合封電子、芯片合封和SiP系統(tǒng)級封裝經(jīng)常被提及的概念。但它們是三種不同的技術(shù)，還是同一種技術(shù)的不同稱呼？本文將幫助我們更好地理解它們的差異。合封電子與SiP系統(tǒng)級封裝的定義，首先合封電子和芯片合封都是一個意思合封電子是一種將多個芯片（多樣選擇）或不同的功能的電子模塊（LDO、充電芯片、射頻芯片、mos管）封裝在一起的定制化芯片，從而形成一個系統(tǒng)或者子系統(tǒng)。以實(shí)現(xiàn)更復(fù)雜、更高效的任務(wù)。云茂電子可定制組成方式包括CoC封裝技術(shù)、SiP封裝技術(shù)等。一個SiP可以選擇性地包含無源器件、MEMS、光學(xué)元件以及其他封裝和設(shè)備。遼寧COB封裝工藝

SIP產(chǎn)品封裝介紹，什么是SIP?SiP模組是一個功能齊全的子系統(tǒng)，它將一個或多個IC芯片及被動元件整合在一個封裝中。此IC芯片(采用不同的技術(shù)：CMOS、BiCMOS、GaAs等)是Wire bonding芯片或Flipchip芯片，貼裝在Leadfream、Substrate或LTCC基板上。被動元器件如RLC及濾波器(SAW/BAW/Balun等)以分離式被動元件、整合性被動元件或嵌入式被動元件的方式整合在一個模組中。SIP工藝流程劃分，SIP封裝制程按照芯片與基板的連接方式可分為引線鍵合封裝和倒裝焊兩種。湖北SIP封裝精選廠家構(gòu)成SiP技術(shù)的要素是封裝載體與組裝工藝。

不同類別芯片進(jìn)行3D集成時，通常會把兩個不同芯片豎直疊放起來，通過TSV進(jìn)行電氣連接，與下面基板相互連接，有時還需在其表面做RDL，實(shí)現(xiàn)上下TSV連接。4D SIP，4D集成定義主要是關(guān)于多塊基板的方位和相互連接方式，因此在4D集成也會包含2D，2.5D，3D的集成方式。物理結(jié)構(gòu)：多塊基板采用非平行的方式進(jìn)行安裝，且每一塊基板上均設(shè)有元器件，元器件的安裝方式具有多樣性。電氣連接：基板間采用柔性電路或焊接的方式相連，基板中芯片的電氣連接多樣化。

SiP技術(shù)特點(diǎn)：設(shè)計(jì)優(yōu)勢，SiP技術(shù)允許設(shè)計(jì)師將來自不同制造商的較佳芯片組合在一起，實(shí)現(xiàn)定制化的解決方案，這種靈活性使得SiP在多樣化的市場需求中具有普遍的應(yīng)用前景。主要優(yōu)勢如以下幾點(diǎn)：空間優(yōu)化：通過將多個組件集成到一個封裝中，SiP可以明顯減少電路板上所需的空間。性能提升：SiP可以通過優(yōu)化內(nèi)部連接和布局來提升性能，減少信號傳輸延遲。功耗降低：緊密集成的組件可以減少功耗，特別是在移動和便攜式設(shè)備中。系統(tǒng)可靠性：減少外部連接點(diǎn)可以提高系統(tǒng)的整體可靠性。SiP是使用成熟的組裝和互連技術(shù)，把各種集成電路器件集成到一個封裝體內(nèi)，實(shí)現(xiàn)整機(jī)系統(tǒng)的功能。

SiP 封裝優(yōu)勢：1）封裝面積增大，SiP在同一個封裝種疊加兩個或者多個芯片。把垂直方向的空間利用起來，同時不必增加引出管腳，芯片疊裝在同一個殼體內(nèi)，整體封裝面積較大程度上減少。2）采用超薄的芯片堆疊與TSV技術(shù)使得多層芯片的堆疊封裝體積減小，先進(jìn)的封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)多層芯片堆疊厚度。3）所有元件在一個封裝殼體內(nèi)，縮短了電路連接，見笑了阻抗、射頻、熱等損耗影響。提高了光，電等信號的性能。4）SiP 可將不同的材料，兼容不同的GaAs，Si，InP，SiC，陶瓷，PCB等多種材料進(jìn)行組合進(jìn)行一體化封裝。除了2D與3D的封裝結(jié)構(gòu)外，另一種以多功能性基板整合組件的方式，也可納入SiP的涵蓋范圍。山西陶瓷封裝方案

固晶貼片機(jī)（Die bonder），是封裝過程中的芯片貼裝（Die attach）的主要設(shè)備。遼寧COB封裝工藝

SiP可以說是先進(jìn)的封裝技術(shù)、表面安裝技術(shù)、機(jī)械裝配技術(shù)的融合。根據(jù)ITRS（International Technology Roadmap for Semiconductors）的定義：系統(tǒng)級封裝是多個具有不同功能的有源電子元件的組合，組裝在一個單元中，提供與系統(tǒng)或子系統(tǒng)相關(guān)的多種功能。一個SiP可以選擇性地包含無源器件、MEMS、光學(xué)元件以及其他封裝和設(shè)備。SiP 封裝技術(shù)采取多種裸芯片或模塊進(jìn)行排列組裝，若就排列方式區(qū)分可大體分為平面式2D封裝和3D封裝的結(jié)構(gòu)。采用堆疊的3D技術(shù)可以增加使用晶圓或模塊的數(shù)量，從而在垂直方向上增加可放置晶圓的層數(shù)，進(jìn)一步增強(qiáng)SiP技術(shù)的功能整合能力；而其內(nèi)部接合技術(shù)可以是單純的線鍵合（Wire Bonding），也可使用倒裝鍵合（Flip chip），也可二者混用。遼寧COB封裝工藝