鉿類似于鋯，在高溫下會(huì)生成氧化物薄膜，其氧化速度稍低于鋯，也可吸收氫氣，也能生成氮化鉿（熔點(diǎn)3583K）碳化鉿（熔點(diǎn)4163±50K）和硼化鉿（熔點(diǎn)3523K）等金屬陶瓷材料。鉿的抗腐蝕性稍弱于鋯，能抵抗冷稀酸和堿液的侵蝕，但可溶于硫酸中。鋯和鉿主要用于原子能工業(yè)上，鋯主要用作核反應(yīng)堆中核燃料的包套材料（Hf含量<0.01%）。鉿吸收熱中子能力特別強(qiáng)，用作原子反應(yīng)堆的控制棒，主要用于軍艦和潛艇的反應(yīng)堆。鋯的合金（與Nb、Cu、Mo等合金）強(qiáng)度大，宜作反應(yīng)堆的結(jié)構(gòu)材料。鉿的合金特別難熔，具有抗氧化性，用作火箭噴嘴、發(fā)動(dòng)機(jī)、宇宙飛行器等。鋯不與人體的血液骨骼及各組織發(fā)生作用，已用作外科和牙科醫(yī)療器械，并能強(qiáng)化和代替骨骼。還可用于化工設(shè)備及電子管的吸氣劑等。四氯化鉿的CAS登錄號(hào)是多少？四氯化鉿晶體

新材料按材料的屬性劃分，有金屬材料、無機(jī)非金屬材料（如陶瓷、砷化鎵半導(dǎo)體等）、有機(jī)高分子材料、先進(jìn)復(fù)合材料四大類。按材料的使用性能劃分，有結(jié)構(gòu)材料和功能材料。結(jié)構(gòu)材料主要是利用材料的力學(xué)和理化性能，以滿足**度、高剛度、高硬度、耐高溫、耐磨、耐蝕、抗輻照等性能要求；功能材料主要是利用材料具有的電、磁、聲、光熱等效應(yīng)，以實(shí)現(xiàn)某種功能，如半導(dǎo)體材料、磁性材料、光敏材料、熱敏材料、隱身材料和制造氫彈的核材料等。新材料在**建設(shè)上作用重大。例如，超純硅、砷化鎵研制成功，導(dǎo)致大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的誕生，使計(jì)算機(jī)運(yùn)算速度從每秒幾十萬次提高到每秒百億次以上；航空發(fā)動(dòng)機(jī)材料的工作溫度每提高100℃，推力可增大24%；隱身材料能吸收電磁波或降低武器裝備的紅外輻射，使敵方探測系統(tǒng)難以發(fā)現(xiàn)，等等。新材料技術(shù)被稱為“發(fā)明之母”和“產(chǎn)業(yè)糧食”。四氯化鉿四氯化鉿晶體四氯化鉿里面的鋯含量可以做到多少 ？

鋯（Zr）、鉿（Hf）是兩種重要的稀有金屬。在自然界中，鋯主要存在于斜鋯石（ZrO2）和鋯英石（ZrSiO4）中。自然界中沒有單獨(dú)的鉿礦物存在，鉿常與鋯共生，存在于鋯礦石中。鉿與鋯位于元素周期表的第四副族，性質(zhì)相似，因原子半徑很相近，化學(xué)分離非常困難。俗話說的“有鋯即有鉿，有鉿則有鋯”體現(xiàn)了鋯與鉿兩個(gè)“兄弟”的“惺惺相惜”。鋯鉿分離技術(shù)也在不斷發(fā)展。從沸騰氯化工藝、火法分離、萃取分離鋯鉿到現(xiàn)在的濕法分離和火法分離，均提高了鋯與鉿的分離效果，使得下游產(chǎn)品的純度不斷提升。

