所謂的原子層沉積技術(shù)，是指通過(guò)將氣相前驅(qū)體交替脈沖通入反應(yīng)室并在沉積基體表面發(fā)生氣固相化學(xué)吸附反應(yīng)形成薄膜的一種方法。原子層沉積（ALD）是一種在氣相中使用連續(xù)化學(xué)反應(yīng)的薄膜形成技術(shù)?；瘜W(xué)氣相沉積：1個(gè)是分類的（CVD的化學(xué)氣相沉積）。在許多情況下，ALD是使用兩種稱為前體的化學(xué)物質(zhì)執(zhí)行的。每種前體以連續(xù)和自我控制的方式與物體表面反應(yīng)。通過(guò)依次重復(fù)對(duì)每個(gè)前體的曝光來(lái)逐漸形成薄膜。ALD是半導(dǎo)體器件制造中的重要過(guò)程，部分設(shè)備也可用于納米材料合成。真空濺鍍通常指的是磁控濺鍍，屬于高速低溫濺鍍法。金屬真空鍍膜加工

磁控濺射可改變工作氣體與氬氣比例從而進(jìn)行反應(yīng)濺射，例如使用Si靶材，通入一定比例的N2，氬氣作為工作氣體，而氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體，反應(yīng)能得到SiNx薄膜。通入氧氣與氮?dú)鈴亩@得各種材料的氧化物與氮化物薄膜，通過(guò)改變反應(yīng)氣體與工作氣體的比例也能對(duì)濺射速率進(jìn)行調(diào)整，薄膜內(nèi)組分也能相應(yīng)調(diào)整。但反應(yīng)氣體過(guò)量時(shí)可能會(huì)造成靶中毒。解決靶中毒主要有以下幾種方法;1.使用射頻電源進(jìn)行濺射；2.采用閉環(huán)控制反應(yīng)氣體通入流量；3.使用孿生靶交替濺射；4.控制鍍膜模式的變換：在鍍膜前，采集靶中毒的遲滯效應(yīng)曲線，使進(jìn)氣流量控制在產(chǎn)生靶中毒的前沿，確保工藝過(guò)程始終處于沉積速率陡降前的模式。東莞功率器件真空鍍膜蒸發(fā)物質(zhì)的原子或分子以冷凝方式沉積在基片表面。

真空鍍膜：等離子體鍍膜：每個(gè)弧斑存在極短時(shí)間，爆發(fā)性地蒸發(fā)離化陰極改正點(diǎn)處的鍍料，蒸發(fā)離化后的金屬離子，在陰極表面也會(huì)產(chǎn)生新的弧斑，許多弧斑不斷產(chǎn)生和消失，所以又稱多弧蒸發(fā)。較早設(shè)計(jì)的等離子體加速器型多弧蒸發(fā)離化源，是在陰極背后配置磁場(chǎng)，使蒸發(fā)后的離子獲得霍爾(Hall)加速對(duì)應(yīng)效應(yīng)，有利于離子增大能量轟擊量體，采用這種電弧蒸發(fā)離化源鍍膜，離化率較高，所以又稱為電弧等離子體鍍膜。由于等離子體鍍膜常產(chǎn)生多弧斑，所以也稱多弧蒸發(fā)離化過(guò)程。

真空鍍膜技術(shù)與濕式鍍膜技術(shù)相比較，具有下列優(yōu)點(diǎn)：薄膜和基體選材普遍，薄膜厚度可進(jìn)行控制，以制備具有各種不同功能的功能性薄膜。在真空條件下制備薄膜，環(huán)境清潔，薄膜不易受到污染，因此可獲得致密性好、純度高和涂層均勻的薄膜。薄膜與基體結(jié)合強(qiáng)度好，薄膜牢固。干式鍍膜既不產(chǎn)生廢液，也無(wú)環(huán)境污染。真空鍍膜技術(shù)主要有真空蒸發(fā)鍍、真空濺射鍍、真空離子鍍、真空束流沉積、化學(xué)氣相沉積等多種方法。除化學(xué)氣相沉積法外，其他幾種方法均具有以下的共同特點(diǎn)：各種鍍膜技術(shù)都需要一個(gè)特定的真空環(huán)境，以保證制膜材料在加熱蒸發(fā)或?yàn)R射過(guò)程中所形成蒸氣分子的運(yùn)動(dòng)，不致受到大氣中大量氣體分子的碰撞、阻擋和干擾，并消除大氣中雜質(zhì)的不良影響。真空鍍膜機(jī)的優(yōu)點(diǎn):其封口性能好，尤其包裝粉末狀產(chǎn)品時(shí)，不會(huì)污染封口部分，保證了包裝的密封性能。

