SiP 可以將多個(gè)具有不同功能的有源電子元件與可選無(wú)源器件，諸如 MEMS 或者光學(xué)器件等其他器件優(yōu)先組裝到一起，實(shí)現(xiàn)一定功能的單個(gè)標(biāo)準(zhǔn)封裝件，形成一個(gè)系統(tǒng)或者子系統(tǒng)。這么看來(lái)，SiP 和 SoC 極為相似，兩者的區(qū)別是什么？能較大限度地優(yōu)化系統(tǒng)性能、避免重復(fù)封裝、縮短開(kāi)發(fā)周期、降低成本、提高集成度。對(duì)比 SoC，SiP 具有靈活度高、集成度高、設(shè)計(jì)周期短、開(kāi)發(fā)成本低、容易進(jìn)入等特點(diǎn)。而 SoC 發(fā)展至今，除了面臨諸如技術(shù)瓶頸高、CMOS、DRAM、GaAs、SiGe 等不同制程整合不易、生產(chǎn)良率低等技術(shù)挑戰(zhàn)尚待克服外，現(xiàn)階段 SoC 生產(chǎn)成本高，以及其所需研發(fā)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)等因素，都造成 SoC 的發(fā)展面臨瓶頸，也造就 SiP 的發(fā)展方向再次受到普遍的討論與看好。SiP封裝方法的應(yīng)用領(lǐng)域逐漸擴(kuò)展到工業(yè)控制、智能汽車、云計(jì)算、醫(yī)療電子等許多新興領(lǐng)域。浙江IPM封裝流程

除了2D和3D的封裝結(jié)構(gòu)外，另一種以多功能性基板整合組件的方式，也可納入SiP的范圍。此技術(shù)主要是將不同組件內(nèi)藏于多功能基板中，亦可視為是SiP的概念，達(dá)到功能整合的目的。不同的芯片，排列方式，與不同內(nèi)部結(jié)合技術(shù)搭配，使SiP 的封裝形態(tài)產(chǎn)生多樣化的組合，并可按照客戶或產(chǎn)品的需求加以客制化或彈性生產(chǎn)。SiP技術(shù)路線表明，越來(lái)越多的半導(dǎo)體芯片和封裝將彼此堆疊，以實(shí)現(xiàn)更深層次的3D封裝。圖2.19 是8芯片堆疊SiP，將現(xiàn)有多芯片封裝結(jié)合在一個(gè)堆疊中。微晶片的減薄化是SiP增長(zhǎng)面對(duì)的重要技術(shù)挑戰(zhàn)?，F(xiàn)在用于生產(chǎn)200mm和300mm微晶片的焊接設(shè)備可處理厚度為50um的晶片，因此允許更密集地堆疊芯片。江西COB封裝價(jià)位SiP 可以將多個(gè)具有不同功能的有源電子元件與可選無(wú)源器件。

什么情況下采用SIP ?當(dāng)產(chǎn)品功能越來(lái)越多，同時(shí)電路板空間布局受限，無(wú)法再設(shè)計(jì)更多元件和電路時(shí)，設(shè)計(jì)者會(huì)將此PCB板功能連帶各種有源或無(wú)源元件集成在一種IC芯片上，以完成對(duì)整個(gè)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)，即SIP應(yīng)用。SIP優(yōu)點(diǎn)：1、尺寸小，在相同的功能上，SIP模組將多種芯片集成在一起，相對(duì)單獨(dú)封裝的IC更能節(jié)省PCB的空間。2、時(shí)間快，SIP模組板身是一個(gè)系統(tǒng)或子系統(tǒng)，用在更大的系統(tǒng)中，調(diào)試階段能更快的完成預(yù)測(cè)及預(yù)審。7、簡(jiǎn)化物流管理，SIP模組能夠減少倉(cāng)庫(kù)備料的項(xiàng)目及數(shù)量，簡(jiǎn)化生產(chǎn)的步驟。

SiP的未來(lái)趨勢(shì)和事例。人們可以將SiP總結(jié)為由一個(gè)襯底組成，在該襯底上將多個(gè)芯片與無(wú)源元件組合以創(chuàng)建一個(gè)完整的功能單獨(dú)封裝，只需從外部連接到該封裝即可創(chuàng)建所需的產(chǎn)品。由于由此產(chǎn)生的尺寸減小和緊密集成，SiP在MP3播放器和智能手機(jī)等空間受限的設(shè)備中非常受歡迎。另一方面，如果只要有一個(gè)組件有缺陷，整個(gè)系統(tǒng)就會(huì)變得無(wú)法正常工作，從而導(dǎo)致制造良率下降。盡管如此，推動(dòng)SiP更多開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)的主要驅(qū)動(dòng)力是早期的可穿戴設(shè)備，移動(dòng)設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備市場(chǎng)。在當(dāng)前的SiP限制下，需求仍然是可控的，其數(shù)量低于成熟的企業(yè)和消費(fèi)類SoC市場(chǎng)。SiP技術(shù)路線表明，越來(lái)越多的半導(dǎo)體芯片和封裝將彼此堆疊，以實(shí)現(xiàn)更深層次的3D封裝。

3D主要有三種類型：埋置型、有源基板型、疊層型。其中疊層型是 當(dāng)前普遍采用的封裝形式。疊層型是在2D基礎(chǔ)上，把多個(gè)裸芯片、封裝芯片、多芯片組件甚至圓片進(jìn)行垂直互連，構(gòu)成立體疊層封裝。可以通過(guò)三種方法實(shí)現(xiàn)：疊層裸芯片封裝、封裝堆疊直連和嵌入式3D封裝。業(yè)界認(rèn)定3D封裝是擴(kuò)展SiP應(yīng)用的較佳方案，其中疊層裸芯片、封裝堆疊、硅通孔互連等都是當(dāng)前和將來(lái)3D封裝的主流技術(shù)。并排放置（平面封裝）的 SiP 是一種傳統(tǒng)的多芯片模塊封裝形式，其中使用了引線鍵合或倒裝芯片鍵合技術(shù)。SiP 封裝所有元件在一個(gè)封裝殼體內(nèi)，縮短了電路連接，見(jiàn)笑了阻抗、射頻、熱等損耗影響。吉林陶瓷封裝供應(yīng)商

汽車電子里的 SiP 應(yīng)用正在逐漸增加。浙江IPM封裝流程

對(duì)于堆疊結(jié)構(gòu)，可以區(qū)分如下幾種：芯片堆疊、PoP、PiP、TSV。堆疊芯片，是一種兩個(gè)或更多芯片堆疊并粘合在一個(gè)封裝中的組裝技術(shù)。這較初是作為一種將兩個(gè)內(nèi)存芯片放在一個(gè)封裝中以使內(nèi)存密度翻倍的方法而開(kāi)發(fā)的。 無(wú)論第二個(gè)芯片是在頭一個(gè)芯片的頂部還是在它旁邊，都經(jīng)常使用術(shù)語(yǔ)“堆疊芯片”。技術(shù)已經(jīng)進(jìn)步，可以堆疊許多芯片，但總數(shù)量受到封裝厚度的限制。芯片堆疊技術(shù)已被證明可以多達(dá) 24 個(gè)芯片堆疊。然而，大多數(shù)使用9 芯片高度的堆疊芯片封裝技術(shù)的來(lái)解決復(fù)雜的測(cè)試、良率和運(yùn)輸挑戰(zhàn)。芯片堆疊也普遍應(yīng)用在傳統(tǒng)的基于引線框架的封裝中，包括QFP、MLF 和 SOP 封裝形式。如下圖2.21的堆疊芯片封裝形式。浙江IPM封裝流程

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