使設備進入穩(wěn)態(tài)運行。若一次起動不成功，即自動調頻電路沒有抓住中頻電壓反饋信號，此時，它激信號便會一直掃描到比較低頻率，重復起動電路一旦檢測到它激信號進入到比較低頻段，便進行一次再起動，把它激信號再推到比較高頻率，重新掃描一次，直至起動成功，重復起動的周期約為。由CON2-1和CON2-2輸入的中頻電壓信號，經IC1A轉換成方波信號，輸入到IC6的30角，由IC6的15P、16P輸出的逆變觸發(fā)信號。經IC7A隔離放大后，驅動逆變觸發(fā)CMOS晶體管Q5、Q6。IC4B和IC4C構成逆變壓控時鐘，輸入到IC6的33腳CLOK2；同時又由IC7B進行頻壓轉換后用于驅動頻率表。W6微調電位器用于設定壓控時鐘的比較高頻（即逆變它激信號的比較高頻率），W5微調電位器用于整定外接頻率表的讀數。另外，當發(fā)生過電壓保護時，IC6內部的過電壓保護振蕩器起振，輸出2倍于比較高逆變頻率的觸發(fā)脈沖，使逆變橋的4只晶閘管均導通。IC4A為起動失敗檢測器，其輸出控制IC6內部重復起動電路。過電流保護信號經Q3倒相后，送到IC6的20P，整流觸發(fā)脈沖：驅動“”LED批示燈亮和驅動報警繼電器。過電流觸發(fā)器動作后，只有通過復位信號或通過關機后再開機進行“上電復位”，方可再次運行。正高電氣設備的引進更加豐富了公司的設備品種，為用戶提供了更多的選擇空間。山東MTAC75晶閘管智能模塊配件

    這兩部分電路，R5、RP和C5構成阻容移相電路。合上電源開關S，交流電源電壓通過R5、RP向電容器C5充電，當電容器C5兩端的電壓上升到略高于雙向觸發(fā)二極管ST的轉折電壓時，ST和雙向晶閘管VS相繼導通，負載RL得電工作。當交流電源電壓過零瞬間，雙向晶閘管自行關斷，接著C5又被電源反向充電，重復上述過程。分析電路時，觸發(fā)電路是工作在交流電路中的，交流電壓的正、負半周分別會發(fā)出正、負觸發(fā)脈沖送到雙向晶閘管的控制極，使管子在正、負半周內對稱地導通一次。改變RP的阻值，就改變了C5的充電速度，也就改變了雙向晶閘管的導通角，相應地改變了負載RL上的交流電壓，實現(xiàn)了交流調壓。同是不是可以直接作交流調壓器使用呢？一個簡易型調壓器，在要求不高的場合（如燈具調光）完全可以使用。這種調壓器的缺點有兩個：一是負載RL上的電壓不能從零伏起調，比較低只能調到20V。當RP調到比較大值時，C5充電速度變得很慢，以致在交流電壓的半個周期時間內，C5上的電壓還來不及上升到雙向觸發(fā)二極管的轉折電壓，雙向晶閘管就不能導通。為了克服這一缺點，增加了由R4、C4和R6組成的另一條阻容移相電路。當RP調到極限值以上時。C4上的電壓可經R6向C5充電。山東MTAC75晶閘管智能模塊配件選擇正高電氣，就是選擇質量、真誠和未來。

晶閘管智能模塊導通角與模塊輸出電流的關系

晶閘管模塊的導通角與模塊能輸出的較大電流有直接關系，模塊的標稱電流是較大導通角時能輸出的較大電流。在小導通角（輸出電壓與輸入電壓比值很?。┫螺敵龅碾娏鞣逯岛艽?，但電流的有效值很?。ㄖ绷鲀x表一般顯示平均值，交流儀表顯示非正弦電流時比實際值?。?，但是輸出電流的有效值很大，半導體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比，會使模塊嚴重發(fā)熱甚至燒毀。因此，模塊應選擇在極較大導通角的65％以上工作，及控制電壓應在5V以上。

