氧化鉿為白色立方晶體，比重9.68。熔點(diǎn)2，758±25℃。沸點(diǎn)約5，400℃。單斜晶系的二氧化鉿在1，475～1，600℃足量氧氣氛中轉(zhuǎn)化為四方晶系。不溶于水和一般無(wú)機(jī)酸，但在氫氟酸中緩慢溶解?；瘜W(xué)反應(yīng)與熱的濃硫酸或酸式硫酸鹽作用形成硫酸鉿Chemicalbook[Hf(SO4)2]，與碳混合后加熱通氯生成四氯化鉿(HfCl4)，與氟硅酸鉀作用生成氟鉿酸鉀(K2HfF6)，與碳在1，500℃以上作用形成碳化鉿HfC。制備氧化鉿可由鉿的碳化物、四氯化物、硫化物、硼化物、氮化物或水合氧化物直接高溫灼燒制取。氧化鉿的毒理學(xué)數(shù)據(jù)？山東氧化鉿的價(jià)格

物性數(shù)據(jù)1.性狀：白色粉末。2.密度（g/mL,25℃）：9.683.相對(duì)蒸汽密度（g/mL,空氣=1）：未確定4.熔點(diǎn)（oC）：21825.沸點(diǎn)（oC,常壓）：未確定6.沸點(diǎn)（oC，1mmHg）：未確定7.折射率：未確定8.閃點(diǎn)（oC）：未確定9.比旋光度（o）：未確定10.自燃點(diǎn)或引燃溫度（oC）：未確定11.蒸氣壓（20oC）：未確定12.飽和蒸氣壓（kPa,60oC）：未確定13.燃燒熱（KJ/mol）：未確定14.臨界溫度（oC）：未確定15.臨界壓力（KPa）：未確定16.油水（辛醇/水）分配系數(shù)的對(duì)數(shù)值：未確定17.上限（%,V/V）：未確定18.下限（%,V/V）：未確定19.溶解性：未確定品質(zhì)好的氧化鉿密度氧化鉿的CAS登錄號(hào)是多少？

性質(zhì)白色粉末，有單斜、四方和立方三種晶體結(jié)構(gòu)。密度分別為10.3，10.1和10.43g/cm3。熔點(diǎn)2780～2920K。沸點(diǎn)5400K。熱膨脹系數(shù)5.8×10-6/℃。不溶于水、鹽酸和硝酸，可溶于濃硫酸和氟氫酸。由硫酸鉿、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取。為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。應(yīng)用二氧化鉿(HfO?)是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料，近來(lái)在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注，由于它**可能替代硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?)，以解決MOSFET中傳統(tǒng)SiO?/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問(wèn)題。

產(chǎn)品特性與用途二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物。作為一種介電材料，因其較高的介電常數(shù)值(~20)，較大的禁帶寬度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性，HfO2被認(rèn)為是替代場(chǎng)效應(yīng)晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料。如果互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件尺寸低于1μm，以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質(zhì)的技術(shù)會(huì)帶來(lái)芯片的發(fā)熱量增加、多晶硅損耗等一系列問(wèn)題，隨著晶體管的尺寸縮小，二氧化硅介質(zhì)要求必須越來(lái)越薄，但是漏電流的數(shù)值會(huì)因?yàn)榱孔有hemicalbook應(yīng)的影響隨著二氧化硅介質(zhì)厚度的較小而急劇升高，所以急需一種更可行的物質(zhì)來(lái)取代二氧化硅作為柵介質(zhì)。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料，近來(lái)在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注，由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2)，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問(wèn)題。用途為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。氧化鉿的分子式是多少？

基本信息中文名稱(chēng):氧化鉿分子式:HfO?英文名稱(chēng):Hafnium(IV)oxide英文別名:Hafniumoxideoffwhitepowder;Hafniumdioxide;Hafniumoxidesinteredlumps;Hafnium(IV)鎜xide(99.998%-Hf)PURATREM;Hafniumoxide;hafnium(+4)cation;oxygen(-2)anion;dioxohafniumEINECS:235-013-2分子量:210.4888毒理學(xué)數(shù)據(jù)主要的刺激性影響在皮膚上面：刺激皮膚和粘膜在眼睛上面：刺激的影響致敏作用：沒(méi)有已知的敏化現(xiàn)象。性質(zhì)與穩(wěn)定性常溫常壓下穩(wěn)定避免的物料酸。氧化鉿基本的理化特性的信息？上海氧化鉿銷(xiāo)售

氧化鉿的安全操作的注意事項(xiàng)？山東氧化鉿的價(jià)格

制備氧化鉿可由鉿的碳化物、四氯化物、硫化物、硼化物、氮化物或水合氧化物直接高溫灼燒制取。應(yīng)用領(lǐng)域氧化鉿（HfO2）為鋯鉿分離的產(chǎn)物，目前只有美、法等國(guó)家在生產(chǎn)核級(jí)鋯時(shí)產(chǎn)生有氧化鉿。中國(guó)早期就已經(jīng)具備生產(chǎn)核級(jí)Zr，并生產(chǎn)少量氧化鉿的能力。但是產(chǎn)品數(shù)量稀少，價(jià)格昂貴。作為鉿的主要化學(xué)產(chǎn)品，通常用作光學(xué)鍍膜材料，很少量開(kāi)始試用于高效集成電路，氧化鉿在**領(lǐng)域的應(yīng)用尚待開(kāi)發(fā)。氧化鉿在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用HChemicalbookfO2的熔點(diǎn)比較高、同時(shí)鉿原子的吸收截面較大，捕獲中子的能力強(qiáng)，化學(xué)性質(zhì)特別穩(wěn)定，因此在原子能工業(yè)中具有非常大應(yīng)用的價(jià)值。自上世紀(jì)以來(lái)，光學(xué)鍍膜得到了很快的發(fā)展，HfO2在光學(xué)方面的特性已經(jīng)越來(lái)越適應(yīng)光學(xué)鍍膜技術(shù)的要求，所以HfO2在鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用也越來(lái)越***，特別是它對(duì)光有比較寬的透明波段，在光透過(guò)氧化鉿薄膜時(shí)，對(duì)光的吸收少，大部分通過(guò)折射透過(guò)薄膜，因此HfO2在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越被重視。山東氧化鉿的價(jià)格