基片溫度對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)有較大影響，基片溫度高，使吸附原子的動(dòng)能增大，跨越表面勢(shì)壘的幾率增多，容易結(jié)晶化，并使薄膜缺陷減少，同時(shí)薄膜內(nèi)應(yīng)力也會(huì)減少，基片溫度低，則易形成無(wú)定形結(jié)構(gòu)膜。 材料飽和蒸汽壓隨溫度的上升而迅速增大，所以實(shí)驗(yàn)時(shí)必須控制好蒸發(fā)源溫度。蒸發(fā)鍍膜常用的加熱方法時(shí)電阻大電流加熱，采用鎢，鉬，鉑等高熔點(diǎn)的金屬。真空鍍膜時(shí)，飛抵基片的氣化原子或分子，一部分被反射，一部分被蒸發(fā)離開(kāi)，剩下的要么結(jié)合在一起，再捕獲其他原子或分子，使得自己增大；或者單個(gè)原子或分子在基片上自由擴(kuò)散，逐漸生長(zhǎng)，覆蓋整個(gè)基片，形成鍍膜。注意的是基片的清潔度和完整性將影響到鍍膜的形成速率和質(zhì)量分子束外延是一種很特殊的真空鍍膜工藝。西安來(lái)料真空鍍膜

蒸發(fā)法鍍膜是將固體材料置于真空室內(nèi)，在真空條件下，將固體材料加熱蒸發(fā)，蒸發(fā)出來(lái)的原子或分子能自由地彌布到容器的器壁上。當(dāng)把一些加工好的基板材料放在其中時(shí)，蒸發(fā)出來(lái)的原子或分子就會(huì)吸附在基板上逐漸形成一層薄膜。根據(jù)蒸發(fā)源不同，真空蒸發(fā)鍍膜法又可 以分為四種：電阻蒸發(fā)源蒸鍍法；電子束蒸發(fā)源蒸鍍法；高頻感應(yīng)蒸發(fā)源蒸鍍法；激光束蒸發(fā)源蒸鍍法。本實(shí)驗(yàn)采用電阻蒸發(fā)源蒸鍍法制備金屬薄膜材料。蒸發(fā)鍍膜，要求從蒸發(fā)源出來(lái)的蒸汽分子或原子，到達(dá)被鍍膜基片的距離要小于鍍膜室內(nèi)殘余氣體分子的平均自由程，這樣才能保證蒸發(fā)物的蒸汽分子能無(wú)碰撞地到達(dá)基片表面。保證薄膜純凈和牢固，蒸發(fā)物也不至于氧化。西安來(lái)料真空鍍膜真空鍍膜有三種形式，即蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。

PECVD系統(tǒng)的氣源幾乎都是由氣體鋼瓶供氣，這些鋼瓶被放置在有許多安全保護(hù)裝置的氣柜中，通過(guò)氣柜上的控制面板、管道輸送到PECVD的工藝腔體中。在淀積時(shí)，反應(yīng)氣體的多少會(huì)影響淀積的速率及其均勻性等，因此需要嚴(yán)格控制氣體流量，通常采用質(zhì)量流量計(jì)來(lái)實(shí)現(xiàn)精確控制。PECVD反應(yīng)過(guò)程中，反應(yīng)氣體從進(jìn)氣口進(jìn)入爐腔，逐漸擴(kuò)散至襯底表面，在射頻源激發(fā)的電場(chǎng)作用下，反應(yīng)氣體分解成電子、離子和活性基團(tuán)等。分解物發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成形成膜的初始成分和副反應(yīng)物，這些生成物以化學(xué)鍵的形式吸附到樣品表面，生成固態(tài)膜的晶核，晶核逐漸生長(zhǎng)成島狀物，島狀物繼續(xù)生長(zhǎng)成連續(xù)的薄膜。在薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中，各種副產(chǎn)物從膜的表面逐漸脫離，在真空泵的作用下從出口排出。

真空鍍膜：反應(yīng)磁控濺射法：制備化合物薄膜可以用各種化學(xué)氣相沉積或物理的氣相沉積方法。但目前從工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)的要求來(lái)看，物理的氣相沉積中的反應(yīng)磁控濺射沉積技術(shù)具有明顯的優(yōu)勢(shì)，因而被普遍應(yīng)用，這是因?yàn)椋悍磻?yīng)磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應(yīng)氣體(氧、氮、碳?xì)浠衔锏?通常很容易獲得很高的純度，因而有利于制備高純度的化合物薄膜。反應(yīng)磁控濺射中調(diào)節(jié)沉積工藝參數(shù)，可以制備化學(xué)配比或非化學(xué)配比的化合物薄膜，從而達(dá)到通過(guò)調(diào)節(jié)薄膜的組成來(lái)調(diào)控薄膜特性的目的。真空鍍膜在真空條件下制備薄膜，環(huán)境清潔，薄膜不易受到污染。

真空鍍膜：物理的氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下采用物理方法將材料源（固體或液體）表面氣化成氣態(tài)原子或分子，或部分電離成離子，并通過(guò)低壓氣體（或等離子體）過(guò)程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)，物理的氣相沉積是主要的表面處理技術(shù)之一。PVD(物理的氣相沉積)鍍膜技術(shù)主要分為三類(lèi)：真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜。物理的氣相沉積的主要方法有：真空蒸鍍、濺射鍍膜、電弧等離子體鍍、離子鍍膜和分子束外延等。相應(yīng)的真空鍍膜設(shè)備包括真空蒸發(fā)鍍膜機(jī)、真空濺射鍍膜機(jī)和真空離子鍍膜機(jī)。真空濺鍍通常指的是磁控濺鍍，屬于高速低溫濺鍍法。常州真空鍍膜工藝流程

真空鍍膜機(jī)的優(yōu)點(diǎn):其封口性能好，尤其包裝粉末狀產(chǎn)品時(shí)，不會(huì)污染封口部分，保證了包裝的密封性能。西安來(lái)料真空鍍膜

真空鍍膜：電子束蒸發(fā)是真空蒸鍍的一種方式，它是在鎢絲蒸發(fā)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的。電子束是一種高速的電子流。電子束蒸發(fā)是真空鍍膜技術(shù)中一種成熟且主要的鍍膜方法，它解決了電阻加熱方式中膜料與蒸鍍?cè)床牧现苯咏佑|容易互混的問(wèn)題。電子束蒸發(fā)法是真空蒸發(fā)鍍膜的一種，是在真空條件下利用電子束進(jìn)行直接加熱蒸發(fā)材料，使蒸發(fā)材料氣化并向基板輸運(yùn)，在基底上凝結(jié)形成薄膜的方法。在電子束加熱裝置中，被加熱的物質(zhì)放置于水冷的坩堝中，可避免蒸發(fā)材料與坩堝壁發(fā)生反應(yīng)影響薄膜的質(zhì)量，因此，電子束蒸發(fā)沉積法可以制備高純薄膜，同時(shí)在同一蒸發(fā)沉積裝置中可以安置多個(gè)坩堝，實(shí)現(xiàn)同時(shí)或分別蒸發(fā)，沉積多種不同的物質(zhì)。通過(guò)電子束蒸發(fā)，任何材料都可以被蒸發(fā)。西安來(lái)料真空鍍膜