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浙江多層磁控濺射工藝

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-04-20

真空磁控濺射鍍膜技術(shù)的特點(diǎn):1、沉積速率大。由于采用高速磁控電極,可獲得的離子流很大,有效提高了此工藝鍍膜過程的沉積速率和濺射速率。與其它濺射鍍膜工藝相比,磁控濺射的產(chǎn)能高、產(chǎn)量大、于各類工業(yè)生產(chǎn)中得到普遍應(yīng)用。2、功率效率高。磁控濺射靶一般選擇200V-1000V范圍之內(nèi)的電壓,通常為600V,因?yàn)?00V的電壓剛好處在功率效率的較高有效范圍之內(nèi)。3、濺射能量低。磁控靶電壓施加較低,磁場將等離子體約束在陰極附近,可防止較高能量的帶電粒子入射到基材上。磁控濺射解決了二極濺射沉積速率低,等離子體離化率低等問題。浙江多層磁控濺射工藝

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真空磁控濺射為什么必須在真空環(huán)境?濺射過程是通過電能,使氣體的離子轟擊靶材,就像磚頭砸土墻,土墻的部分原子濺射出來,落在所要鍍膜的基體上的過程。如果氣體太多,氣體離子在運(yùn)行到靶材的過程中,很容易跟路程中的其他氣體離子或分子碰撞,這樣就不能加速,也濺射不出靶材原子來。所以需要真空狀態(tài)。而如果氣體太少,氣體分子不能成為離子,沒有很多可以轟擊靶材,所以也不行。只能選擇中間值,有足夠的氣體離子可以轟擊靶材,而在轟擊過程中,不至于因?yàn)闅怏w太多而相互碰撞致使失去太多的能量的氣體量,所以必須在較為恒定的真空狀態(tài)下。此狀態(tài)根據(jù)氣體分子直徑和分子自由程計(jì)算。一般在0.2-0.5Pa之間。深圳智能磁控濺射步驟濺射所獲得的薄膜純度高、致密度好、成膜均勻性好。

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磁控濺射設(shè)備的主要用途有哪些呢?1、被應(yīng)用于裝飾領(lǐng)域,被制成全反射及半透明膜,比如我們常用常換常買的手機(jī)殼,沒想到吧;2、被應(yīng)用于機(jī)械加工行業(yè)中提高涂層產(chǎn)品的壽命壽命。因?yàn)闉R射磁控鍍膜能夠有效提高表面硬度、韌性、耐磨抗損以及耐化學(xué)侵蝕、耐高溫,從而達(dá)到提高產(chǎn)品壽命的作用;3、被應(yīng)用于微電子領(lǐng)域。在微電子領(lǐng)域作為一種非熱式鍍膜技術(shù),主要應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積(CVD)或金屬有機(jī);4、被應(yīng)用于在高溫超導(dǎo)薄膜、鐵電體薄膜、薄膜發(fā)光材料、太陽能電池等方面的研究,發(fā)揮了非常重大且重要的作用。

磁控濺射的工藝研究:1、磁場。用來捕獲二次電子的磁場必須在整個(gè)靶面上保持一致,而且磁場強(qiáng)度應(yīng)當(dāng)合適。磁場不均勻就會(huì)產(chǎn)生不均勻的膜層。磁場強(qiáng)度如果不適當(dāng),那么即使磁場強(qiáng)度一致也會(huì)導(dǎo)致膜層沉積速率低下,而且可能在螺栓頭處發(fā)生濺射。這就會(huì)使膜層受到污染。如果磁場強(qiáng)度過高,可能在開始的時(shí)候沉積速率會(huì)非常高,但是由于刻蝕區(qū)的關(guān)系,這個(gè)速率會(huì)迅速下降到一個(gè)非常低的水平。同樣,這個(gè)刻蝕區(qū)也會(huì)造成靶的利用率比較低。2、可變參數(shù)。在濺射過程中,通過改變改變這些參數(shù)可以進(jìn)行工藝的動(dòng)態(tài)控制。這些可變參數(shù)包括:功率、速度、氣體的種類和壓強(qiáng)。磁控濺射鍍膜產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn):可以沉積合金和化合物的薄膜,同時(shí)保持與原始材料相似的組成。

