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飛博光電高轉(zhuǎn)換效率光電探測器要求

來源: 發(fā)布時間:2023-04-26

光電探測器的工作原理是基于光電效應,熱探測器基于材料吸收了光輻射能量后溫度升高,從而改變了它的電學性能,它區(qū)別于光子探測器的比較大特點是對光輻射的波長無選擇性。光電子發(fā)射器件:光電管與光電倍增管是典型的光電子發(fā)射型(外光電效應)探測器件。其主要特點是靈敏度高,穩(wěn)定性好,響應速度快和噪聲小,是一種電流放大器件。尤其是光電倍增管具有很高的電流增益,特別適于探測微弱光信號;但它結(jié)構(gòu)復雜,工作電壓高,體積較大。光電倍增管一般用于測弱輻射而且響應速度要求較高的場合,如人造衛(wèi)星的激光測距儀、光雷達等。光生伏特的效應是指光照使不均勻半導體或半導體與金屬結(jié)合的不同部位之間產(chǎn)生電位差的現(xiàn)象。飛博光電高轉(zhuǎn)換效率光電探測器要求

為了提高傳輸效率并且無畸變地變換光電信號,光電探測器不僅要和被測信號、光學系統(tǒng)相匹配,而且要和后續(xù)的電子線路在特性和工作參數(shù)上相匹配,使每個相互連接的器件都處于比較好的工作狀態(tài)。現(xiàn)將光電探測器件的應用選擇要點歸納如下:光電探測器必須和輻射信號源及光學系統(tǒng)在光譜特性上相匹配。如果測量波長是紫外波段,則選用光電倍增管或?qū)iT的紫外光電半導體器件;如果信號是可見光,則可選用光電倍增管、光敏電阻和Si光電器件;如果是紅外信號,則選用光敏電阻,近紅外選用Si光電器件或光電倍增管;飛博光電高轉(zhuǎn)換效率光電探測器要求可接收的光功率的大小是由探測器的暗電流決定的。

為了提高傳輸效率并且無畸變地變換光電信號,光電探測器不僅要和被測信號、光學系統(tǒng)相匹配,而且要和后續(xù)的電子線路在特性和工作參數(shù)上相匹配,使每個相互連接的器件都處于比較好的工作狀態(tài)。現(xiàn)將光電探測器件的應用選擇要點歸納如下:光電探測器必須和輻射信號源及光學系統(tǒng)在光譜特性上相匹配。如果測量波長是紫外波段,則選用光電倍增管或?qū)iT的紫外光電半導體器件;如果信號是可見光,則可選用光電倍增管、光敏電阻和Si光電器件;如果是紅外信號,則選用光敏電阻,近紅外選用Si光電器件或光電倍增管。

當光線照在物體上,使物體的電導率發(fā)生變化,或產(chǎn)生光生電動勢的現(xiàn)象叫內(nèi)光電效應。利用這種現(xiàn)象可以制成陰極射線管、光電倍增管和攝像管的光陰極等。半導體材料的價帶與導帶間有一個帶隙,其能量間隔為Eg。一般情況下,價帶中的電子不會自發(fā)地躍遷到導帶,所以半導體材料的導電性遠不如導體。但如果通過某種方式給價帶中的電子提供能量,就可以將其激發(fā)到導帶中,形成載流子,增加導電性。光照就是一種激勵方式。當入射光的能量hν≥Eg(Eg為帶隙間隔)時,價帶中的電子就會吸收光子的能量,躍遷到導帶,而在價帶中下一個空穴,形成一對可以導電的電子——空穴對。這里的電子并未逸出形成光電子,但顯然存在著由于光照而產(chǎn)生的電效應。因此,這種光電效應就是一種內(nèi)光電效應。從理論和實驗結(jié)果分析,要使價帶中的電子躍遷到導帶,也存在一個入射光的極限能量,即Eλ=hν0=Eg,其中ν0是低頻限(即極限頻率ν0=Egh)。這個關(guān)系也可以用長波限表示,即λ0=hcEg。入射光的頻率大于ν0或波長小于λ0時,才會發(fā)生電子的帶間躍遷。當入射光能量較小,不能使電子由價帶躍遷到導帶時,有可能使電子吸收光能后,在一個能帶內(nèi)的亞能級結(jié)構(gòu)間躍遷。非相干接收:在接收設(shè)備中不用載波相位信息去檢測就接收信號。

固體光電探測器用途非常廣。CdS光敏電阻因其成本低而在光亮度控制(如照相自動曝光)中得到采用;光電池是固體光電器件中具有比較大光敏面積的器件,它除用做探測器件外,還可作太陽能變換器;硅光電二極管體積小、響應快、可靠性高,而且在可見光與近紅外波段內(nèi)有較高的量子效率,因而在各種工業(yè)控制中獲得應用。硅雪崩管由于增益高、響應快、噪聲小,因而在激光測距與光纖通信中普遍采用。photoconductivedetector利用半導體材料的光電導效應制成的一種光探測器件。所謂光電導效應,是指由輻射引起被照射材料電導率改變的一種物理現(xiàn)象。光電導探測器在國民經(jīng)濟的各個領(lǐng)域有較廣用途。在可見光或近紅外波段主要用于射線測量和探測、工業(yè)自動控制、光度計量等;在紅外波段主要用于導彈制導、紅外熱成像、紅外遙感等方面。光電導體的另一應用是用它做攝像管靶面。為了避免光生載流子擴散引起圖像模糊,連續(xù)薄膜靶面都用高阻多晶材料,如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取鑲嵌靶面的方法,整個靶面由約10萬個單獨探測器組成。當光在半導體中傳輸時,光波的能量隨著傳播會逐漸衰減。石巖低失真光電探測器設(shè)計

光電探測器在國際和國民經(jīng)濟的各個領(lǐng)域有很多用途。飛博光電高轉(zhuǎn)換效率光電探測器要求

光電探測器在光通信系統(tǒng)中實現(xiàn)將光轉(zhuǎn)變成電的作用,這主要是基于半導體材料的光生伏特的效應,所謂的光生伏特X應是指光照使不均勻半導體或半導體與金屬結(jié)合的不同部位之間產(chǎn)生電位差的現(xiàn)象。(光電導效應是指在光線作用下,電子吸收光子能量從鍵合狀態(tài)過度到自由狀態(tài),而引起材料電導率的變化的象。即當光照射到光電導體上時,若這個光電導體為本征半導體材料,且光輻射能量又足夠強,光電材料價帶上的電子將被激發(fā)到導帶上去,使光導體的電導率變大是指由輻射引起被照射材料電導率改變的一種物理現(xiàn)象,光子作用于光電導材料,形成本征吸收或雜質(zhì)吸收,產(chǎn)生附加的光生載流子,從而使半導體的電導率發(fā)生變化,產(chǎn)生光電導效應。)飛博光電高轉(zhuǎn)換效率光電探測器要求

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