微納加工即是微米級納米級單位的加工常常應用在材料科學和芯片設計等領域，通俗的講就是把圖形轉移到襯底上面去，一般襯底是Si，做微納加工第一步是要做光刻版的。第一步版圖：一般要用CAD，EDA，Matlab，L-edit，potel軟件做圖形第二步制作光刻版：這里比較復雜我分為三步來介紹首先我們要了解光刻版的材料和它的結構，光刻版即是掩膜板材質只有兩種石英和蘇打（石英的透光率要比蘇打的透光率要好）蘇打和石英上面呢有一層ge金屬（ge金屬不透光）ge金屬上面還有一層光刻膠。第一步：我們要確定我們光刻版的大小（注意光刻版要比襯底大一個英寸以便于光刻的時候光刻版能把襯底全部掩蓋?。┮约靶【€寬和精度（這里直接關乎到我們制版的時候會用到什么設備）第二步：進行光刻我們需要用電子束將光刻版上面的光刻膠進行處理就是把圖形用電子束寫到光刻版上面去被紫外線照到的地方的光刻膠就會產(chǎn)生變性在用把光刻膠洗掉這一步也叫去膠。廣東省科學院半導體研究所微納加工平臺，面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領域，致力于打造的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設備，建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線。 微納加工中，材料濕法腐蝕是一個常用的工藝方法。鞍山量子微納加工

        微納加工技術的發(fā)展，將促進納米光電子器件向更深更廣的方向發(fā)展。微納加工的半導體納米結構在光電子領域帶來許多新的量子物理效應，如量子點的庫侖阻塞效應和光子輔助隧穿效應，光子晶體的光子帶隙效應等。對這些新的納米結構帶來的新現(xiàn)象的研究將為研制新原理基礎上的新器件打下基礎。廣東省科學院半導體研究所微納加工平臺，面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領域，致力于打造的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設備，建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時形成了一支與硬件有機結合的專業(yè)人才隊伍。平臺當前緊抓技術創(chuàng)新和公共服務，面向國內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享，為技術咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術驗證以及產(chǎn)品中試提供技術支持。嘉興微納加工工藝目前微納制造領域較常用的一種微細加工技術是LIGA！

        微納加工是指制造特征尺寸以納米為單位的結構，尤其是側面小于20納米的結構。目前的技術大多只允許在二維意義上進行微納加工。納加工通常用于制造計算機芯片，傳統(tǒng)的光刻技術是計算機行業(yè)的支柱，可用于創(chuàng)建尺寸小于22m的特征，雖然這是非常昂貴的，而目且目前還不被認為是經(jīng)濟有效的。廣東省科學院半導體研究所微納加工平臺，面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領域，致力于打造高級的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設備，建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時形成了一支與硬件有機結合的專業(yè)人才隊伍。平臺當前緊抓技術創(chuàng)新和公共服務，面向國內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開放共享，為技術咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術驗證以及產(chǎn)品中試提供技術支持。

    微納測試與表征技術是微納加工技術的基礎與前提，它包括在微納器件的設計、制造和系統(tǒng)集成過程中，對各種參量進行微米/納米檢測的技術。微米測量主要服務于精密制造和微加工技術，目標是獲得微米級測量精度，或表征微結構的幾何、機械及力學特性；納米測量則主要服務于材料工程和納米科學，特別是納米材料，目標是獲得材料的結構、地貌和成分的信息。在半導體領域人們所關心的與尺寸測量有關的參數(shù)主要包括：特征尺寸或線寬、重合度、薄膜的厚度和表面的糙度等等。未來，微納測試與表征技術正朝著從二維到三維、從表面到內(nèi)部、從靜態(tài)到動態(tài)、從單參量到多參量耦合、從封裝前到封裝后的方向發(fā)展。探索新的測量原理、測試方法和表征技術，發(fā)展微納加工及制造實時在線測試方法和微納器件質量快速檢測系統(tǒng)已成為了微納測試與表征的主要發(fā)展趨勢。不同的表面微納結構可以呈現(xiàn)出相應的功能，隨著科技的發(fā)展，不同功能的微納結構及器件將會得到更多的應用。目前表面功能微納結構及器件，諸如超材料、超表面等充滿“神奇”力量的結構或器件，的發(fā)展仍受到微納加工技術的限制。因此，研究功能微納結構及器件需要從微納結構的加工技術方面進行廣深入的研究。 微納加工技術的特點：微型化！

