磁控濺射靶材的制備技術(shù)方法按生產(chǎn)工藝可分為熔融鑄造法和粉末冶金法兩大類，在靶材的制備過程中，除嚴(yán)格控制材料的純度、致密度、晶粒度以及結(jié)晶取向之外，對(duì)熱處理工藝條件、后續(xù)成型加工過程亦需要加以嚴(yán)格的控制，以保證靶材的質(zhì)量。磁控濺射靶材的制備方法：1、熔融鑄造法。與粉末冶金法相比，熔融鑄造法生產(chǎn)的靶材產(chǎn)品雜質(zhì)含量低，致密度高。2、粉末冶金法。通常，熔融鑄造法無法實(shí)現(xiàn)難熔金屬濺射靶材的制備，對(duì)于熔點(diǎn)和密度相差較大的兩種或兩種以上的金屬，采用普通的熔融鑄造法，一般也難以獲得成分均勻的合金靶材；對(duì)于無機(jī)非金屬靶材、復(fù)合靶材，熔融鑄造法更是無能為力，而粉末冶金法是解決制備上述靶材技術(shù)難題的較佳途徑。同時(shí)，粉末冶金工藝還具有容易獲得均勻細(xì)晶結(jié)構(gòu)、節(jié)約原材料、生產(chǎn)效率高等優(yōu)點(diǎn)。基板有低溫性，相對(duì)于二級(jí)濺射和熱蒸發(fā)來說，磁控濺射加熱少。浙江單靶磁控濺射流程

磁控濺射是物理的氣相沉積的一種，也是物理的氣相沉積中技術(shù)較為成熟的。磁控濺射的工作原理是電子在電場的作用下，在飛向基材過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出氬正離子和新的電子；新電子飛向基材，氬正離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射；在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基材上形成薄膜。磁控濺射技術(shù)制備的薄膜具有硬度高、強(qiáng)度大、耐磨性好、摩擦系數(shù)低、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。磁控濺射鍍膜工藝過程簡單，對(duì)環(huán)境無污染，耗材少，成膜均勻致密，與基材的結(jié)合力強(qiáng)。這種技術(shù)廣泛應(yīng)用于航空航天、電子、光學(xué)、機(jī)械、建筑、輕工、冶金、材料等領(lǐng)域，是太陽選擇性吸收涂層更理想的制備方法。浙江單靶磁控濺射流程真空磁控濺射涂層技術(shù)與真空蒸發(fā)涂層技術(shù)相比有許多優(yōu)點(diǎn)。

真空磁控濺射鍍膜技術(shù)的特點(diǎn)：1、沉積速率大。由于采用高速磁控電極，可獲得的離子流很大，有效提高了此工藝鍍膜過程的沉積速率和濺射速率。與其它濺射鍍膜工藝相比，磁控濺射的產(chǎn)能高、產(chǎn)量大、于各類工業(yè)生產(chǎn)中得到普遍應(yīng)用。2、功率效率高。磁控濺射靶一般選擇200V-1000V范圍之內(nèi)的電壓，通常為600V，因?yàn)?00V的電壓剛好處在功率效率的較高有效范圍之內(nèi)。3、濺射能量低。磁控靶電壓施加較低，磁場將等離子體約束在陰極附近，可防止較高能量的帶電粒子入射到基材上。

磁控濺射是一種涉及氣態(tài)等離子體的沉積技術(shù)，該等離子氣體被生成并限制在一個(gè)包含要沉積的材料的空間內(nèi)，濺射靶材的表面被等離子體中的高能離子侵蝕，釋放出的原子穿過真空環(huán)境并沉積在基板上以形成薄膜。磁控濺射鍍膜的產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)：1、幾乎所有材料都可以通過磁控濺射沉積，而不論其熔化溫度如何；2、可以根據(jù)基材和涂層的要求縮放光源并將其放置在腔室中的任何位置；3、可以沉積合金和化合物的薄膜，同時(shí)保持與原始材料相似的組成。磁控濺射鍍膜的適用范圍：1、建材及民用工業(yè)中；2、在鋁合金制品裝飾中的應(yīng)用；3、高級(jí)產(chǎn)品零/部件表面的裝飾鍍中的應(yīng)用；4、在不銹鋼刀片涂層技術(shù)中的應(yīng)用；5、在玻璃深加工產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用。脈沖磁控濺射是采用矩形波電壓的脈沖電源代替?zhèn)鹘y(tǒng)直流電源進(jìn)行磁控濺射沉積。

磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應(yīng)用對(duì)象。但有一共同點(diǎn)：利用磁場與電場交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運(yùn)行，從而增大電子撞擊氬氣產(chǎn)生離子的概率。所產(chǎn)生的離子在電場作用下撞向靶面從而濺射出靶材。靶源分平衡式和非平衡式，平衡式靶源鍍膜均勻，非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結(jié)合力強(qiáng)。平衡靶源多用于半導(dǎo)體光學(xué)膜，非平衡多用于磨損裝飾膜。磁控陰極按照磁場位形分布不同，大致可分為平衡態(tài)磁控陰極和非平衡態(tài)磁控陰極。平衡態(tài)磁控陰極內(nèi)外磁鋼的磁通量大致相等，兩極磁力線閉合于靶面，很好地將電子/等離子體約束在靶面附近，增加了碰撞幾率，提高了離化效率，因而在較低的工作氣壓和電壓下就能起輝并維持輝光放電，靶材利用率相對(duì)較高。但由于電子沿磁力線運(yùn)動(dòng)主要閉合于靶面，基片區(qū)域所受離子轟擊較小。非平衡磁控濺射技術(shù)，即讓磁控陰極外磁極磁通大于內(nèi)磁極，兩極磁力線在靶面不完全閉合，部分磁力線可沿靶的邊緣延伸到基片區(qū)域，從而部分電子可以沿著磁力線擴(kuò)展到基片，增加基片區(qū)域的等離子體密度和氣體電離率。磁控濺射的原理是電子在電場的作用下，在飛向基材過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出氬正離子和新的電子。深圳真空磁控濺射優(yōu)點(diǎn)

磁控濺射技術(shù)廣泛應(yīng)用于航空航天、電子、光學(xué)、機(jī)械、建筑、輕工、冶金、材料等領(lǐng)域。浙江單靶磁控濺射流程

磁控濺射靶材的應(yīng)用領(lǐng)域如下：眾所周知，靶材材料的技術(shù)發(fā)展趨勢與下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的薄膜技術(shù)發(fā)展趨勢息息相關(guān)，隨著應(yīng)用產(chǎn)業(yè)在薄膜產(chǎn)品或元件上的技術(shù)改進(jìn)，靶材技術(shù)也應(yīng)隨之變化。如Ic制造商．近段時(shí)間致力于低電阻率銅布線的開發(fā)，預(yù)計(jì)未來幾年將大幅度取代原來的鋁膜，這樣銅靶及其所需阻擋層靶材的開發(fā)將刻不容緩。另外，近年來平面顯示器大幅度取代原以陰極射線管為主的電腦顯示器及電視機(jī)市場。亦將大幅增加ITO靶材的技術(shù)與市場需求。此外在存儲(chǔ)技術(shù)方面。高密度、大容量硬盤，高密度的可擦寫光盤的需求持續(xù)增加．這些均導(dǎo)致應(yīng)用產(chǎn)業(yè)對(duì)靶材的需求發(fā)生變化。浙江單靶磁控濺射流程

廣東省半導(dǎo)體所，2016-04-07正式啟動(dòng)，成立了微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等幾大市場布局，應(yīng)對(duì)行業(yè)變化，順應(yīng)市場趨勢發(fā)展，在創(chuàng)新中尋求突破，進(jìn)而提升芯辰實(shí)驗(yàn)室,微納加工的市場競爭力，把握市場機(jī)遇，推動(dòng)電子元器件產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步。業(yè)務(wù)涵蓋了微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等諸多領(lǐng)域，尤其微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)中具有強(qiáng)勁優(yōu)勢，完成了一大批具特色和時(shí)代特征的電子元器件項(xiàng)目；同時(shí)在設(shè)計(jì)原創(chuàng)、科技創(chuàng)新、標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范等方面推動(dòng)行業(yè)發(fā)展。我們?cè)诎l(fā)展業(yè)務(wù)的同時(shí)，進(jìn)一步推動(dòng)了品牌價(jià)值完善。隨著業(yè)務(wù)能力的增長，以及品牌價(jià)值的提升，也逐漸形成電子元器件綜合一體化能力。值得一提的是，廣東省半導(dǎo)體所致力于為用戶帶去更為定向、專業(yè)的電子元器件一體化解決方案，在有效降低用戶成本的同時(shí)，更能憑借科學(xué)的技術(shù)讓用戶極大限度地挖掘芯辰實(shí)驗(yàn)室,微納加工的應(yīng)用潛能。