真空鍍膜技術(shù)在國(guó)民經(jīng)濟(jì)各個(gè)領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用，特別是近幾年來(lái)，我國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)的迅速發(fā)展、人民生活水平的不斷提高和高科技薄膜產(chǎn)品的不斷涌現(xiàn)。尤其是在電子材料與元器件工業(yè)領(lǐng)域中占有極其重要的地位。制膜方法可以分為氣相生成法、氧化法、離子注人法、擴(kuò)散法、電鍍法、涂布法、液相生長(zhǎng)法等。氣相生成法又可以分為物理沉積法化學(xué)沉積法和放電聚合法等。本次實(shí)驗(yàn)是使用物理沉積法，由于這種方法基本上都是處于真空環(huán)境下進(jìn)行的，因此稱它們?yōu)檎婵斟兡ぜ夹g(shù)。真空蒸發(fā)、濺射鍍膜和離子鍍等通常稱為物理沉積法，是基本的薄膜制備技術(shù)。真空蒸發(fā)鍍膜法是在真空室中，加熱蒸發(fā)容器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子從表面氣化逸出，形成蒸氣流，入射到基片表面，凝結(jié)形成固態(tài)薄膜的方法。真空鍍膜的操作規(guī)程：酸洗夾具應(yīng)在通風(fēng)裝置內(nèi)進(jìn)行，并要戴橡皮手套。金屬真空鍍膜加工

真空鍍膜技術(shù)四五十年代開始出現(xiàn)工業(yè)應(yīng)用。金屬真空鍍膜加工

利用PECVD生長(zhǎng)的氧化硅薄膜具有以下優(yōu)點(diǎn)：1.均勻性和重復(fù)性好，可大面積成膜，適合批量生長(zhǎng)2.可在低溫下成膜，對(duì)基底要求比較低3.臺(tái)階覆蓋性比較好 4.薄膜成分和厚度容易控制，生長(zhǎng)方法階段 5.應(yīng)用范圍廣，設(shè)備簡(jiǎn)單，易于產(chǎn)業(yè)化。評(píng)價(jià)氧化硅薄膜的質(zhì)量，簡(jiǎn)單的方法是采用BOE腐蝕氧化硅薄膜，腐蝕速率越慢，薄膜質(zhì)量越致密，反之，腐蝕速率越快，薄膜質(zhì)量越差。另外，沉積速率的快慢也會(huì)影響到薄膜的質(zhì)量，沉積速率過(guò)快，會(huì)導(dǎo)致氧化硅薄膜速率過(guò)快，說(shuō)明薄膜質(zhì)量比較差。金屬真空鍍膜加工

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所成立于2016-04-07，位于長(zhǎng)興路363號(hào)，公司自成立以來(lái)通過(guò)規(guī)范化運(yùn)營(yíng)和高質(zhì)量服務(wù)，贏得了客戶及社會(huì)的一致認(rèn)可和好評(píng)。公司主要產(chǎn)品有微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等，公司工程技術(shù)人員、行政管理人員、產(chǎn)品制造及售后服務(wù)人員均有多年行業(yè)經(jīng)驗(yàn)。并與上下游企業(yè)保持密切的合作關(guān)系。芯辰實(shí)驗(yàn)室,微納加工致力于開拓國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，與電子元器件行業(yè)內(nèi)企業(yè)建立長(zhǎng)期穩(wěn)定的伙伴關(guān)系，公司以產(chǎn)品質(zhì)量及良好的售后服務(wù)，獲得客戶及業(yè)內(nèi)的一致好評(píng)。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所本著先做人，后做事，誠(chéng)信為本的態(tài)度，立志于為客戶提供微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)行業(yè)解決方案，節(jié)省客戶成本。歡迎新老客戶來(lái)電咨詢。