選擇比指的是在同一刻蝕條件下一種材料與另一種材料相比刻蝕速率快很多，它定義為被刻蝕材料的刻蝕速率與另一種材料的刻蝕速率的比?；緝?nèi)容：高選擇比意味著只刻除想要刻去的那一層材料。一個(gè)高選擇比的刻蝕工藝不刻蝕下面一層材料（刻蝕到恰當(dāng)?shù)纳疃葧r(shí)停止）并且保護(hù)的光刻膠也未被刻蝕。圖形幾何尺寸的縮小要求減薄光刻膠厚度。高選擇比在較先進(jìn)的工藝中為了確保關(guān)鍵尺寸和剖面控制是必需的。特別是關(guān)鍵尺寸越小，選擇比要求越高?？涛g較簡(jiǎn)單較常用分類是：干法刻蝕和濕法刻蝕。材料刻蝕技術(shù)可以用于制造微型傳感器和生物芯片等微型器件。蘇州刻蝕工藝

刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。刻蝕是用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程，其基本目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩模圖形。隨著微制造工藝的發(fā)展，廣義上來講，刻蝕成了通過溶液、反應(yīng)離子或其它機(jī)械方式來剝離、去除材料的一種統(tǒng)稱，成為微加工制造的一種普適叫法。嘉興刻蝕設(shè)備刻蝕技術(shù)可以通過選擇不同的刻蝕氣體和功率來實(shí)現(xiàn)不同的刻蝕效果。

刻蝕，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻相聯(lián)系的圖形化處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分?？涛g是用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程，其基本目標(biāo)是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩模圖形。隨著微制造工藝的發(fā)展，真正意義上來講，刻蝕成了通過溶液、反應(yīng)離子或其它機(jī)械方式來剝離、去除材料的一種統(tǒng)稱，成為微加工制造的一種普適叫法。

等離子體刻蝕機(jī)要求相同的元素：化學(xué)刻蝕劑和能量源。物理上，等離子體刻蝕劑由反應(yīng)室、真空系統(tǒng)、氣體供應(yīng)、終點(diǎn)檢測(cè)和電源組成。晶圓被送入反應(yīng)室，并由真空系統(tǒng)把內(nèi)部壓力降低。在真空建立起來后，將反應(yīng)室內(nèi)充入反應(yīng)氣體。對(duì)于二氧化硅刻蝕，氣體一般使用CF4和氧的混合劑。電源通過在反應(yīng)室中的電極創(chuàng)造了一個(gè)射頻電場(chǎng)。能量場(chǎng)將混合氣體激發(fā)或等離子體狀態(tài)。在激發(fā)狀態(tài)，氟刻蝕二氧化硅，并將其轉(zhuǎn)化為揮發(fā)性成分由真空系統(tǒng)排出。ICP刻蝕設(shè)備能夠進(jìn)行(氮化鎵）、(氮化硅）、（氧化硅）、(鋁鎵氮）等半導(dǎo)體材料進(jìn)行刻蝕?？涛g技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)微納加工中的多層結(jié)構(gòu)制備，如光子晶體、微透鏡等。

材料刻蝕是一種常見的表面加工技術(shù)，可以用于制備微納米結(jié)構(gòu)、光學(xué)元件、電子器件等。提高材料刻蝕的表面質(zhì)量可以通過以下幾種方法：1.優(yōu)化刻蝕參數(shù)：刻蝕參數(shù)包括刻蝕時(shí)間、刻蝕速率、刻蝕深度等，這些參數(shù)的選擇對(duì)刻蝕表面質(zhì)量有很大影響。因此，需要根據(jù)具體材料和刻蝕目的，優(yōu)化刻蝕參數(shù)，以獲得更佳的表面質(zhì)量。2.選擇合適的刻蝕液：刻蝕液的選擇也是影響表面質(zhì)量的重要因素。不同的材料需要不同的刻蝕液，而且刻蝕液的濃度、溫度、PH值等參數(shù)也會(huì)影響表面質(zhì)量。因此，需要選擇合適的刻蝕液，并進(jìn)行優(yōu)化。3.控制刻蝕過程：刻蝕過程中需要控制刻蝕速率、溫度、氣氛等參數(shù)，以保證刻蝕表面的質(zhì)量。同時(shí)，還需要避免刻蝕過程中出現(xiàn)氣泡、結(jié)晶等問題，這些問題會(huì)影響表面質(zhì)量。4.后處理：刻蝕后需要進(jìn)行后處理，以去除表面殘留物、平整表面等。常用的后處理方法包括清洗、退火、化學(xué)機(jī)械拋光等?？傊岣卟牧峡涛g的表面質(zhì)量需要綜合考慮刻蝕參數(shù)、刻蝕液、刻蝕過程和后處理等因素，以獲得更佳的表面質(zhì)量?？涛g技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)對(duì)材料的選擇性刻蝕，從而制造出復(fù)雜的微納結(jié)構(gòu)。湖州刻蝕公司

材料刻蝕技術(shù)可以用于制造微型電極和微型電容器等微電子器件。蘇州刻蝕工藝

在等離子蝕刻工藝中，發(fā)生著許多的物理現(xiàn)象。當(dāng)在腔體中使用電極或微波產(chǎn)生一個(gè)強(qiáng)電場(chǎng)的時(shí)候,這個(gè)電場(chǎng)會(huì)加速所有的自由電子并提高他們的內(nèi)部能量(由于宇宙射線的原因,在任何環(huán)境中都會(huì)存在一些自由電子)。自由電子與氣體中的原子/分子發(fā)生撞擊,如果在碰撞過程中,電子傳遞了足夠的能量給原子/分子,就會(huì)發(fā)生電離現(xiàn)象,并且產(chǎn)生正離子和其他自由電子若碰撞傳遞的能量不足以激發(fā)電離現(xiàn)象則無法產(chǎn)生穩(wěn)定且能發(fā)生反應(yīng)的中性物當(dāng)足夠的能量提供給系統(tǒng),一個(gè)穩(wěn)定的,氣相等離子體包含自由電子,正離子和反應(yīng)中性物等離子蝕刻工藝中等離子體中的原子、分子離子、反應(yīng)中性物通過物理和化學(xué)方式移除襯底表面的材料。純物理蝕刻采用強(qiáng)電場(chǎng)來加速正原子離子（通常使用重量較重,惰性的氬原子）朝向襯底，加速過程將能量傳遞給了離子,當(dāng)它們撞擊到襯底表面時(shí),內(nèi)部的能量傳遞給襯底表面的原子,如果足夠的能量被傳遞,襯底表面的原子會(huì)被噴射到氣體中,較終被真空系統(tǒng)抽走。蘇州刻蝕工藝