微納加工工藝基本分為表面加工體加工兩大塊，基本流程如下：表面加工基本流程如下：首先：沉積系繩層材料；第二步：光刻定義系繩層圖形；第三步：刻蝕完成系繩層圖形轉(zhuǎn)移；第四步：沉積結(jié)構(gòu)材料；第五步：光刻定義結(jié)構(gòu)層圖形；第六步：刻蝕完成結(jié)構(gòu)層圖形轉(zhuǎn)移；第七步：釋放去除系繩層，保留結(jié)構(gòu)層，完成微結(jié)構(gòu)制作；體加工基本流程如下：起先：沉積保護(hù)層材料；第二步：光刻定義保護(hù)圖形；第三步：刻蝕完成保護(hù)層圖形轉(zhuǎn)移；第四步：腐蝕硅襯底，在制作三維立體腔結(jié)構(gòu)；第五步：去除保護(hù)層材料。微納加工技術(shù)的特點(diǎn)：多樣化。邯鄲MENS微納加工

    MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)），是指以微型化、系統(tǒng)化的理論為指導(dǎo)，通過(guò)半導(dǎo)體制造等微納加工手段，形成特征尺度為微納米量級(jí)的系統(tǒng)裝置。相對(duì)于先進(jìn)的集成電路（IC）制造工藝（遵循摩爾定律），MEMS制造工藝不單純追求線寬而注重功能特色化，即利用微納結(jié)構(gòu)或/和敏感材料實(shí)現(xiàn)多種傳感和執(zhí)行功能，工藝節(jié)點(diǎn)通常從500nm到110nm，襯底材料也不局限硅，還包括玻璃、聚合物、金屬等。由MEMS技術(shù)構(gòu)建的產(chǎn)品往往具有體積小、重量輕、功耗低、成本低等優(yōu)點(diǎn)，已廣泛應(yīng)用于汽車(chē)、手機(jī)、工業(yè)、醫(yī)療、**、航空航天等領(lǐng)域。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所微納加工平臺(tái)，面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域，致力于打造的公益性、開(kāi)放性、支撐性樞紐中心。平臺(tái)擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備，建立了一條實(shí)驗(yàn)室研發(fā)線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時(shí)形成了一支與硬件有機(jī)結(jié)合的專業(yè)人才隊(duì)伍。平臺(tái)當(dāng)前緊抓技術(shù)創(chuàng)新和公共服務(wù)，面向國(guó)內(nèi)外高校、科研院所以及企業(yè)提供開(kāi)放共享，為技術(shù)咨詢、創(chuàng)新研發(fā)、技術(shù)驗(yàn)證以及產(chǎn)品中試提供技術(shù)支持。 青島微納加工技術(shù)微納加工平臺(tái)包括光刻、磁控濺射、電子束蒸鍍、濕法腐蝕、干法腐蝕、表面形貌測(cè)量！

    微納加工即是微米級(jí)納米級(jí)單位的加工常常應(yīng)用在材料科學(xué)和芯片設(shè)計(jì)等領(lǐng)域，通俗的講就是把圖形轉(zhuǎn)移到襯底上面去，一般襯底是Si，做微納加工第一步是要做光刻版的。第一步版圖：一般要用CAD，EDA，Matlab，L-edit，potel軟件做圖形第二步制作光刻版：這里比較復(fù)雜我分為三步來(lái)介紹首先我們要了解光刻版的材料和它的結(jié)構(gòu)，光刻版即是掩膜板材質(zhì)只有兩種石英和蘇打（石英的透光率要比蘇打的透光率要好）蘇打和石英上面呢有一層ge金屬（ge金屬不透光）ge金屬上面還有一層光刻膠。第一步：我們要確定我們光刻版的大?。ㄗ⒁夤饪贪嬉纫r底大一個(gè)英寸以便于光刻的時(shí)候光刻版能把襯底全部掩蓋?。┮约靶【€寬和精度（這里直接關(guān)乎到我們制版的時(shí)候會(huì)用到什么設(shè)備）第二步：進(jìn)行光刻我們需要用電子束將光刻版上面的光刻膠進(jìn)行處理就是把圖形用電子束寫(xiě)到光刻版上面去被紫外線照到的地方的光刻膠就會(huì)產(chǎn)生變性在用把光刻膠洗掉這一步也叫去膠。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所微納加工平臺(tái)，面向半導(dǎo)體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領(lǐng)域，致力于打造的公益性、開(kāi)放性、支撐性樞紐中心。平臺(tái)擁有半導(dǎo)體制備工藝所需的整套儀器設(shè)備，建立了一條實(shí)驗(yàn)室研發(fā)線和一條中試線。

