淺談系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)的優(yōu)勢(shì)及失效分析，半導(dǎo)體組件隨著各種消費(fèi)性通訊產(chǎn)品的需求提升而必須擁有更多功能，組件之間也需要系統(tǒng)整合。因應(yīng)半導(dǎo)體制程技術(shù)發(fā)展瓶頸，系統(tǒng)單芯片（SoC）的開(kāi)發(fā)效益開(kāi)始降低，異質(zhì)整合困難度也提高，成本和所需時(shí)間居高不下。此時(shí)，系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）的市場(chǎng)機(jī)會(huì)開(kāi)始隨之而生。 采用系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)的優(yōu)勢(shì)，SiP，USI 云茂電子一站式微小化解決方案，相較于SoC制程，采用系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)的較大優(yōu)勢(shì)來(lái)自于可以根據(jù)功能和需求自由組合，為客戶提供彈性化設(shè)計(jì)。以較常見(jiàn)的智能型手機(jī)為例，常見(jiàn)的的功能模塊包括傳感器、Wi-Fi、BT/BLE、RF FEM、電源管理芯片…...等。而系統(tǒng)級(jí)封裝即是將這些單獨(dú)制造的芯片和組件共同整合成模塊，再?gòu)膯我还δ苣K整合成子系統(tǒng)，再將該系統(tǒng)安裝到手機(jī)系統(tǒng)PCB上。SiP是理想的解決方案，綜合了現(xiàn)有的芯核資源和半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝的優(yōu)勢(shì)，降低成本，縮短上市時(shí)間。深圳SIP封裝供應(yīng)

SiP系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)制程關(guān)鍵技術(shù)，高密度打件，在高密度打件制程方面，云茂電子已達(dá)到約為嬰兒發(fā)絲直徑的40μm。以10x10被動(dòng)組件數(shù)組做比較，大幅縮減超過(guò)70%的主板面積，其中的40%乃源自于打件技術(shù)的突破。 塑封 由于高密度打件采用微小化元器件與制程，因此元器件與載板之間的連結(jié)，吃錫量大幅減少，為提高打件可靠度，避免外界濕度、高溫及壓力等影響，塑封制程可將完整的元器件密封包覆在載板上。相較于一般委外封測(cè)(OSAT)塑封約100顆左右，云茂電子的系統(tǒng)級(jí)封裝塑封技術(shù)，則是可容納高達(dá)900顆組件。 山西模組封裝流程SiP 封裝所有元件在一個(gè)封裝殼體內(nèi)，縮短了電路連接，見(jiàn)笑了阻抗、射頻、熱等損耗影響。

系統(tǒng)級(jí)封裝的優(yōu)勢(shì)，SiP和SoC之間的主要區(qū)別在于，SoC 將所需的每個(gè)組件集成到同一芯片上，而 SiP方法采用異構(gòu)組件并將它們連接到一個(gè)或多個(gè)芯片載波封裝中。例如，SoC將CPU，GPU，內(nèi)存接口，HDD和USB連接，RAM / ROM和/或其控制器集成到單個(gè)芯片上，然后將其封裝到單個(gè)芯片中。相比之下，等效的SiP將采用來(lái)自不同工藝節(jié)點(diǎn)（CMOS，SiGe，功率器件）的單獨(dú)芯片，將它們連接并組合成單個(gè)封裝到單個(gè)基板（PCB）上?？紤]到這一點(diǎn)，很容易看出，與類似的SoC相比，SiP的集成度較低，因此SiP的采用速度很慢。然而，較近，2.5D 和 3D IC、倒裝芯片技術(shù)和封裝技術(shù)的進(jìn)步為使用 SiP 提供的可能性提供了新的視角。有幾個(gè)主要因素推動(dòng)了當(dāng)前用SiP取代SoC的趨勢(shì)：

