SIP發(fā)展趨勢，多樣化，復(fù)雜化，密集化，SIP集成化越來越復(fù)雜，元件種類越來越多，球間距越來越小，開始采用銅柱代替錫球。多功能化，技術(shù)前沿化，低成本化，新技術(shù)，多功能應(yīng)用較前沿，工藝成熟，成板下降。工藝難點(diǎn)，清洗，定制清洗設(shè)備、清洗溶液要求、清洗參數(shù)驗證、清洗標(biāo)準(zhǔn)制定，植球，植球設(shè)備選擇、植球球徑要求、球體共面性檢查、BGA測試、助焊劑殘留要求。SIP技術(shù)是一項先進(jìn)的系統(tǒng)集成和封裝技術(shù)，與其它封裝技術(shù)相比較，SIP技術(shù)具有一系列獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢，滿足了當(dāng)今電子產(chǎn)品更輕、更小和更薄的發(fā)展需求，在微電子領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用市場和發(fā)展前景。。此外，國際上至今尚沒有制定出SIP技術(shù)的統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)，在一定程度妨礙了SIP技術(shù)的推廣應(yīng)用。由此可見，未來SIP技術(shù)的發(fā)展還面臨著一系列的問題和挑戰(zhàn)，有待于軟件、IC、封裝、材料和設(shè)備等專業(yè)廠家密切合作，共同發(fā)展和提升SIP技術(shù)。SiP是使用成熟的組裝和互連技術(shù)，把各種集成電路器件集成到一個封裝體內(nèi)，實(shí)現(xiàn)整機(jī)系統(tǒng)的功能。遼寧半導(dǎo)體芯片封裝價位

SiP封裝工藝介紹，SiP封裝技術(shù)采取多種裸芯片或模塊進(jìn)行排列組裝，若就排列方式進(jìn)行區(qū)分可大體分為平面式2D封裝和3D封裝的結(jié)構(gòu)。相對于2D封裝，采用堆疊的3D封裝技術(shù)又可以增加使用晶圓或模塊的數(shù)量，從而在垂直方向上增加了可放置晶圓的層數(shù)，進(jìn)一步增強(qiáng)SiP技術(shù)的功能整合能力。而內(nèi)部接合技術(shù)可以是單純的線鍵合（Wire Bonding），也可使用覆晶接合（Flip Chip），也可二者混用。目前世界上先進(jìn)的3D SiP 采用 Interposer（硅基中介層）將裸晶通過TSV（硅穿孔工藝）與基板結(jié)合。上海WLCSP封裝測試SiP 封裝所有元件在一個封裝殼體內(nèi)，縮短了電路連接，見笑了阻抗、射頻、熱等損耗影響。

SiP技術(shù)特點(diǎn)：制造工藝，SiP的制造涉及多種工藝，包括：基板技術(shù)：提供電氣連接和物理支持的基板，可以是有機(jī)材料（如PCB）或無機(jī)材料（如硅、陶瓷）。芯片堆疊：通過垂直堆疊芯片來節(jié)省空間，可能使用通過硅孔（TSV）技術(shù)來實(shí)現(xiàn)內(nèi)部連接。焊接和鍵合：使用焊球、金線鍵合或銅線鍵合等技術(shù)來實(shí)現(xiàn)芯片之間的電氣連接。封裝：較終的SiP模塊可能采用BGA（球柵陣列）、CSP（芯片尺寸封裝）或其他封裝形式。SiP 封裝制程按照芯片與基板的連接方式可分為引線鍵合封裝和倒裝焊兩種。

隨著科技的不斷進(jìn)步，半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷著一場由微型化和集成化驅(qū)動的變革。系統(tǒng)級封裝（System in Package，簡稱SiP）技術(shù)，作為這一變革的主要，正在引導(dǎo)著行業(yè)的發(fā)展。SiP技術(shù)通過將多個功能組件集成到一個封裝中，不只有效節(jié)省空間，實(shí)現(xiàn)更高的集成度，還提高了性能，這對于追求高性能和緊湊設(shè)計的現(xiàn)代電子產(chǎn)品至關(guān)重要。SiP被認(rèn)為是超越摩爾定律的必然選擇。什么是SiP技術(shù)？SiP（System in Package）技術(shù)是一種先進(jìn)的封裝技術(shù)，它允許將多個集成電路（IC）或者電子組件集成到一個單一的封裝中。這種技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)不同功能組件的物理集成，而這些組件可能是用不同的制造工藝制造的。SiP技術(shù)的關(guān)鍵在于它提供了一種方式來構(gòu)建復(fù)雜的系統(tǒng)，同時保持小尺寸和高性能。SiP 封裝技術(shù)采取多種裸芯片或模塊進(jìn)行排列組裝。

SIP產(chǎn)品封裝介紹，什么是SIP?SiP模組是一個功能齊全的子系統(tǒng)，它將一個或多個IC芯片及被動元件整合在一個封裝中。此IC芯片(采用不同的技術(shù)：CMOS、BiCMOS、GaAs等)是Wire bonding芯片或Flipchip芯片，貼裝在Leadfream、Substrate或LTCC基板上。被動元器件如RLC及濾波器(SAW/BAW/Balun等)以分離式被動元件、整合性被動元件或嵌入式被動元件的方式整合在一個模組中。SIP工藝流程劃分，SIP封裝制程按照芯片與基板的連接方式可分為引線鍵合封裝和倒裝焊兩種。SiP系統(tǒng)級封裝以其更小、薄、輕和更多功能的競爭力，為芯片和器件整合提供了新的可能性。浙江MEMS封裝流程

SiP封裝方法的應(yīng)用領(lǐng)域逐漸擴(kuò)展到工業(yè)控制、智能汽車、云計算、醫(yī)療電子等許多新興領(lǐng)域。遼寧半導(dǎo)體芯片封裝價位

晶圓級封裝（WLP）：1、定義，在晶圓原有狀態(tài)下重新布線，然后用樹脂密封，再植入錫球引腳，然后劃片將其切割成芯片，從而制造出真實(shí)芯片大小的封裝。注：重新布線是指在后段制程中，在芯片表面形成新的布線層。2、優(yōu)勢，傳統(tǒng)封裝中，將芯片裝進(jìn)封裝中的時候，封裝的尺寸都要大于芯片尺寸。WLP技術(shù)的優(yōu)勢是能夠?qū)崿F(xiàn)幾乎與芯片尺寸一樣大小的封裝。不只芯片是批量化制造，而且封裝也是批量化制造，可以較大程度上降低成本。WLP技術(shù)使用倒裝焊技術(shù)（FCB），所以被稱為FBGA（Flip Chip類型的BGA），芯片被稱為晶圓級CSP（Chip Size Package）。工藝流程，晶圓級封裝工藝流程：① 再布線工程（形成重新布線層的層間絕緣膜[中間介質(zhì)層]）；② 形成通孔和重新布線層（用來連接芯片和外部端子）；③ 形成銅柱，并在銅柱上面生成凸點(diǎn)；④ 用樹脂密封，再形成焊球并用劃片機(jī)切割成所需的芯片。遼寧半導(dǎo)體芯片封裝價位