      在微納加工過程中，薄膜的形成方法主要為物理沉積、化學沉積和混合方法沉積。蒸發(fā)沉積（熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)）和濺射沉積是典型的物理方法，主要用于沉積金屬單質薄膜、合金薄膜、化合物等。熱蒸發(fā)是在高真空下，利用電阻加熱至材料的熔化溫度，使其蒸發(fā)至基底表面形成薄膜，而電子束蒸發(fā)為使用電子束加熱；磁控濺射在高真空，在電場的作用下，Ar氣被電離為Ar離子高能量轟擊靶材，使靶材發(fā)生濺射并沉積于基底；磁控濺射方法沉積的薄膜純度高、致密性好，熱蒸發(fā)主要用于沉積低熔點金屬薄膜或者厚膜；化學氣相沉積（CVD）是典型的化學方法而等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）是物理與化學相結合的混合方法，CVD和PECVD主要用于生長氮化硅、氧化硅等介質膜。微納制造技術研發(fā)和應用標志著人類可以在微、納米尺度認識和改造世界。肇慶微納加工價目

微納加工涉及領域廣、多學科交叉融合，其較主要的發(fā)展方向是微納器件與系統(tǒng)（MEMS）！鞍山量子微納加工

    濺射鍍膜有兩種方式：一種稱為離子束濺射，指真空狀態(tài)下用離子束轟擊靶表面，使濺射出的粒子在基體表面成膜，該工藝較為昂貴，主要用于制取特殊的薄膜；另一種稱為陰極濺射，主要利用低壓氣體放電現(xiàn)象，使處于等離子狀態(tài)下的離子轟擊靶面，濺射出的粒子沉積在基體上。它采用平行板電極結構，膜料物質做成的大面積靶為陰極，支持基體的基板為陽極，安裝于鐘罩式真空容器內(nèi)。為減少污染，先將鐘罩內(nèi)的壓強抽到小于10-3~10-4Pa，然后充入Ar氣，使壓強維持在1~10Pa。在兩極之間加數(shù)千伏的電壓進行濺射鍍膜。與蒸發(fā)鍍膜相比，濺射鍍膜時靶材（膜料）無相變，化合物成分穩(wěn)定，合金不易分餾，因此適合制備的膜材非常廣。由于濺射沉積到襯底上的粒子能量比蒸發(fā)時的能量高50倍，它們對襯底有清洗和升溫作用，所以形成的薄膜附著力大。特別是濺射鍍膜容易控制膜的成分，通過直接濺射或者反應濺射，可以制備大面積均勻的各種合金膜、化合物膜、多層膜和復合膜。濺射鍍膜易實現(xiàn)連續(xù)化、自動化作業(yè)和規(guī)?；a(chǎn)。但是，由于濺射時要使用高電壓和氣體，所以裝置比較復雜，薄膜易受濺射氣氛的影響，薄膜沉積速率也較低。此外，濺射鍍膜需要事先制備各種成分的靶，裝卸靶不太方便。 鞍山量子微納加工

廣東省科學院半導體研究所主營品牌有芯辰實驗室,微納加工，發(fā)展規(guī)模團隊不斷壯大，該公司服務型的公司。公司是一家****企業(yè)，以誠信務實的創(chuàng)業(yè)精神、專業(yè)的管理團隊、踏實的職工隊伍，努力為廣大用戶提供***的產(chǎn)品。公司擁有專業(yè)的技術團隊，具有微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務等多項業(yè)務。廣東省半導體所將以真誠的服務、創(chuàng)新的理念、***的產(chǎn)品，為彼此贏得全新的未來！