SiP 與其他封裝形式又有何區(qū)別？SiP 與 3D、Chiplet 的區(qū)別Chiplet 可以使用更可靠和更便宜的技術(shù)制造，也不需要采用同樣的工藝，同時(shí)較小的硅片本身也不太容易產(chǎn)生制造缺陷。不同工藝制造的 Chiplet 可以通過(guò)先進(jìn)封裝技術(shù)集成在一起。Chiplet 可以看成是一種硬核形式的 IP，但它是以芯片的形式提供的。3D 封裝就是將一顆原來(lái)需要一次性流片的大芯片，改為若干顆小面積的芯片，然后通過(guò)先進(jìn)的封裝工藝，即硅片層面的封裝，將這些小面積的芯片組裝成一顆大芯片，從而實(shí)現(xiàn)大芯片的功能和性能，其中采用的小面積芯片就是 Chiplet。?因此，Chiplet 可以說(shuō)是封裝中的單元，先進(jìn)封裝是由 Chiplet /Chip 組成的，3D 是先進(jìn)封裝的工藝手段，SiP 則指代的是完成的封裝整體。通過(guò) 3D 技術(shù)，SiP 可以實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)集成度，在更小的面積內(nèi)封裝更多的芯片。不過(guò)，是否采用了先進(jìn)封裝工藝，并不是 SiP 的關(guān)注重點(diǎn)，SiP 關(guān)注系統(tǒng)在封裝內(nèi)的實(shí)現(xiàn)。不同的芯片排列方式，與不同的內(nèi)部接合技術(shù)搭配，使 SiP 的封裝形態(tài)產(chǎn)生多樣化的組合。

SiP 與先進(jìn)封裝也有區(qū)別：SiP 的關(guān)注點(diǎn)在于系統(tǒng)在封裝內(nèi)的實(shí)現(xiàn)，所以系統(tǒng)是其重點(diǎn)關(guān)注的對(duì)象，和 SiP 系統(tǒng)級(jí)封裝對(duì)應(yīng)的為單芯片封裝；先進(jìn)封裝的關(guān)注點(diǎn)在于：封裝技術(shù)和工藝的先進(jìn)性，所以先進(jìn)性的是其重點(diǎn)關(guān)注的對(duì)象，和先進(jìn)封裝對(duì)應(yīng)的是傳統(tǒng)封裝。SiP 封裝并無(wú)一定形態(tài)，就芯片的排列方式而言，SiP 可為多芯片模塊（Multi-chipModule；MCM）的平面式 2D 封裝，也可再利用 3D 封裝的結(jié)構(gòu)，以有效縮減封裝面積；而其內(nèi)部接合技術(shù)可以是單純地打線接合（WireBonding)，亦可使用覆晶接合（FlipChip)，但也可二者混用。SiP可以說(shuō)是先進(jìn)的封裝技術(shù)、表面安裝技術(shù)、機(jī)械裝配技術(shù)的融合。四川IPM封裝

構(gòu)成SiP技術(shù)的要素是封裝載體與組裝工藝。深圳SIP封裝供應(yīng)

SOC與SIP都是將一個(gè)包含邏輯組件、內(nèi)存組件、甚至包含無(wú)源組件的系統(tǒng)，整合在一個(gè)單位中。區(qū)別在于SOC是從設(shè)計(jì)的角度出發(fā)，將系統(tǒng)所需的組件高度集成到一塊芯片上；SIP是從封裝的立場(chǎng)出發(fā)，對(duì)不同芯片進(jìn)行并排或疊加的封裝方式，實(shí)現(xiàn)一定功能的單個(gè)標(biāo)準(zhǔn)封裝件。從某種程度上說(shuō)：SIP=SOC+其他（未能被集成到SOC中的芯片和組件）。SiP封裝基板半導(dǎo)體芯片封裝基板是封裝測(cè)試環(huán)境的關(guān)鍵載體，SiP封裝基板具有薄形化、高密度、高精度等技術(shù)特點(diǎn)，為芯片提供支撐，散熱和保護(hù)，同時(shí)提供芯片與基板之間的供電和機(jī)械鏈接。深圳SIP封裝供應(yīng)