納米材料展現(xiàn)了異常的力學(xué)、電學(xué)、磁學(xué)、光學(xué)特性、敏感特性和催化以及光活性，為新材料的發(fā)展開辟了一個(gè)嶄新的研究和應(yīng)用領(lǐng)域。納米技術(shù)在精細(xì)陶瓷、微電子學(xué)、生物工程、化工、醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域的成功應(yīng)用及其廣闊的應(yīng)用前景使得納米材料及其技術(shù)成為目前科學(xué)研究的熱點(diǎn)之一，被認(rèn)為是世紀(jì)的又一次產(chǎn)業(yè)**。納米材料向國民經(jīng)濟(jì)和高新科技等各個(gè)領(lǐng)域的滲透以及對(duì)人類社會(huì)的進(jìn)步的影響是難以估計(jì)的。納米材料和納米結(jié)構(gòu)無論在自然界還是在工程界都不是新生事物。在自然界存在大量的天然納米結(jié)構(gòu)，只不過在透射電鏡的應(yīng)用以前人們沒有發(fā)現(xiàn)而已。四氯化鉿的性質(zhì)及作用。

國際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展趨勢(ITRS)預(yù)測未來45納米節(jié)點(diǎn)上的高性能晶體管的有效柵氧厚度（EOT）將小于1.0納米。隨著有效柵氧厚度（EOT）小于2.0納米,多晶硅柵電極的耗盡效應(yīng)將成為一道擺在工程師面前難以逾越的鴻溝,于是生產(chǎn)中使用幾乎完全沒有耗盡效應(yīng)的金屬柵電極將是大勢所趨。而且值得一提的是當(dāng)有效柵氧厚度（EOT）進(jìn)入這一范圍后,柵氧與硅之間交接面的質(zhì)量將會(huì)明顯影響器件的性能。另外,將高介電常數(shù)絕緣材料和兩種不同功函數(shù)的金屬柵電極引入nMOS和pMOS晶體管的制造流程是非常復(fù)雜的。本文針對(duì)當(dāng)今業(yè)界在生產(chǎn)雙金屬柵結(jié)構(gòu)CMOS器件中使用的高介電常數(shù)絕緣材料表面預(yù)處理工藝及金屬濕法刻蝕技術(shù)等領(lǐng)域取得的成就和存在的問題進(jìn)行了總結(jié)與展望四氯化鉿是怎么來的？四氯化鉿晶體

四氯化鉿的閃點(diǎn)是多少?四氯化鉿晶體

    鉿總是存在所有的鋯礦中，伴隨在制取鋯的各種步驟中，因原子半徑很相近，化學(xué)分離非常困難。早期的分離方法是分步結(jié)晶法，利用（NH4）2ZrF6和（NH4）2HfF6溶解度差異或K2ZrF6和K2HfF6在HF中溶解度的差異進(jìn)行分離（見表9—5）表9—5鋯和鉿的氟配合物在20℃時(shí)的溶解度（克/100克溶劑）溶劑配合物ZrHfHf/Zr-1·LHF·（NH4）（NH4）目前改用離子交換法或溶劑萃取法，例如利用強(qiáng)堿型酚醛樹脂R—N（CH3）3+Cl-陰離子交換劑，Zr和Hf的六氟陰離子與陰離子樹脂進(jìn)行吸附交換，由于它們與陰離子樹脂結(jié)合能力不同，用HF和HCl混合溶液洗提，這兩陰離子先后被淋洗下來。2RN（CH3）3Cl+（NH4）2ZrF6→[RN（CH3）3]2ZrF6+2NH4Cl2RN（CH3）3Cl+（NH4）2HfF6→[RN（CH3）3]2HfF6+2NH4Cl[RN（CH3）3]2ZrF6+2HCl→H2ZrF6+2RN（CH3）3Cl[RN（CH3）3]2HfF6+2HCl→H2HfF6+2RN（CH3）3Cl此法可達(dá)到滿意的分離效果。溶劑萃取法是利用Zr、Hf的HNO3溶液以磷酸三丁酯或三辛胺（N235）的甲基異丁基酮溶液萃取，由于鋯的配位能力比鉿強(qiáng)，比較易進(jìn)入有機(jī)溶劑相中。 四氯化鉿晶體

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