針對PVD制備薄膜應(yīng)力的解決辦法主要有：1.提高襯底溫度，有利于薄膜和襯底間原子擴散，并加速反應(yīng)過程，有利于形成擴散附著，降低內(nèi)應(yīng)力；2.熱退火處理，薄膜中存在的各種缺陷是產(chǎn)生本征應(yīng)力的主要原因，這些缺陷一般都是非平衡缺陷，有自行消失的傾向，但需要外界給予活化能。對薄膜進行熱處理，非平衡缺陷大量消失，薄膜內(nèi)應(yīng)力降低；3.添加亞層控制多層薄膜應(yīng)力，利用應(yīng)變相消原理，在薄膜層之間再沉積一層薄膜，控制工藝使其呈現(xiàn)與結(jié)構(gòu)薄膜相反的應(yīng)力狀態(tài)，緩解應(yīng)力帶來的破壞作用，整體上抵消內(nèi)部應(yīng)力 從蒸發(fā)源蒸發(fā)的分子通過等離子區(qū)時發(fā)生電離。?？谡婵斟兡すに?/p>

ALD是一種薄膜形成方法，其中將多種氣相原料（前體）交替暴露于基板表面以形成膜。與CVD不同，不同類型的前驅(qū)物不會同時進入反應(yīng)室，而是作為單獨的步驟引入（脈沖）和排出（吹掃）。在每個脈沖中，前體分子在基材表面上以自控方式起作用，并且當表面上不存在可吸附位時，反應(yīng)結(jié)束。因此，一個周期中的產(chǎn)品成膜量由前體分子和基板表面分子如何化學(xué)鍵合來定義。因此，通過控制循環(huán)次數(shù)，可以在具有任意結(jié)構(gòu)和尺寸的基板上形成高精度且均勻的膜。紹興真空鍍膜儀真空鍍膜機硬化膜沉積技術(shù)目前較成熟的是cvd、pvd。

磁控濺射的工作原理是指電子在外加電場的作用下，在飛向襯底過程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向襯底，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子會受到電場和磁場作用，被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi)，以近似擺線形式在靶表面做圓周運動，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材，從而實現(xiàn)了高的沉積速率。隨著碰撞次數(shù)的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠離靶表面，并在電場的作用下沉積在襯底上。由于該電子的能量很低，傳遞給襯底的能量很小，致使襯底溫升較低。

PECVD系統(tǒng)的氣源幾乎都是由氣體鋼瓶供氣，這些鋼瓶被放置在有許多安全保護裝置的氣柜中，通過氣柜上的控制面板、管道輸送到PECVD的工藝腔體中。在淀積時，反應(yīng)氣體的多少會影響淀積的速率及其均勻性等，因此需要嚴格控制氣體流量，通常采用質(zhì)量流量計來實現(xiàn)精確控制。PECVD反應(yīng)過程中，反應(yīng)氣體從進氣口進入爐腔，逐漸擴散至襯底表面，在射頻源激發(fā)的電場作用下，反應(yīng)氣體分解成電子、離子和活性基團等。分解物發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成形成膜的初始成分和副反應(yīng)物，這些生成物以化學(xué)鍵的形式吸附到樣品表面，生成固態(tài)膜的晶核，晶核逐漸生長成島狀物，島狀物繼續(xù)生長成連續(xù)的薄膜。在薄膜生長過程中，各種副產(chǎn)物從膜的表面逐漸脫離，在真空泵的作用下從出口排出。多弧離子真空鍍膜機鍍膜還會在電廠的作用下沉積在具有負電壓基體表面的任意位置上。

真空鍍膜：各種鍍膜技術(shù)都需要有一個蒸發(fā)源或靶子，以便把蒸發(fā)制膜的材料轉(zhuǎn)化成氣體。由于源或靶的不斷改進，擴大了制膜材料的選用范圍，無論是金屬、金屬合金、金屬間化合物、陶瓷或有機物質(zhì)，都可以蒸鍍各種金屬膜和介質(zhì)膜，而且還可以同時蒸鍍不同材料而得到多層膜。蒸發(fā)或濺射出來的制膜材料，在與待鍍的工件生成薄膜的過程中，對其膜厚可進行比較精確的測量和控制，從而保證膜厚的均勻性。每種薄膜都可以通過微調(diào)閥精確地控制鍍膜室中殘余氣體的成分和質(zhì)量分數(shù)，從而防止蒸鍍材料的氧化，把氧的質(zhì)量分數(shù)降低到較小的程度，還可以充入惰性氣體等，這對于濕式鍍膜而言是無法實現(xiàn)的。由于鍍膜設(shè)備的不斷改進，鍍膜過程可以實現(xiàn)連續(xù)化，從而地提高產(chǎn)品的產(chǎn)量，而且在生產(chǎn)過程中對環(huán)境無污染。由于在真空條件下制膜，所以薄膜的純度高、密實性好、表面光亮不需要再加工，這就使得薄膜的力學(xué)性能和化學(xué)性能比電鍍膜和化學(xué)膜好。真空鍍膜技術(shù)是利用物理、化學(xué)手段將固體表面涂覆一層特殊性能的鍍膜。商丘PVD真空鍍膜

真空鍍膜有三種形式，即蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。?？谡婵斟兡すに?/p>

真空鍍膜：磁控濺射法：濺射鍍膜較初出現(xiàn)的是簡單的直流二極濺射，它的優(yōu)點是裝置簡單，但是直流二極濺射沉積速率低；為了保持自持放電，不能在低氣壓(<0。1Pa)下進行；不能濺射絕緣材料等缺點限制了其應(yīng)用。磁控濺射是由二極濺射基礎(chǔ)上發(fā)展而來，在靶材表面建立與電場正交磁場，解決了二極濺射沉積速率低，等離子體離化率低等問題，成為目前鍍膜工業(yè)主要方法之一。磁控濺射與其它鍍膜技術(shù)相比具有如下特點：可制備成靶的材料廣，幾乎所有金屬，合金和陶瓷材料都可以制成靶材；在適當條件下多元靶材共濺射方式，可沉積配比精確恒定的合金；在濺射的放電氣氛中加入氧、氮或其它活性氣體，可沉積形成靶材物質(zhì)與氣體分子的化合物薄膜；通過精確地控制濺射鍍膜過程，容易獲得均勻的高精度的膜厚；通過離子濺射靶材料物質(zhì)由固態(tài)直接轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子態(tài)，濺射靶的安裝不受限制，適合于大容積鍍膜室多靶布置設(shè)計；濺射鍍膜速度快，膜層致密，附著性好等特點，很適合于大批量，高效率工業(yè)生產(chǎn)。近年來磁控濺射技術(shù)發(fā)展很快，具有代表性的方法有射頻濺射、反應(yīng)磁控濺射、非平衡磁控濺射、脈沖磁控濺射、高速濺射等。?？谡婵斟兡すに?/p>