外觀和描述：氧化鉿是鉿的主要氧化物，通常狀況下為白色無臭無味晶體。英文名稱:hafniumdioxide中文名:二氧化鉿CASNo.:12055-23-1化學式:HfO2分子量:210.6密度:9.68克/立方厘米熔點:約2850℃沸點:約沸點5400℃2、性質：氧化鉿是一種、無味的白色固體，不溶于水、鹽酸和硝酸，可溶于濃硫酸和氟氫酸；化學性質不活潑，具有薄膜特性：透光范圍～220～12000nm；折射率（250nm）～2.15（500nm）～2，且高熔點，所以用途***。3、用途：1）金屬鉿及其化合物的原料；2）耐火材料、抗放射性涂料和特殊的催化劑；3）度玻璃涂層。氧化鉿的安全操作的注意事項？山西氧化鉿滅火方法

二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物。作為一種介電材料，因其較高的介電常數(shù)值(~20)，較大的禁帶寬度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性，HfO2被認為是替代場效應晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料。如果互補金屬氧化物半導體器件尺寸低于1μm，以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質的技術會帶來芯片的發(fā)熱量增加、多晶硅損耗等一系列問題，隨著晶體管的尺寸縮小，二氧化硅介質要求必須越來越薄，但Chemicalbook是漏電流的數(shù)值會因為量子效應的影響隨著二氧化硅介質厚度的較小而急劇升高，所以急需一種更可行的物質來取代二氧化硅作為柵介質。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料，近來在工業(yè)界特別是微電子領域被引起極度的關注，由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2)，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結構的發(fā)展的尺寸極限問題。西隴氧化鉿市面價氧化鉿的危險性概述？

產品特性與用途二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物。作為一種介電材料，因其較高的介電常數(shù)值(~20)，較大的禁帶寬度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性，HfO2被認為是替代場效應晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料。如果互補金屬氧化物半導體器件尺寸低于1μm，以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質的技術會帶來芯片的發(fā)熱量增加、多晶硅損耗等一系列問題，隨著晶體管的尺寸縮小，二氧化硅介質要求必須越來Chemicalbook越薄，但是漏電流的數(shù)值會因為量子效應的影響隨著二氧化硅介質厚度的較小而急劇升高，所以急需一種更可行的物質來取代二氧化硅作為柵介質。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料，近來在工業(yè)界特別是微電子領域被引起極度的關注，由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2)，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結構的發(fā)展的尺寸極限問題。

氧化鉿為白色立方晶體，比重9.68。熔點2，758±25℃。沸點約5，400℃。單斜晶系的二氧化鉿在1，475～1，600℃足量氧氣氛中轉化為四方晶系。不溶于水和一般無機酸，但在氫氟酸中緩慢溶解?；瘜W反應與熱的濃硫酸或酸式硫酸鹽作用形成硫酸鉿Chemicalbook[Hf(SO4)2]，與碳混合后加熱通氯生成四氯化鉿(HfCl4)，與氟硅酸鉀作用生成氟鉿酸鉀(K2HfF6)，與碳在1，500℃以上作用形成碳化鉿HfC。制備氧化鉿可由鉿的碳化物、四氯化物、硫化物、硼化物、氮化物或水合氧化物直接高溫灼燒制取。氧化鉿是什么顏色的？

用途為生產金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑。生產方法當加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿。也可通Chemicalbook過其硫酸鹽或草酸鹽經灼燒而得。安全信息安全說明22-24/25WGKGermany3TSCAYes海關編碼28259085應用領域氧化鉿（HfO2）為鋯鉿分離的產物，目前只有美、法等國家在生產核級鋯時產生有氧化鉿。中國早期就已經具備生產核級Zr，并生產少量氧化鉿的能力。但是產品數(shù)量稀少，價格昂貴。作為鉿的主要化學產品，通常用作光學鍍膜材料，很少量開始試用于高效集成電路，氧化鉿在**領域的應用尚待開發(fā)。氧化鉿在光學鍍膜領域的應用HfO2的熔點比較高、同時鉿原子的吸收截面較大Chemicalbook，捕獲中子的能力強，化學性質特別穩(wěn)定，因此在原子能工業(yè)中具有非常大應用的價值。自上世紀以來，光學鍍膜得到了很快的發(fā)展，HfO2在光學方面的特性已經越來越適應光學鍍膜技術的要求，所以HfO2在鍍膜領域的應用也越來越***，特別是它對光有比較寬的透明波段，在光透過氧化鉿薄膜時，對光的吸收少，大部分通過折射透過薄膜，因此HfO2在光學鍍膜領域的應用越來越被重視。氧化鉿是什么材料呢？山東氧化鉿危險說明

氧化鉿的氫鍵供體數(shù)量？山西氧化鉿滅火方法

應用領域氧化鉿（HfO2）為鋯鉿分離的產物，目前只有美、法等國家在生產核級鋯時產生有氧化鉿。中國早期就已經具備生產核級Zr，并生產少量氧化鉿的能力。但是產品數(shù)量稀少，價格昂貴。作為鉿的主要化學產品，通常用作光學鍍膜材料，很少量開始試用于高效集成電路，氧化鉿在**領域的應用尚待開發(fā)。氧化鉿在光學鍍膜領域的應用HfO2的熔點比較高、同時鉿原子的吸收截面較大Chemicalbook，捕獲中子的能力強，化學性質特別穩(wěn)定，因此在原子能工業(yè)中具有非常大應用的價值。自上世紀以來，光學鍍膜得到了很快的發(fā)展，HfO2在光學方面的特性已經越來越適應光學鍍膜技術的要求，所以HfO2在鍍膜領域的應用也越來越***，特別是它對光有比較寬的透明波段，在光透過氧化鉿薄膜時，對光的吸收少，大部分通過折射透過薄膜，因此HfO2在光學鍍膜領域的應用越來越被重視。產品特性與用途山西氧化鉿滅火方法