸發(fā)法：電子束蒸發(fā)法是將蒸發(fā)材料放入水冷銅坩鍋中，直接利用電子束加熱，使蒸發(fā)材料氣化蒸發(fā)后凝結(jié)在基板表面形成膜，是真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)中的一種重要的加熱方法和發(fā)展方向。電子束蒸發(fā)克服了一般電阻加熱蒸發(fā)的許多缺點，特別適合制作熔點薄膜材料和高純薄膜材料。激光蒸發(fā)法：采用激光束蒸發(fā)源的蒸鍍技術(shù)是一種理想的薄膜制備方法。這是由于激光器是可以安裝在真空室之外，這樣不但簡化了真空室內(nèi)部的空間布置，減少了加熱源的放氣，而且還可完全避免了蒸發(fā)氣對被鍍材料的污染，達到了膜層純潔的目的。此外，激光加熱可以達到極高的溫度，利用激光束加熱能夠?qū)δ承┖辖鸹蚧衔镞M行快速蒸發(fā)。這對于保證膜的成分，防止膜的分餾或分解也是極其有用的。激光蒸發(fā)鍍的缺點是制作大功率連續(xù)式激光器的成本較高，所以它的應(yīng)用范圍有一定的限制，導(dǎo)致其在工業(yè)中的普遍應(yīng)用有一定的限制。沈陽小家電真空鍍膜真空鍍膜所采用的方法主要有蒸發(fā)鍍、濺射鍍、離子鍍、束流沉積鍍以及分子束外延等。

磁控濺射可改變工作氣體與氬氣比例從而進行反應(yīng)濺射，例如使用Si靶材，通入一定比例的N2，氬氣作為工作氣體，而氮氣作為反應(yīng)氣體，反應(yīng)能得到SiNx薄膜。通入氧氣與氮氣從而獲得各種材料的氧化物與氮化物薄膜，通過改變反應(yīng)氣體與工作氣體的比例也能對濺射速率進行調(diào)整，薄膜內(nèi)組分也能相應(yīng)調(diào)整。但反應(yīng)氣體過量時可能會造成靶中毒。解決靶中毒主要有以下幾種方法;1.使用射頻電源進行濺射；2.采用閉環(huán)控制反應(yīng)氣體通入流量；3.使用孿生靶交替濺射；4.控制鍍膜模式的變換：在鍍膜前，采集靶中毒的遲滯效應(yīng)曲線，使進氣流量控制在產(chǎn)生靶中毒的前沿，確保工藝過程始終處于沉積速率陡降前的模式。

真空鍍膜：真空涂層技術(shù)的發(fā)展：真空涂層技術(shù)起步時間不長，國際上在上世紀六十年代才出現(xiàn)將CVD（化學氣相沉積）技術(shù)應(yīng)用于硬質(zhì)合金刀具上。由于該技術(shù)需在高溫下進行（工藝溫度高于1000oC），涂層種類單一，局限性很大，起初并未得到推廣。到了上世紀七十年代末，開始出現(xiàn)PVD（物理的氣相沉積）技術(shù)，之后在短短的二、三十年間PVD涂層技術(shù)得到迅猛發(fā)展，究其原因：其在真空密封的腔體內(nèi)成膜，幾乎無任何環(huán)境污染問題，有利于環(huán)保；其能得到光亮、華貴的表面，在顏色上，成熟的有七彩色、銀色、透明色、金黃色、黑色、以及由金黃色到黑色之間的任何一種顏色，能夠滿足裝飾性的各種需要；可以輕松得到其他方法難以獲得的高硬度、高耐磨性的陶瓷涂層、復(fù)合涂層，應(yīng)用在工裝、模具上面，可以使壽命成倍提高，較好地實現(xiàn)了低成本、收益的效果；此外，PVD涂層技術(shù)具有低溫、高能兩個特點，幾乎可以在任何基材上成膜，因此，應(yīng)用范圍十分廣闊，其發(fā)展神速也就不足為奇。真空鍍膜中濺射鍍膜有很多種方式。

真空鍍膜：多弧離子鍍：多弧離子鍍又稱作為電弧離子鍍，由于在陰極上有多個弧斑持續(xù)呈現(xiàn)，所以稱作為“多弧”。多弧離子鍍的主要特點說明：陰極電弧蒸發(fā)離化源可從固體陰極直接產(chǎn)生等離子體，而不產(chǎn)生熔池，所以可以任意方位布置，也可采用多個蒸發(fā)離化源。鍍料的離化率高，一般達60%～90%，卓著提高與基體的結(jié)合力改善膜層的性能。沉積速率高，改善鍍膜的效率。設(shè)備結(jié)構(gòu)簡單，弧電源工作在低電壓大電流工況，工作較為安全。廣東省科學院半導(dǎo)體研究所。真空鍍膜有蒸發(fā)鍍膜形式。來料真空鍍膜工藝流程

真空鍍膜機在集成電路制造中的應(yīng)用：PVCD技術(shù)、真空蒸發(fā)金屬技術(shù)、磁控濺射技術(shù)和射頻濺射技術(shù)。來料真空鍍膜工藝流程

真空鍍膜的方法很多，計有：真空蒸鍍：將需鍍膜的基體清洗后放到鍍膜室，抽空后將膜料加熱到高溫，使蒸氣達到約13。3Pa而使蒸氣分子飛到基體表面，凝結(jié)而成薄膜。陰極濺射鍍：將需鍍膜的基體放在陰極對面，把惰性氣體(如氬)通入已抽空的室內(nèi)，保持壓強約1。33～13。3Pa，然后將陰極接上2000V的直流電源，便激發(fā)輝光放電，帶正電的氬離子撞擊陰極，使其射出原子，濺射出的原子通過惰性氣氛沉積到基體上形成膜。化學氣相沉積：通過熱分解所選定的金屬化合物或有機化合物，獲得沉積薄膜的過程。離子鍍：實質(zhì)上離子鍍系真空蒸鍍和陰極濺射鍍的有機結(jié)合，兼有兩者的工藝特點。來料真空鍍膜工藝流程

廣東省科學院半導(dǎo)體研究所是一家有著先進的發(fā)展理念，先進的管理經(jīng)驗，在發(fā)展過程中不斷完善自己，要求自己，不斷創(chuàng)新，時刻準備著迎接更多挑戰(zhàn)的活力公司，在廣東省等地區(qū)的電子元器件中匯聚了大量的人脈以及**，在業(yè)界也收獲了很多良好的評價，這些都源自于自身不努力和大家共同進步的結(jié)果，這些評價對我們而言是比較好的前進動力，也促使我們在以后的道路上保持奮發(fā)圖強、一往無前的進取創(chuàng)新精神，努力把公司發(fā)展戰(zhàn)略推向一個新高度，在全體員工共同努力之下，全力拼搏將共同廣東省科學院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)和您一起攜手走向更好的未來，創(chuàng)造更有價值的產(chǎn)品，我們將以更好的狀態(tài)，更認真的態(tài)度，更飽滿的精力去創(chuàng)造，去拼搏，去努力，讓我們一起更好更快的成長！