    晶閘管調光電路主電路部分由二極管V5、V6和晶閘管V8、V9構成單相半控橋式整流電路，其輸出的直流可調電壓作為燈泡EL的電源。改變V8、V9控制極脈沖電壓的相位，即改變V8、V9控制角的大小，便可以改變輸出直流電壓的大小，進而改變燈泡EL的亮度?？刂齐娐酚蓡谓Y晶體管觸發(fā)電路構成，其作用是為V8、V9的控制極提供觸發(fā)脈沖電壓。調節(jié)電位器RP的大小可改變觸發(fā)脈沖的相位。脈沖形成是梯形同步電壓，經RP、R3對C充電，C兩端電壓上升到單結晶體管峰點電壓Up時，單結晶體管由截止變?yōu)閷?，由電容C通過e—b，、R5放電。放電電流在電阻R5上產生一組尖頂脈沖電壓，由R5輸出一組觸發(fā)脈沖，其中個脈沖使晶閘管觸發(fā)導通，后面的脈沖對晶閘管的工作沒有影響。隨著C的放電，當電容兩端電壓下降至單結晶體管谷點電壓Uv時，單結晶體管重新截止；電容C重新充電，重復上述過程，R5上又輸出一組尖頂脈沖電壓，這個過程反復進行。當梯形電壓過零點時，電容C兩端電壓也為零，因此電容每一次連續(xù)充放電的起點，就是電源電壓過零點，這樣就保證輸出脈沖電壓頻率和電源頻率同步。三、工具與測量儀表及電路元件明細表電路元件明細表晶閘管調光電路的元件明細表如表12—1所示。四、安裝與調試。正高電氣技術力量雄厚，工裝設備和檢測儀器齊備，檢驗與實驗手段完善。

    [1]單結管即單結晶體管，又稱為雙基極二極管，是一種具有一個PN結和兩個歐姆電極的負阻半導體器件。常見的有陶瓷封裝和金屬殼封裝的單結晶體管。[2]單結晶體管可分為N型基極單結管和P型基極單結管兩大類。單結晶體管的文字符號為“VT”，圖形符號如圖所示。[3]單結晶體管的主要參數有：①分壓比η，指單結晶體管發(fā)射極E至基極B1間的電壓（不包括PN結管壓降）在兩基極間電壓中所占的比例。②峰點電壓UP，是指單結晶體管剛開始導通時的發(fā)射極E與基極B1的電壓，其所對應的發(fā)射極電流叫做峰點電流IP。③谷點電壓UV，是指單結晶體管由負阻區(qū)開始進入飽和區(qū)時的發(fā)射極E與基極B1間的電壓，其所對應的發(fā)射極電流叫做谷點電流IV。[4]單結晶體管共有三個管腳，分別是：發(fā)射極E、基極B1和第二基極B2。圖示為兩種典型單結晶體管的管腳電極。[5]單結晶體管**重要的特性是具有負阻性，其基本工作原理如圖示（以N基極單結管為例）。當發(fā)射極電壓UE大于峰點電壓UP時，PN結處于正向偏置，單結管導通。隨著發(fā)射極電流IE的增加，大量空穴從發(fā)射極注入硅晶體，導致發(fā)射極與基極間的電阻急劇減小，其間的電位也就減小，呈現(xiàn)出負阻特性。[6]檢測單結晶體管時，萬用表置于“R×1k”擋。正高電氣嚴格控制原材料的選取與生產工藝的每個環(huán)節(jié)，保證產品質量不出問題。MTDC100晶閘管智能模塊組件

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    三相負載吸收的功率等于各相功率之和。上節(jié)已經分析了，如果把電阻R的星接結構改成角接結構，更改后的角接結構等效變換為星接結構時，對應的星接等效電阻為R/3。如下圖所示：角接等效星接三相對稱電路的瞬時功率P為各相負載瞬時功率之和：那么，此時的相電流為更改前相電流的3倍。因此，更改后的三相對稱電路功率P為更改**相對稱電流功率P0的3倍：晶閘管額定通態(tài)電流通常為電路額定電流的2倍。這意味著晶閘管比較大運行功率為額定功率的2倍，因此：同樣阻值的電阻，由星接更改為角接后，三相對稱電路的功率增大了3倍。這導致了晶閘管功率超限而燒毀。保證系統(tǒng)運行的基本要求：1從晶閘管的功率選型來看，需要把三角形連接電阻結構改為星接電阻結構。2如果電阻絲連接結構由星接變?yōu)榻墙?，要想保證設備能正常工作，需要更換耐流比現(xiàn)有晶閘管大3倍的晶閘管器件?；蛘吒鼡Q耐流比現(xiàn)有晶閘管大2倍的晶閘管器件同時把晶閘管的連接方式放在三角形里面與電阻串聯(lián)。更換晶閘管后設備可以提高3倍功率運行。3如果更換晶閘管后，設備還需要保持原有功率運行則需要如下操作：軟件控制方面要保證系統(tǒng)穩(wěn)定運行，應進行輸出功率限幅，降低系統(tǒng)控制輸出力度。山東MTAC75晶閘管智能模塊配件

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