光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對(duì)光敏感的混合液體。其組成部分包括：光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑）、光刻膠樹(shù)脂、單體、溶劑和其他助劑。光刻膠可以通過(guò)光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等光刻工序?qū)⑺枰奈⒓?xì)圖形從光罩（掩模版）轉(zhuǎn)移到待加工基片上。依據(jù)使用場(chǎng)景，這里的待加工基片可以是集成電路材料，顯示面板材料或者印刷電路板。據(jù)第三方機(jī)構(gòu)智研咨詢統(tǒng)計(jì)，2019年全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)近90億美元，自2010年至今CAGR約5.4%。預(yù)計(jì)該市場(chǎng)未來(lái)3年仍將以年均5%的速度增長(zhǎng)，至2022年全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)100億美元?？梢园压饪碳夹g(shù)擴(kuò)展到32nm以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)。被刻蝕材料主要包括介質(zhì)，安徽氮化硅材料刻蝕外協(xié)、硅和金屬等。江蘇氮化硅材料刻蝕加工

濕法刻蝕是化學(xué)清洗方法中的一種，是化學(xué)清洗在半導(dǎo)體制造行業(yè)中的應(yīng)用，是用化學(xué)方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過(guò)程。其基本目的是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩膜圖形，有圖形的光刻膠層在刻蝕中不受到腐蝕源明顯的侵蝕，這層掩蔽膜用來(lái)在刻蝕中保護(hù)硅片上的特殊區(qū)域而選擇性地刻蝕掉未被光刻膠保護(hù)的區(qū)域。從半導(dǎo)體制造業(yè)一開(kāi)始，濕法刻蝕就與硅片制造聯(lián)系在一起。雖然濕法刻蝕已經(jīng)逐步開(kāi)始被法刻蝕所取代，但它在漂去氧化硅、去除殘留物、表層剝離以及大尺寸圖形刻蝕應(yīng)用等方面仍然起著重要的作用。與干法刻蝕相比，濕法刻蝕的好處在于對(duì)下層材料具有高的選擇比，對(duì)器件不會(huì)帶來(lái)等離子體損傷，并且設(shè)備簡(jiǎn)單。江西MEMS材料刻蝕平臺(tái)刻蝕的工藝所用化學(xué)物質(zhì)取決于要刻蝕的薄膜類型。

干法刻蝕是芯片制造領(lǐng)域較主要的表面材料去除方法，擁有更好的剖面控制。干刻蝕法按作用機(jī)理分為：物理刻蝕、化學(xué)刻蝕和物理化學(xué)綜合作用刻蝕。物理和化學(xué)綜合作用機(jī)理中，離子轟擊的物理過(guò)程可以通過(guò)濺射去除表面材料，具有比較強(qiáng)的方向性。離子轟擊可以改善化學(xué)刻蝕作用，使反應(yīng)元素與硅表面物質(zhì)反應(yīng)效率更高。綜合型干刻蝕法綜合離子濺射與表面反應(yīng)的優(yōu)點(diǎn)，使刻蝕具有較好的選擇比和線寬控制。在集成電路制造過(guò)程中需要多種類型的干法刻蝕工藝，應(yīng)用涉及硅片上各種材料。被刻蝕材料主要包括介質(zhì)，氮化硅材料刻蝕外協(xié)、硅和金屬等，氮化硅材料刻蝕外協(xié)，通過(guò)與光刻、沉積等工藝多次配合可以形成完整的底層電路、柵極，氮化硅材料刻蝕外協(xié)、絕緣層以及金屬通路等?？涛g是用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過(guò)程。

