正膠光刻的基本流程：襯底清洗、前烘以及預(yù)處理，涂膠、軟烘、曝光、顯影、圖形檢查，后烘。負(fù)膠光刻的基本流程：襯底清洗、前烘以及預(yù)處理、涂膠、軟烘、曝光、后烘、顯影、圖形檢查。正膠曝光前，光刻膠不溶于顯影液，曝光后，曝光區(qū)溶于顯影液，圖形與掩膜版圖形相同；而負(fù)性光刻膠，曝光前光刻膠可溶于顯影液，曝光后，被曝光區(qū)不溶于顯影液，圖形與掩膜版圖形相同。光刻可能會(huì)出現(xiàn)顯影不干凈的異常，主要原因可能是顯影時(shí)間不足、顯影溶液使用周期過(guò)長(zhǎng)，溶液溶解膠量較多、曝光時(shí)間不足，主要的解決方法有增加顯影時(shí)間、更換新的顯影液，增強(qiáng)溶液溶解能力、增加曝光時(shí)間。光刻是將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移到涂有光致抗蝕劑（或稱(chēng)光刻膠）的襯底上。佛山光刻工藝

顯影液：正性光刻膠的顯影液。正膠的顯影液位堿性水溶液。KOH和NaOH因?yàn)闀?huì)帶來(lái)可動(dòng)離子污染（MIC，MovableIonContamination），所以在IC制造中一般不用。較普通的正膠顯影液是四甲基氫氧化銨（TMAH）（標(biāo)準(zhǔn)當(dāng)量濃度為0.26，溫度15～25C）。在I線(xiàn)光刻膠曝光中會(huì)生成羧酸，TMAH顯影液中的堿與酸中和使曝光的光刻膠溶解于顯影液，而未曝光的光刻膠沒(méi)有影響；在化學(xué)放大光刻膠（CAR，ChemicalAmplifiedResist）中包含的酚醛樹(shù)脂以PHS形式存在。CAR中的PAG產(chǎn)生的酸會(huì)去除PHS中的保護(hù)基團(tuán)（t-BOC），從而使PHS快速溶解于TMAH顯影液中。佛山光刻工藝接觸式曝光具有分辨率高、復(fù)印面積大、復(fù)印精度好、曝光設(shè)備簡(jiǎn)單、操作方便和生產(chǎn)效率高等特點(diǎn)。

不同波長(zhǎng)的光刻光源要求截然不同的光刻設(shè)備和光刻膠材料。在20世紀(jì)80年代，半導(dǎo)體制成的主流工藝尺寸在1.2um(1200nm)至0.8um(800nm)之間。那時(shí)候波長(zhǎng)436nm的光刻光源被普遍使用。在90年代前半期，隨著半導(dǎo)體制程工藝尺寸朝0.5um（500nm）和0.35um（350nm）演進(jìn)，光刻開(kāi)始采用365nm波長(zhǎng)光源。436nm和365nm光源分別是高壓汞燈中能量較高，波長(zhǎng)較短的兩個(gè)譜線(xiàn)。高壓汞燈技術(shù)成熟，因此較早被用來(lái)當(dāng)作光刻光源。使用波長(zhǎng)短，能量高的光源進(jìn)行光刻工藝更容易激發(fā)光化學(xué)反應(yīng)、提高光刻分別率。

光刻（Photolithography)是一種圖形轉(zhuǎn)移的方法，在微納加工當(dāng)中不可或缺的技術(shù)。光刻是一個(gè)比較大的概念，其實(shí)它是有多步工序所組成的。1.清洗：清洗襯底表面的有機(jī)物。2.旋涂：將光刻膠旋涂在襯底表面。3.曝光。將光刻版與襯底對(duì)準(zhǔn)，在紫外光下曝光一定的時(shí)間。4.顯影：將曝光后的襯底在顯影液下顯影一定的時(shí)間，受過(guò)紫外線(xiàn)曝光的地方會(huì)溶解在顯影液當(dāng)中。5.后烘。將顯影后的襯底放置熱板上后烘，以增強(qiáng)光刻膠與襯底之前的粘附力。光刻是將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移到涂有光致抗蝕劑（或稱(chēng)光刻膠）的襯底上，通過(guò)一系列生產(chǎn)步驟將硅片表面薄膜的特定部分除去的一種圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)。光刻技術(shù)是借用照相技術(shù)、平板印刷技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的半導(dǎo)體關(guān)鍵工藝技術(shù)。光刻膠若性能不達(dá)標(biāo)會(huì)對(duì)芯片成品率造成重大影響。

光聚合型光刻膠采用烯類(lèi)單體，在光作用下生成自由基，進(jìn)一步引發(fā)單體聚合，較后生成聚合物；光分解型光刻膠，采用含有重氮醌類(lèi)化合物(DQN)材料作為感光劑，其經(jīng)光照后,發(fā)生光分解反應(yīng)，可以制成正性光刻膠；光交聯(lián)型光刻膠采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下，形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，而起到抗蝕作用，可以制成負(fù)性光刻膠。動(dòng)態(tài)噴灑法：隨著硅片尺寸越來(lái)越大，靜態(tài)涂膠已經(jīng)不能滿(mǎn)足較新的硅片加工需求。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。每顆芯片誕生之初，都要經(jīng)過(guò)光刻機(jī)的雕刻，精度要達(dá)到頭發(fā)絲的千分之一。甘肅低線(xiàn)寬光刻

常用的光刻機(jī)是掩模對(duì)準(zhǔn)光刻，所以它被稱(chēng)為掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)。佛山光刻工藝

光刻膠是光刻工藝的中心材料：光刻膠又稱(chēng)光致抗蝕劑，它是指由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑三種主要成分構(gòu)成的對(duì)光敏感的混合液體。在紫外光、電子束、離子束、X 射線(xiàn)等輻射的作用下，其感光樹(shù)脂的溶解度及親和性由于光固化反應(yīng)而發(fā)生變化，經(jīng)適當(dāng)溶劑處理，溶去可溶部分可獲得所需圖像。生產(chǎn)光刻膠的原料包括光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑）、光刻膠樹(shù)脂、單體及其他助劑等。光刻膠作為光刻曝光的中心材料，其分辨率是光刻膠實(shí)現(xiàn)器件的關(guān)鍵尺寸（如器件線(xiàn)寬）的衡量值，光刻膠分辨率越高形成的圖形關(guān)鍵尺寸越小。對(duì)比度是指光刻膠從曝光區(qū)到非曝光區(qū)過(guò)渡的陡度，對(duì)比度越高，形成圖形的側(cè)壁越陡峭，圖形完成度更好。佛山光刻工藝