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磁控濺射的工藝研究:1、傳動(dòng)速度。玻璃基片在陰極下的移動(dòng)是通過傳動(dòng)來進(jìn)行的。低傳動(dòng)速度使玻璃在陰極范圍內(nèi)經(jīng)過的時(shí)間更長,這樣就可以沉積出更厚的膜層。不過,為了保證膜層的均勻性,傳動(dòng)速度必須保持恒定。鍍膜區(qū)內(nèi)一般的傳動(dòng)速度范圍為每分鐘0~600英寸之間。根據(jù)鍍膜材料、功率、陰極的數(shù)量以及膜層的種類的不同,通常的運(yùn)行范圍是每分鐘90~400英寸之間。2、距離與速度及附著力。為了得到較大的沉積速率并提高膜層的附著力,在保證不會(huì)破壞輝光放電自身的前提下,基片應(yīng)當(dāng)盡可能放置在離陰極較近的地方。濺射粒子和氣體分子的平均自由程也會(huì)在其中發(fā)揮作用。當(dāng)增加基片與陰極之間的距離,碰撞的幾率也會(huì)增加,這樣濺射粒子到達(dá)基片時(shí)所具有的能力就會(huì)減少。所以,為了得到較大的沉積速率和較好的附著力,基片必須盡可能地放置在靠近陰極的位置上。這提高了薄膜工藝的效率,使它們能夠在較低的壓力下更快地生長。廣東智能磁控濺射分類

磁控陰極按照磁場位形分布不同,大致可分為平衡態(tài)磁控陰極和非平衡態(tài)磁控陰極。浙江多層磁控濺射工藝

磁控濺射是以磁場束縛和延長電子的運(yùn)動(dòng)路徑,改變電子的運(yùn)動(dòng)方向,提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。電子的歸宿不只是基片,真空室內(nèi)壁及靶源陽極也是電子歸宿。但一般基片與真空室及陽極在同一電勢。磁場與電場的交互作用使單個(gè)電子軌跡呈三維螺旋狀,而不是只在靶面圓周運(yùn)動(dòng)。至于靶面圓周型的濺射輪廓,那是靶源磁場磁力線呈圓周形狀分布。磁力線分布方向不同會(huì)對(duì)成膜有很大關(guān)系。在EXBshift機(jī)理下工作的除磁控濺射外,還有多弧鍍靶源,離子源,等離子源等都在此原理下工作。所不同的是電場方向,電壓電流大小等因素。浙江多層磁控濺射工藝

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是國內(nèi)一家多年來專注從事微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)的老牌企業(yè)。公司位于長興路363號(hào),成立于2016-04-07。公司的產(chǎn)品營銷網(wǎng)絡(luò)遍布國內(nèi)各大市場。公司業(yè)務(wù)不斷豐富,主要經(jīng)營的業(yè)務(wù)包括:微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等多系列產(chǎn)品和服務(wù)??梢愿鶕?jù)客戶需求開發(fā)出多種不同功能的產(chǎn)品,深受客戶的好評(píng)。公司與行業(yè)上下游之間建立了長久親密的合作關(guān)系,確保微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)在技術(shù)上與行業(yè)內(nèi)保持同步。產(chǎn)品質(zhì)量按照行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行研發(fā)生產(chǎn),絕不因價(jià)格而放棄質(zhì)量和聲譽(yù)。芯辰實(shí)驗(yàn)室,微納加工秉承著誠信服務(wù)、產(chǎn)品求新的經(jīng)營原則,對(duì)于員工素質(zhì)有嚴(yán)格的把控和要求,為微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)行業(yè)用戶提供完善的售前和售后服務(wù)。