外觀和描述：氧化鉿是鉿的主要氧化物，通常狀況下為白色無臭無味晶體。英文名稱:hafniumdioxide中文名:二氧化鉿CASNo.:12055-23-1化學(xué)式:HfO2分子量:210.6密度:9.68克/立方厘米熔點(diǎn):約2850℃沸點(diǎn):約沸點(diǎn)5400℃2、性質(zhì)：氧化鉿是一種、無味的白色固體，不溶于水、鹽酸和硝酸，可溶于濃硫酸和氟氫酸；化學(xué)性質(zhì)不活潑，具有薄膜特性：透光范圍～220～12000nm；折射率（250nm）～2.15（500nm）～2，且高熔點(diǎn)，所以用途***。3、用途：1）金屬鉿及其化合物的原料；2）耐火材料、抗放射性涂料和特殊的催化劑；3）度玻璃涂層。氧化鉿的沸點(diǎn)是多少？正規(guī)氧化鉿多少錢

化學(xué)性質(zhì)氧化鉿的化學(xué)性質(zhì)與氧化鋯相似，其活性與煅燒溫度有關(guān)，煅燒溫度越高，化學(xué)活性性越低。無定型氧化鉿容易溶解于酸中，但是結(jié)晶型氧化鉿即使是在熱鹽酸或者是硝酸中也不發(fā)生反應(yīng)，而*溶于熱濃的氫氟酸和硫酸中。結(jié)晶型氧化鉿與堿和鹽酸溶后，則容易稀酸中。在1100℃下，氧化鉿與鉿酸鋰。在高Chemicalbook于1500℃氧化鉿與堿土金屬氧化鉿與二氧化硅等作用，生成鉿酸鹽和硅酸鉿。在1800℃以上與氧化硅組成一系列的固溶體。鉿鹽水解可以得到兩性的氫氧化鉿，氫氧化鉿在100℃下干燥能夠達(dá)到HfO(OH)2，再升高溫度即轉(zhuǎn)換為氧化鉿。在碳化過程中可有Hf2O3與HfO形成，但是對(duì)此研究較少。什么是氧化鉿價(jià)格表格氧化鉿是什么顏色的？

應(yīng)用領(lǐng)域氧化鉿（HfO2）為鋯鉿分離的產(chǎn)物，目前只有美、法等國(guó)家在生產(chǎn)核級(jí)鋯時(shí)產(chǎn)生有氧化鉿。中國(guó)早期就已經(jīng)具備生產(chǎn)核級(jí)Zr，并生產(chǎn)少量氧化鉿的能力。但是產(chǎn)品數(shù)量稀少，價(jià)格昂貴。作為鉿的主要化學(xué)產(chǎn)品，通常用作光學(xué)鍍膜材料，很少量開始試用于高效集成電路，氧化鉿在**領(lǐng)域的應(yīng)用尚待開發(fā)。氧化鉿在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用HfO2的熔點(diǎn)比較高、同時(shí)鉿原子的吸收截面較大Chemicalbook，捕獲中子的能力強(qiáng)，化學(xué)性質(zhì)特別穩(wěn)定，因此在原子能工業(yè)中具有非常大應(yīng)用的價(jià)值。自上世紀(jì)以來，光學(xué)鍍膜得到了很快的發(fā)展，HfO2在光學(xué)方面的特性已經(jīng)越來越適應(yīng)光學(xué)鍍膜技術(shù)的要求，所以HfO2在鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用也越來越***，特別是它對(duì)光有比較寬的透明波段，在光透過氧化鉿薄膜時(shí)，對(duì)光的吸收少，大部分通過折射透過薄膜，因此HfO2在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用越來越被重視。

氧化鉿又稱氧化鉿(IV)，它是一種無機(jī)化工產(chǎn)品，其分子式為HfO2，分子量為210.4888。存儲(chǔ)方法常溫密閉，陰涼通風(fēng)干燥。合成方法當(dāng)加熱到高溫時(shí)鉿與氧直接化合生成氧化鉿。也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。主要用途用于光譜分析及催化劑體系，耐熔材料。系統(tǒng)編號(hào)CAS號(hào)：12055-23-1MDL號(hào)：MFCD00003565EINECS號(hào)：235-013-2PubChem號(hào)：24873674，毒理學(xué)數(shù)據(jù)主要的刺激性影響：在皮膚上面：刺激皮膚和粘膜在眼睛上面：刺激的影響致敏作用：沒有已知的敏化現(xiàn)象氧化鉿基本的理化特性的信息？

二氧化鉿(HfO2)是鉿元素的一種氧化物，常溫常壓下為白色固體?；拘畔⒅形拿趸x英文名Hafnium(IV)oxide別稱氧化鉿(IV)化學(xué)式HfO2分子量210.49CAS登錄號(hào)12055-23-1熔點(diǎn)2758℃沸點(diǎn)5400℃水溶性難溶于水密度9.68g/cm3外觀白色固體應(yīng)用遠(yuǎn)紅外波段材料，應(yīng)用二氧化鉿(HfO?)是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料，近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注，由于它**可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?)，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO?/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題。氧化鉿的密度是多少？山西品質(zhì)好的氧化鉿

氧化鉿的用途與合成方法？正規(guī)氧化鉿多少錢

物理性質(zhì)氧化鉿（HfO2）是白色晶體粉末。純氧化鉿以三種形式存在，一種是無定型狀態(tài)，另外兩種為晶體。在＜400℃煅燒氫氧化鉿、氧氯化鉿等不穩(wěn)定的化合物時(shí)，可以得到無定型氧化鉿。將其氧化鉿繼續(xù)加熱至450~480℃，開始轉(zhuǎn)化為單斜晶體，繼續(xù)加熱至1000~1650℃發(fā)生晶格常數(shù)逐步增加的趨勢(shì)，并轉(zhuǎn)化為4個(gè)氧化鉿分子的單體。當(dāng)1700~1865℃Chemicalbook時(shí)開始轉(zhuǎn)化為四方晶系。向氧化鉿中添加少量氧化鎂、氧化鈣、氧化錳等氧化鉿，在1500℃以上可以形成面心立方晶格的固溶體。如向氧化鉿中加8%~20%氧化鈣，則晶格常數(shù)α相應(yīng)從0.5082nm增加至0.5098nm。若添加的量達(dá)到形成CaHfO3時(shí)，則晶體結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化為菱形晶系。單斜晶體氧化鉿的密度為9.68g/cm3，熔點(diǎn)3031K，沸點(diǎn)5673K。正規(guī)氧化鉿多少錢