《企業(yè)數(shù)字化轉型加速推進,多舉措助力高質量發(fā)展》
《SaaS 智能云平臺:企業(yè)發(fā)展的新引擎與未來趨勢》
《SaaS 云平臺領域新動態(tài)》
《數(shù)字化轉型浪潮:企業(yè)、峰會與政策齊發(fā)力》
《三款創(chuàng)新 SaaS 智能云平臺發(fā)布,助力行業(yè)發(fā)展》
《SaaS 云平臺帶領物聯(lián)網(wǎng)智能化新潮流》
企業(yè)數(shù)字化轉型:企典數(shù)智助力企業(yè)煥發(fā)新生機
企典數(shù)智:幫助中小企業(yè)數(shù)字化轉型的新篇章
《產(chǎn)業(yè)數(shù)字化轉型加速,企業(yè)迎來新機遇》
《企業(yè)積極擁抱數(shù)字化轉型,創(chuàng)新發(fā)展贏先機》
廣義的真空鍍膜還包括在金屬或非金屬材料表面真空蒸鍍聚合物等非金屬功能性薄膜。在所有被鍍材料中,以塑料較為常見,其次,為紙張鍍膜。相對于金屬、陶瓷、木材等材料,塑料具有來源充足、性能易于調控、加工方便等優(yōu)勢,因此種類繁多的塑料或其他高分子材料作為工程裝飾性結構材料,大量應用于汽車、家電、日用包裝、工藝裝飾等工業(yè)領域。但塑料材料大多存在表面硬度不高、外觀不夠華麗、耐磨性低等缺陷,如在塑料表面蒸鍍一層極薄的金屬薄膜,即可賦予塑料程亮的金屬外觀,合適的金屬源還可增加材料表面耐磨性能,拓寬了塑料的裝飾性和應用范圍。真空鍍膜機的優(yōu)點:可采用屏蔽式進行部分鍍鋁,以獲得任意圖案或透明窗口,能看到內裝物。徐州真空鍍膜工藝流程
PECVD一般用到的氣體有硅烷、笑氣、氨氣等其他。這些氣體通過氣管進入在反應腔體,在射頻源的左右下,氣體被電離成活性基團?;钚曰鶊F進行化學反應,在低溫(300攝氏度左右)生長氧化硅或者氮化硅。氧化硅和氮化硅可用于半導體器件的絕緣層,可有效的進行絕緣。PECVD生長氧化硅薄膜是一個比較復雜的過程,薄膜的沉積速率主要受到反應氣體比例、RF功率、反應室壓力、基片生長溫度等。在一定范圍內,提高硅烷與笑氣的比例,可提供氧化硅的沉積速率。在RF功率較低的時候,提升RF功率可提升薄膜的沉積速率,當RF增加到一定值后,沉積速率隨RF增大而減少,然后趨于飽和。在一定的氣體總量條件下,沉積速率隨腔體壓力增大而增大。PECVD在低溫范圍內(200-350℃),沉積速率會隨著基片溫度的升高而略微下降,但不是太明顯。嘉興來料真空鍍膜真空鍍膜鍍的薄膜涂層均勻。
真空鍍膜的方法:分子束外延:分子束外延(MBE)是一中很特殊的真空鍍膜工藝,是在10-8Pa的超高真空條件下,將薄膜的諸組分元素的分子束流,在嚴格的監(jiān)控之下,直接噴射到襯底表面。MBE的突出優(yōu)點在于能生長極薄的單晶膜層,并且能精確地控制膜厚和組分與摻雜適于制作微波,光電和多層結構器件,從而為制作集成光學和超大規(guī)模集成電路提供了有力手段。利用反應分子束外延法制備TiO2薄膜時,不需要考慮中間的化學反應,又不受質量傳輸?shù)挠绊?并且利用開閉擋板(快門)來實現(xiàn)對生長和中斷的瞬時控制,因此膜的組分和摻雜濃度可隨著源的變化而迅速調整。MBE的襯底溫度Z低,因此有減少自摻雜的優(yōu)點。
真空鍍膜:電子束蒸發(fā)是真空蒸鍍的一種方式,它是在鎢絲蒸發(fā)的基礎上發(fā)展起來的。電子束是一種高速的電子流。電子束蒸發(fā)是真空鍍膜技術中一種成熟且主要的鍍膜方法,它解決了電阻加熱方式中膜料與蒸鍍源材料直接接觸容易互混的問題。電子束蒸發(fā)法是真空蒸發(fā)鍍膜的一種,是在真空條件下利用電子束進行直接加熱蒸發(fā)材料,使蒸發(fā)材料氣化并向基板輸運,在基底上凝結形成薄膜的方法。在電子束加熱裝置中,被加熱的物質放置于水冷的坩堝中,可避免蒸發(fā)材料與坩堝壁發(fā)生反應影響薄膜的質量,因此,電子束蒸發(fā)沉積法可以制備高純薄膜,同時在同一蒸發(fā)沉積裝置中可以安置多個坩堝,實現(xiàn)同時或分別蒸發(fā),沉積多種不同的物質。通過電子束蒸發(fā),任何材料都可以被蒸發(fā)。真空鍍膜機硬化膜沉積技術目前較成熟的是cvd、pvd。
真空鍍膜:反應磁控濺射法:反應磁控濺射沉積過程中基板溫度一般不會有很大的升高,而且成膜過程通常也并不要求對基板進行很高溫度的加熱,因此對基板材料的限制較少。反應磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜,并能實現(xiàn)單機年產(chǎn)上百萬平方米鍍膜的工業(yè)化生產(chǎn)。但是反應磁控濺射在20世紀90年代之前,通常使用直流濺射電源,因此帶來了一些問題,主要是靶中毒引起的打火和濺射過程不穩(wěn)定,沉積速率較低,膜的缺陷密度較高,這些都限制了它的應用發(fā)展。真空鍍膜機電阻式蒸發(fā)鍍分為預熱段、預溶段、線性蒸發(fā)段三個步驟。甘肅真空鍍膜加工
真空濺鍍的鍍層可通過調節(jié)電流大小和時間來壘加,但不能太厚,一般厚度在0.2~2um。徐州真空鍍膜工藝流程
電子束蒸發(fā)是基于鎢絲的蒸發(fā)。大約 5 到 10 kV 的電流通過鎢絲(位于沉積區(qū)域外以避免污染)并將其加熱到發(fā)生電子熱離子發(fā)射的點。使用永磁體或電磁體將電子聚焦并導向蒸發(fā)材料(放置在坩堝中)。在電子束撞擊蒸發(fā)丸表面的過程中,其動能轉化為熱量,釋放出高能量(每平方英寸數(shù)百萬瓦以上)。因此,容納蒸發(fā)材料的爐床必須水冷以避免熔化。電子束蒸發(fā)設備結構簡單,成本低廉,而且可以蒸發(fā)高熔點材料,在蒸鍍合金時可以實現(xiàn)快速蒸發(fā),避免合金的分餾,其鍍膜質量也可以達到較高水平,可以廣泛應用于激光器腔面鍍膜以及玻璃等各種光學材料表面鍍膜,是一種可易于實現(xiàn)大批量生產(chǎn)的成熟鍍膜技術。徐州真空鍍膜工藝流程