產品特性與用途二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數的氧化物。作為一種介電材料，因其較高的介電常數值(~20)，較大的禁帶寬度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性，HfO2被認為是替代場效應晶體管中傳統SiO2介電層的理想材料。如果互補金屬氧化物半導體器件尺寸低于1μm，以二氧化硅為傳統柵介質的技術會帶來芯片的發(fā)熱量增加、多晶硅損耗等一系列問題，隨著晶體管的尺寸縮小，二氧化硅介質要求必須越來Chemicalbook越薄，但是漏電流的數值會因為量子效應的影響隨著二氧化硅介質厚度的較小而急劇升高，所以急需一種更可行的物質來取代二氧化硅作為柵介質。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數的陶瓷材料，近來在工業(yè)界特別是微電子領域被引起極度的關注，由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2)，以解決目前MOSFET中傳統SiO2/Si結構的發(fā)展的尺寸極限問題。氧化鉿的 氫鍵受體數量？浙江氧化鉿銷售價格
氧化鉿化學性質熔點:2810°C密度:9.68g/mLat25°C(lit.)折射率:2.13(1700nm)形態(tài):powder顏色:Off-white比重:9.68水溶解性:Insolubleinwater.Merck:14,45Chemicalbook88InChIKey:CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-NCAS數據庫:12055-23-1(CASDataBaseReference)EPA化學物質信息:Hafniumoxide(HfO2)(12055-23-1)安全信息安全說明:22-24/25WGKGermany:3TSCA:Yes海關編碼:28259085化學反應與熱的濃硫酸或酸式硫酸鹽作用形成硫酸鉿[Hf(SO4)2]，與碳混合后加熱通氯生成四氯化鉿(ChemicalbookHfCl4)，與氟硅酸鉀作用生成氟鉿酸鉀(K2HfF6)，與碳在1，500℃以上作用形成碳化鉿HfC。浙江氧化鉿銷售價格氧化鉿的化學式是多少？
氧化鉿性質熔點2810°C密度9.68g/mLat25°C(lit.)折射率2.13(1700nm)形態(tài)powder顏色Off-white比重9.68水溶解性Insolubleinwater.Merck14,4588InChemicalbookChIKeyCJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-NCAS數據庫12055-23-1(CASDataBaseReference)EPA化學物質信息Hafniumoxide(HfO2)(12055-23-1)氧化鉿（HfO2）是白色晶體粉末。純氧化鉿以三種形式存在，一種是無定型狀態(tài)，另外兩種為晶體。在＜400℃煅燒氫氧化鉿、氧氯化鉿等不穩(wěn)定的化合物時，可以得到無定型氧化鉿。將其氧化鉿Chemicalbook繼續(xù)加熱至450~480℃，開始轉化為單斜晶體，繼續(xù)加熱至1000~1650℃發(fā)生晶格常數逐步增加的趨勢，并轉化為4個氧化鉿分子的單體。當1700~1865℃時開始轉化為四方晶系。
氧化鉿用途與合成方法物理性質氧化鉿（HfO2）是白色晶體粉末。純氧化鉿以三種形式存在，一種是無定型狀態(tài)，另外兩種為晶體。在＜400℃煅燒氫氧化鉿、氧氯化鉿等不穩(wěn)定的化合物時，可以得到無定型氧化鉿。將其氧化鉿繼續(xù)加熱至450~480℃，開始轉化為單斜晶體，繼續(xù)加熱至1000~1650℃發(fā)生晶格常數逐步增加的趨勢，并轉化為4個氧化鉿分子的單體。當1700~Chemicalbook1865℃時開始轉化為四方晶系。向氧化鉿中添加少量氧化鎂、氧化鈣、氧化錳等氧化鉿，在1500℃以上可以形成面心立方晶格的固溶體。如向氧化鉿中加8%~20%氧化鈣，則晶格常數α相應從0.5082nm增加至0.5098nm。若添加的量達到形成CaHfO3時，則晶體結構轉化為菱形晶系。單斜晶體氧化鉿的密度為9.68g/cm3，熔點3031K，沸點5673K。氧化鉿的中文別稱有哪些？
在碳化過程中可有Hf2O3與HfO形成，但是對此研究較少。性質氧化鉿為白色立方晶體，比重9.68。熔點2，758±25℃。沸點約5，400℃。單斜晶系的二氧化鉿在1，475～1，600℃足量氧氣氛中轉化為四方晶系。不溶于水和一般無Chemicalbook機酸，但在氫氟酸中緩慢溶解。化學反應與熱的濃硫酸或酸式硫酸鹽作用形成硫酸鉿[Hf(SO4)2]，與碳混合后加熱通氯生成四氯化鉿(HfCl4)，與氟硅酸鉀作用生成氟鉿酸鉀(K2HfF6)，與碳在1，500℃以上作用形成碳化鉿HfC。氧化鉿的物理化學性質？浙江氧化鉿銷售價格
氧化鉿是指二氧化鉿嗎？浙江氧化鉿銷售價格
性質白色粉末，有單斜、四方和立方三種晶體結構。密度分別為10.3，10.1和10.43g/cm3。熔點2780～2920K。沸點5400K。熱膨脹系數5.8×10-6/℃。不溶于水、鹽酸和硝酸，可溶于濃硫酸和氟氫酸。由硫酸鉿、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取。為生產金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。應用二氧化鉿(HfO?)是一種具有寬帶隙和高介電常數的陶瓷材料，近來在工業(yè)界特別是微電子領域被引起極度的關注，由于它**可能替代硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?)，以解決MOSFET中傳統SiO?/Si結構的發(fā)展的尺寸極限問題。浙江氧化鉿銷售價格