刻蝕工藝：把未被抗蝕劑掩蔽的薄膜層除去，從而在薄膜上得到與抗蝕劑膜上完全相同圖形的工藝。在集成電路制造過(guò)程中，經(jīng)過(guò)掩模套準(zhǔn)、曝光和顯影，在抗蝕劑膜上復(fù)印出所需的圖形，或者用電子束直接描繪在抗蝕劑膜上產(chǎn)生圖形，然后把此圖形精確地轉(zhuǎn)移到抗蝕劑下面的介質(zhì)薄膜（如氧化硅、氮化硅、多晶硅）或金屬薄膜（如鋁及其合金）上去，制造出所需的薄層圖案?？涛g就是用化學(xué)的、物理的或同時(shí)使用化學(xué)和物理的方法，有選擇地把沒(méi)有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜層除去，從而在薄膜上得到和抗蝕劑膜上完全一致的圖形?？涛g技術(shù)主要分為干法刻蝕與濕法刻蝕。干法刻蝕主要利用反應(yīng)氣體與等離子體進(jìn)行刻蝕；濕法刻蝕主要利用化學(xué)試劑與被刻蝕材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行刻蝕。在工藝中可能會(huì)對(duì)一個(gè)薄膜層或多個(gè)薄膜層執(zhí)行特定的刻蝕步驟?？涛g是指用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過(guò)程。

刻蝕技術(shù)（etchingtechnique），刻蝕加工廠商，是在半導(dǎo)體工藝，按照掩模圖形或設(shè)計(jì)要求對(duì)半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù)。刻蝕技術(shù)不只是半導(dǎo)體器件和集成電路的基本制造工藝，而且還應(yīng)用于薄膜電路、印刷電路和其他微細(xì)圖形的加工?？涛g還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。普通的刻蝕過(guò)程大致如下：先在表面涂敷一層光致抗蝕劑，然后透過(guò)掩模對(duì)抗蝕劑層進(jìn)行選擇性曝光，由于抗蝕劑層的已曝光部分和未曝光部分在顯影液中溶解速度不同，經(jīng)過(guò)顯影后在襯底表面留下了抗蝕劑圖形，以此為掩模就可對(duì)襯底表面進(jìn)行選擇性腐蝕。如果襯底表面存在介質(zhì)或金屬層，Si材料刻蝕加工廠商，則選擇腐蝕以后，材料刻蝕加工廠商，圖形就轉(zhuǎn)移到介質(zhì)或金屬層上。一般而言，高蝕速率（在一定時(shí)間內(nèi)去除的材料量）都會(huì)受到歡迎。干法刻蝕優(yōu)點(diǎn)是：易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化。中山Si材料刻蝕加工廠商

干法刻蝕優(yōu)點(diǎn)是：可控性。江蘇氮化硅材料刻蝕加工

在Si片上形成具有垂直側(cè)壁的高深寬比溝槽結(jié)構(gòu)是制備先進(jìn)MEMS器件的關(guān)鍵工藝，其各向異性刻蝕要求非常嚴(yán)格。高深寬比的干法刻蝕技術(shù)以其刻蝕速率快、各向異性較強(qiáng)、污染少等優(yōu)點(diǎn)脫穎而出，成為MEMS器件加工的關(guān)鍵技術(shù)之一。BOSCH工藝,又名TMDE(TimeMultiplexedDeepEtching)工藝，是一個(gè)刻蝕一鈍化一刻蝕的循環(huán)過(guò)程，以達(dá)到對(duì)硅材料進(jìn)行高深寬比、各向異性刻蝕的目的。BOSCH工藝的原理是在反應(yīng)腔室中輪流通入鈍化氣體C4F8與刻蝕氣體SF6與樣品進(jìn)行反應(yīng)，湖北硅材料刻蝕，工藝的整個(gè)過(guò)程是淀積鈍化層步驟與刻蝕步驟的反復(fù)交替，硅材料刻蝕。其中保護(hù)氣體C4F8在高密度等離子體的作用下分解生成碳氟聚合物保護(hù)層，沉積在已經(jīng)做好圖形的樣品表面。深硅刻蝕是MEMS器件制作當(dāng)中一個(gè)比較重要的工藝。江蘇氮化硅材料刻蝕加工