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茂名真空鍍膜儀

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-11-27

真空鍍膜的方法很多,計(jì)有:真空蒸鍍:將需鍍膜的基體清洗后放到鍍膜室,抽空后將膜料加熱到高溫,使蒸氣達(dá)到約13。3Pa而使蒸氣分子飛到基體表面,凝結(jié)而成薄膜。陰極濺射鍍:將需鍍膜的基體放在陰極對(duì)面,把惰性氣體(如氬)通入已抽空的室內(nèi),保持壓強(qiáng)約1。33~13。3Pa,然后將陰極接上2000V的直流電源,便激發(fā)輝光放電,帶正電的氬離子撞擊陰極,使其射出原子,濺射出的原子通過惰性氣氛沉積到基體上形成膜?;瘜W(xué)氣相沉積:通過熱分解所選定的金屬化合物或有機(jī)化合物,獲得沉積薄膜的過程。離子鍍:實(shí)質(zhì)上離子鍍系真空蒸鍍和陰極濺射鍍的有機(jī)結(jié)合,兼有兩者的工藝特點(diǎn)。離子鍍是真空蒸發(fā)與陰極濺射技術(shù)的結(jié)合。茂名真空鍍膜儀

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真空鍍膜:物理的氣相沉積技術(shù)工藝過程簡單,對(duì)環(huán)境改善,無污染,耗材少,成膜均勻致密,與基體的結(jié)合力強(qiáng)。該技術(shù)普遍應(yīng)用于航空航天、電子、光學(xué)、機(jī)械、建筑、輕工、冶金、材料等領(lǐng)域,可制備具有耐磨、耐腐蝕、裝飾、導(dǎo)電、絕緣、光導(dǎo)、壓電、磁性、潤滑、超導(dǎo)等特性的膜層。隨著高科技及新興工業(yè)發(fā)展,物理的氣相沉積技術(shù)出現(xiàn)了不少新的先進(jìn)的亮點(diǎn),如多弧離子鍍與磁控濺射兼容技術(shù),大型矩形長弧靶和濺射靶,非平衡磁控濺射靶,孿生靶技術(shù),帶狀泡沫多弧沉積卷繞鍍層技術(shù),條狀纖維織物卷繞鍍層技術(shù)等,使用的鍍層成套設(shè)備,向計(jì)算機(jī)全自動(dòng),大型化工業(yè)規(guī)模方向發(fā)展。ITO鍍膜真空鍍膜技術(shù)真空鍍膜機(jī)、真空鍍膜設(shè)備爐門采用懸垂吊掛式平移結(jié)構(gòu),便于爐外料車與爐內(nèi)輥軸的對(duì)接傳遞,減少占地空間。

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電子束蒸發(fā)可以蒸發(fā)高熔點(diǎn)材料,比一般電阻加熱蒸發(fā)熱效率高、 束流密度大、蒸發(fā)速度快,制成的薄膜純度高、質(zhì)量好,通過晶振控制,厚度可以較準(zhǔn)確地控制,可以廣泛應(yīng)用于制備高純薄膜和各種光學(xué)材料薄膜。電子束蒸發(fā)的金屬粒子只能考自身能量附著在襯底表面,臺(tái)階覆蓋性比較差,如果需要追求臺(tái)階覆蓋性和薄膜粘附力,建議使用磁控濺射。在蒸發(fā)溫度以上進(jìn)行蒸發(fā)試,蒸發(fā)源溫度的微小變化即可引起蒸發(fā)速率發(fā)生很大變化。因此,在鍍膜過程中,想要控制蒸發(fā)速率,必須精確控制蒸發(fā)源的溫度,加熱時(shí)應(yīng)盡量避免產(chǎn)生過大的溫度梯度。蒸發(fā)速率正比于材料的飽和蒸氣壓,溫度變化10%左右,飽和蒸氣壓就要變化一個(gè)數(shù)量級(jí)左右。

使用磁控濺射法沉積硅薄膜,通過優(yōu)化薄膜沉積的工藝參數(shù)(包括本地真空、濺射功率、濺射氣壓等),以期用濺射法終后制備出高質(zhì)量的器件級(jí)硅薄膜提供科學(xué)數(shù)據(jù)。磁控濺射法是一種簡單、低溫、快速的成膜技術(shù),能夠不使用有毒氣體和可燃性氣體進(jìn)行摻雜和成膜,直接用摻雜靶材濺射沉積,此法節(jié)能、高效、環(huán)保。可通過對(duì)氫含量和材料結(jié)構(gòu)的控制實(shí)現(xiàn)硅薄膜帶隙和性能的調(diào)節(jié)。與其它技術(shù)相比,磁控濺射法優(yōu)勢(shì)是它的沉積速率快,具有誘人的成膜效率和經(jīng)濟(jì)效益,實(shí)驗(yàn)簡單方便?;瘜W(xué)氣相沉積是真空鍍膜技術(shù)的一種。

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基片溫度對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)有較大影響,基片溫度高,使吸附原子的動(dòng)能增大,跨越表面勢(shì)壘的幾率增多,容易結(jié)晶化,并使薄膜缺陷減少,同時(shí)薄膜內(nèi)應(yīng)力也會(huì)減少,基片溫度低,則易形成無定形結(jié)構(gòu)膜。 材料飽和蒸汽壓隨溫度的上升而迅速增大,所以實(shí)驗(yàn)時(shí)必須控制好蒸發(fā)源溫度。蒸發(fā)鍍膜常用的加熱方法時(shí)電阻大電流加熱,采用鎢,鉬,鉑等高熔點(diǎn)的金屬。真空鍍膜時(shí),飛抵基片的氣化原子或分子,一部分被反射,一部分被蒸發(fā)離開,剩下的要么結(jié)合在一起,再捕獲其他原子或分子,使得自己增大;或者單個(gè)原子或分子在基片上自由擴(kuò)散,逐漸生長,覆蓋整個(gè)基片,形成鍍膜。注意的是基片的清潔度和完整性將影響到鍍膜的形成速率和質(zhì)量真空鍍膜機(jī)新型表面功能覆層技術(shù),其特點(diǎn)是保持基體材料固有的特征,又賦予表面化所要求的各種性能.廣州真空鍍膜工藝

真空鍍膜機(jī)大功率脈沖磁控濺射技術(shù)的脈沖峰值功率是普通磁控濺射的100倍,在1000~3000W/cm2范圍。茂名真空鍍膜儀

真空鍍膜:技術(shù)優(yōu)點(diǎn):鍍層質(zhì)量好:離子鍍的鍍層組織致密、無小孔、無氣泡、厚度均勻。甚至棱面和凹槽都可均勻鍍復(fù),不致形成金屬瘤。象螺紋一類的零件也能鍍復(fù),有高硬度、高耐磨性(低摩擦系數(shù))、很好的耐腐蝕性和化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn),膜層的壽命更長;同時(shí)膜層能夠大幅度提高工件的外觀裝飾性能。清洗過程簡化:現(xiàn)有鍍膜工藝,多數(shù)均要求事先對(duì)工件進(jìn)行嚴(yán)格清洗,既復(fù)雜又費(fèi)事。然而,離子鍍工藝自身就有一種離子轟擊清洗作用,并且這一作用還一直延續(xù)于整個(gè)鍍膜過程。清洗效果極好,能使鍍層直接貼近基體,有效地增強(qiáng)了附著力,簡化了大量的鍍前清洗工作。茂名真空鍍膜儀