氧化鉿性質(zhì)熔點(diǎn)2810°C密度9.68g/mLat25°C(lit.)折射率2.13(1700nm)形態(tài)powder顏色Off-white比重9.68水溶解性Insolubleinwater.Merck14,4588InChemicalbookChIKeyCJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-NCAS數(shù)據(jù)庫(kù)12055-23-1(CASDataBaseReference)EPA化學(xué)物質(zhì)信息Hafniumoxide(HfO2)(12055-23-1)氧化鉿（HfO2）是白色晶體粉末。純氧化鉿以三種形式存在，一種是無(wú)定型狀態(tài)，另外兩種為晶體。在＜400℃煅燒氫氧化鉿、氧氯化鉿等不穩(wěn)定的化合物時(shí)，可以得到無(wú)定型氧化鉿。將其氧化鉿Chemicalbook繼續(xù)加熱至450~480℃，開(kāi)始轉(zhuǎn)化為單斜晶體，繼續(xù)加熱至1000~1650℃發(fā)生晶格常數(shù)逐步增加的趨勢(shì)，并轉(zhuǎn)化為4個(gè)氧化鉿分子的單體。當(dāng)1700~1865℃時(shí)開(kāi)始轉(zhuǎn)化為四方晶系。氧化鉿的折射率是多少？質(zhì)量好氧化鉿廠家

性質(zhì)氧化鉿為白色立方晶體，比重9.68。熔點(diǎn)2，758±25℃。沸點(diǎn)約5，400℃。單斜晶系的二氧化鉿在1，475～1，600℃足量氧氣氛中轉(zhuǎn)化為四方晶系。不溶于水和一般無(wú)機(jī)酸，但在氫氟酸中緩慢溶解。Chemicalbook化學(xué)反應(yīng)與熱的濃硫酸或酸式硫酸鹽作用形成硫酸鉿[Hf(SO4)2]，與碳混合后加熱通氯生成四氯化鉿(HfCl4)，與氟硅酸鉀作用生成氟鉿酸鉀(K2HfF6)，與碳在1，500℃以上作用形成碳化鉿HfC。制備氧化鉿可由鉿的碳化物、四氯化物、硫化物、硼化物、氮化物或水合氧化物直接高溫灼燒制取。云南氧化鉿廠家氧化鉿的安全操作的注意事項(xiàng)？

中文名氧化鉿(IV)英文名Hafnium(IV)oxide中文別名氧化鉿(III)|二氧化鉿|氧化鉿物理性質(zhì)氧化鉿（HfO2）是白色晶體粉末。純氧化鉿以三種形式存在，一種是無(wú)定型狀態(tài)，另外兩種為晶體。在＜400℃煅燒氫氧化鉿、氧氯化鉿等不穩(wěn)定的化合物時(shí)，可以得到無(wú)定型氧化鉿。將其氧化鉿繼續(xù)加熱至450~480℃，開(kāi)始轉(zhuǎn)化為單斜晶體，繼續(xù)加熱至1000~1650℃發(fā)生晶格常數(shù)逐步增加的趨勢(shì)，并轉(zhuǎn)化為4個(gè)氧化鉿分子的單體。當(dāng)1700~1865℃Chemicalbook時(shí)開(kāi)始轉(zhuǎn)化為四方晶系。向氧化鉿中添加少量氧化鎂、氧化鈣、氧化錳等氧化鉿，在1500℃以上可以形成面心立方晶格的固溶體。如向氧化鉿中加8%~20%氧化鈣，則晶格常數(shù)α相應(yīng)從0.5082nm增加至0.5098nm。若添加的量達(dá)到形成CaHfO3時(shí)，則晶體結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化為菱形晶系。單斜晶體氧化鉿的密度為9.68g/cm3，熔點(diǎn)3031K，沸點(diǎn)5673K。

氧化鉿用途與合成方法物理性質(zhì)氧化鉿（HfO2）是白色晶體粉末。純氧化鉿以三種形式存在，一種是無(wú)定型狀態(tài)，另外兩種為晶體。在＜400℃煅燒氫氧化鉿、氧氯化鉿等不穩(wěn)定的化合物時(shí)，可以得到無(wú)定型氧化鉿。將其氧化鉿繼續(xù)加熱至450~480℃，開(kāi)始轉(zhuǎn)化為單斜晶體，繼續(xù)加熱至1000~1650℃發(fā)生晶格常數(shù)逐步增加的趨勢(shì)，并轉(zhuǎn)化為4個(gè)氧化鉿分子的單體。當(dāng)1700~Chemicalbook1865℃時(shí)開(kāi)始轉(zhuǎn)化為四方晶系。向氧化鉿中添加少量氧化鎂、氧化鈣、氧化錳等氧化鉿，在1500℃以上可以形成面心立方晶格的固溶體。如向氧化鉿中加8%~20%氧化鈣，則晶格常數(shù)α相應(yīng)從0.5082nm增加至0.5098nm。若添加的量達(dá)到形成CaHfO3時(shí)，則晶體結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化為菱形晶系。單斜晶體氧化鉿的密度為9.68g/cm3，熔點(diǎn)3031K，沸點(diǎn)5673K。氧化鉿的英文名稱是什么？

產(chǎn)品特性與用途二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物。作為一種介電材料，因其較高的介電常數(shù)值(~20)，較大的禁帶寬度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性，HfO2被認(rèn)為是替代場(chǎng)效應(yīng)晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料。如果互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件尺寸低于1μm，以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質(zhì)的技術(shù)會(huì)帶來(lái)芯片的發(fā)熱量增加、多晶硅損耗等一系列問(wèn)題，隨著晶體管的尺寸縮小，二氧化硅介質(zhì)要求必須越來(lái)Chemicalbook越薄，但是漏電流的數(shù)值會(huì)因?yàn)榱孔有?yīng)的影響隨著二氧化硅介質(zhì)厚度的較小而急劇升高，所以急需一種更可行的物質(zhì)來(lái)取代二氧化硅作為柵介質(zhì)。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料，近來(lái)在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注，由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2)，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問(wèn)題。氧化鉿的毒理學(xué)數(shù)據(jù)？西藏質(zhì)量好氧化鉿

氧化鉿的氫鍵供體數(shù)量？質(zhì)量好氧化鉿廠家

氧化鉿又稱氧化鉿(IV)，它是一種無(wú)機(jī)化工產(chǎn)品，其分子式為HfO2，分子量為210.4888。產(chǎn)品特性與用途二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物。作為一種介電材料，因其較高的介電常數(shù)值(~20)，較大的禁帶寬度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性，HfO2被認(rèn)為是替代場(chǎng)效應(yīng)晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料。如果互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件尺寸低于1μm，以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質(zhì)的技術(shù)會(huì)帶來(lái)芯片的發(fā)熱量增加、多晶硅損耗等一系列問(wèn)題，隨著晶體管的尺寸縮小，二氧化硅介質(zhì)要求必須越來(lái)Chemicalbook越薄，但是漏電流的數(shù)值會(huì)因?yàn)榱孔有?yīng)的影響隨著二氧化硅介質(zhì)厚度的較小而急劇升高，所以急需一種更可行的物質(zhì)來(lái)取代二氧化硅作為柵介質(zhì)。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料，近來(lái)在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注，由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2)，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問(wèn)題。質(zhì)量好氧化鉿廠家