隨著工業(yè)的需求和表面技術的發(fā)展，新型磁控濺射如高速濺射、自濺射等成為磁控濺射領域新的發(fā)展趨勢。高速濺射能夠得到大約幾個μm/min的高速率沉積，可以縮短濺射鍍膜的時間，提高工業(yè)生產(chǎn)的效率；有可能替代對環(huán)境有污染的電鍍工藝。當濺射率非常高，以至于在完全沒有惰性氣體的情況下也能維持放電，即是只用離化的被濺射材料的蒸汽來維持放電，這種磁控濺射被稱為自濺射。被濺射材料的離子化以及減少甚至取消惰性氣體，會明顯地影響薄膜形成的機制，加強沉積薄膜過程中合金化和化合物形成中的化學反應。由此可能制備出新的薄膜材料，發(fā)展新的濺射技術，例如在深孔底部自濺射沉積薄膜。高速率磁控濺射的一個固有的性質(zhì)是產(chǎn)生大量的濺射粒子而獲得高的薄膜沉積速率。遼寧磁控濺射分類

真空磁控濺射鍍膜技術的特點：1、沉積速率大：由于采用高速磁控電極，可獲得的離子流很大，有效提高了此工藝鍍膜過程的沉積速率和濺射速率。與其它濺射鍍膜工藝相比，磁控濺射的產(chǎn)能高、產(chǎn)量大、于各類工業(yè)生產(chǎn)中得到普遍應用。2、功率效率高：磁控濺射靶一般選擇200V-1000V范圍之內(nèi)的電壓，通常為600V，因為600V的電壓剛好處在功率效率的較高有效范圍之內(nèi)。3、濺射能量低：磁控靶電壓施加較低，磁場將等離子體約束在陰極附近，可防止較高能量的帶電粒子入射到基材上。上海射頻磁控濺射優(yōu)點磁控濺射涂層有很好的牢固性，濺射薄膜與基板，機械強度得到了改善，更好的附著力。

PVD技術常用的方法：PVD基本方法：真空蒸發(fā)、濺射、離子鍍，以下介紹幾種常用的方法。電子束蒸發(fā)：電子束蒸發(fā)是利用聚焦成束的電子束來加熱蒸發(fā)源，使其蒸發(fā)并沉積在基片表面而形成薄膜。特征：真空環(huán)境；蒸發(fā)源材料需加熱熔化；基底材料也在較高溫度中；用磁場控制蒸發(fā)的氣體，從而控制生成鍍膜的厚度。濺射沉積：濺射是與氣體輝光放電相聯(lián)系的一種薄膜沉積技術。濺射的方法很多，有直流濺射、RF濺射和反應濺射等，而用得較多的是磁控濺射、中頻濺射、直流濺射、RF濺射和離子束濺射。

磁控濺射生成的薄膜厚度的均勻性是成膜性質(zhì)的一項重要指標，因此有必要研究影響磁控濺射均勻性的因素，以更好的實現(xiàn)磁控濺射均勻鍍膜。簡單的說磁控濺射就是在正交的電磁場中，閉合的磁場束縛電子圍繞靶面做螺線運動，在運動過程中不斷撞擊工作氣體氬氣電離出大量的氬離子，氬離子在電場作用下加速轟擊靶材，濺射出呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。所以要實現(xiàn)均勻的鍍膜，就需要均勻的濺射出靶原子（或分子），這就要求轟擊靶材的氬離子是均勻的且是均勻的轟擊的。由于氬離子在電場作用下加速轟擊靶材，所以均勻轟擊很大程度上依賴電場的均勻。不同的金屬、合金、氧化物能夠進行混合，同時濺射于基材上。

真空磁控濺射技術：真空磁控濺射技術是指一種利用陰極表面配合的磁場形成電子陷阱，使在E×B的作用下電子緊貼陰極表面飄移。設置一個與靶面電場正交的磁場，濺射時產(chǎn)生的快電子在正交的電磁場中作近似擺線運動，增加了電子行程，提高了氣體的離化率，同時高能量粒子與氣體碰撞后失去能量，基體溫度較低，在不耐溫材料上可以完成鍍膜。這種技術是玻璃膜技術中的較較好技術，是由航天工業(yè)、兵器工業(yè)、和核工業(yè)三個方面相結合的較好技術的民用化，民用主要是通過這種技術達到節(jié)能、環(huán)保等作用。射頻濺射采用射頻光放電，磁控濺射采用環(huán)磁場控制的光放電。天津平衡磁控濺射用處

基板有低溫性，相對于二級濺射和熱蒸發(fā)來說，磁控濺射加熱少。遼寧磁控濺射分類

磁控濺射鍍膜注意事項：1、輻射：有些鍍膜要用到射頻電源，如功率大，需做好屏蔽處理。另外，歐洲標準在單室鍍膜機門框四周嵌裝金屬線屏蔽輻射；2、金屬污染：鍍膜材料有些對人體有害的，特別要注意真空室清理過程中出現(xiàn)的粉塵污染；3、噪音污染：如特別是一些大的鍍膜設備，機械真空泵噪音很大，可以把泵隔離在墻外；4、光污染：離子鍍膜過程中，氣體電離發(fā)出強光，不宜透過觀察窗久看。適用范圍：1、建材及民用工業(yè)中。2、在鋁合金制品裝飾中的應用。3、高級產(chǎn)品零/部件表面的裝飾鍍中的應用。4、在不銹鋼刀片涂層技術中的應用。5、在玻璃深加工產(chǎn)業(yè)中的應用。遼寧磁控濺射分類

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