       當(dāng)微納加工技術(shù)應(yīng)用到光電子領(lǐng)域，就形成了新興的納米光電子技術(shù)，主要研究納米結(jié)構(gòu)中光與電子相互作用及其能量互換的技術(shù).納米光電子技術(shù)在過(guò)去的十多年里，一方面，以低維結(jié)構(gòu)材料生長(zhǎng)和能帶工程為基礎(chǔ)的納米制造技術(shù)有了長(zhǎng)足的發(fā)展，包括分子束外延(MBE)、金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積(MOCVD)和化學(xué)束外延(CBE)，使得在晶片表面外延生長(zhǎng)方向(直方向)的外延層精度控制到單個(gè)原子層，從而獲得了具有量子尺寸效應(yīng)的半導(dǎo)體材料;另一方面，平面納米加工工藝實(shí)現(xiàn)了納米尺度的光刻和橫向刻蝕，使得人工橫向量子限制的量子線與量子點(diǎn)的制作成為可能.同時(shí)，光子晶體概念的出現(xiàn)，使得納米平面加工工藝廣地應(yīng)用到光介質(zhì)材料折射率周期性的改變中。在我國(guó)，微納制造技術(shù)同樣是重點(diǎn)發(fā)展方向之一。

硅材料在MEMS器件當(dāng)中是很重要的一種材料。在硅材料刻蝕當(dāng)中，應(yīng)用于醫(yī)美方向的硅針刻蝕需要用到各向同性刻蝕，縱向和橫向同時(shí)刻蝕，硅柱的刻蝕需要用到各項(xiàng)異性刻蝕，主要是在垂直方向刻蝕，而橫向盡量少刻蝕。微納加工平臺(tái)主要提供微納加工技術(shù)工藝，包括光刻、磁控濺射、電子束蒸鍍、濕法腐蝕、干法腐蝕、表面形貌測(cè)量等。該平臺(tái)以積極靈活的方式服務(wù)于實(shí)驗(yàn)室的研究課題，并產(chǎn)生高水平的研究成果，促進(jìn)半導(dǎo)體器件的發(fā)展，成為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體器件技術(shù)與學(xué)術(shù)交流和人才培養(yǎng)的重要基地，同時(shí)也為實(shí)驗(yàn)室的學(xué)術(shù)交流、合作研究提供技術(shù)平臺(tái)和便利條件。微納加工平臺(tái)，主要是兩個(gè)方面：微納加工、微納檢測(cè)。安慶微納加工器件

高精度的微細(xì)結(jié)構(gòu)可以通過(guò)電子束直寫(xiě)或激光直寫(xiě)制作！邯鄲MENS微納加工

微納測(cè)試與表征技術(shù)是微納加工技術(shù)的基礎(chǔ)與前提，微納測(cè)試包括在微納器件的設(shè)計(jì)、制造和系統(tǒng)集成過(guò)程中，對(duì)各種參量進(jìn)行微米/納米檢測(cè)的技術(shù)。微米測(cè)量主要服務(wù)于精密制造和微加工技術(shù)，目標(biāo)是獲得微米級(jí)測(cè)量精度，或表征微結(jié)構(gòu)的幾何、機(jī)械及力學(xué)特性；納米測(cè)量則主要服務(wù)于材料工程和納米科學(xué)，特別是納米材料，目標(biāo)是獲得材料的結(jié)構(gòu)、地貌和成分的信息。在半導(dǎo)體領(lǐng)域人們所關(guān)心的與尺寸測(cè)量有關(guān)的參數(shù)主要包括：特征尺寸或線寬、重合度、薄膜的厚度和表面的糙度等等。未來(lái)，微納測(cè)試與表征技術(shù)正朝著從二維到三維、從表面到內(nèi)部、從靜態(tài)到動(dòng)態(tài)、從單參量到多參量耦合、從封裝前到封裝后的方向發(fā)展。探索新的測(cè)量原理、測(cè)試方法和表征技術(shù)，發(fā)展微納加工及制造實(shí)時(shí)在線測(cè)試方法和微納器件質(zhì)量快速檢測(cè)系統(tǒng)已成為了微納測(cè)試與表征的主要發(fā)展趨勢(shì)。邯鄲MENS微納加工

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所成立于2016-04-07，同時(shí)啟動(dòng)了以芯辰實(shí)驗(yàn)室,微納加工為主的微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)產(chǎn)業(yè)布局。是具有一定實(shí)力的電子元器件企業(yè)之一，主要提供微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等領(lǐng)域內(nèi)的產(chǎn)品或服務(wù)。同時(shí)，企業(yè)針對(duì)用戶，在微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等幾大領(lǐng)域，提供更多、更豐富的電子元器件產(chǎn)品，進(jìn)一步為全國(guó)更多單位和企業(yè)提供更具針對(duì)性的電子元器件服務(wù)。廣東省半導(dǎo)體所始終保持在電子元器件領(lǐng)域優(yōu)先的前提下，不斷優(yōu)化業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)。在微納加工技術(shù)服務(wù)，真空鍍膜技術(shù)服務(wù)，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等領(lǐng)域承攬了一大批高精尖項(xiàng)目，積極為更多電子元器件企業(yè)提供服務(wù)。