什么是負(fù)離子,沃壹小編給大家分析一下
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【負(fù)離子科普二】自然界中的負(fù)離子從哪里來的?
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負(fù)離子發(fā)生器的原理是什么呢?
負(fù)離子到底是什么,一般涉及到的行業(yè)、產(chǎn)品有哪些?
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關(guān)于負(fù)離子的常見十問
運(yùn)動(dòng),需要選對(duì)時(shí)間和地點(diǎn)
負(fù)離子給我們生活帶來的好處-空氣凈化負(fù)離子發(fā)生器制造商
SIP優(yōu)點(diǎn):1、高生產(chǎn)效率,通過SIP里整合分離被動(dòng)元件,降低不良率,從而提高整體產(chǎn)品的成品率。模組采用高階的IC封裝工藝,減少系統(tǒng)故障率。2、簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì),SIP將復(fù)雜的電路融入模組中,降低PCB電路設(shè)計(jì)的復(fù)雜性。SIP模組提供快速更換功能,讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員輕易加入所需功能。3、成本低,SIP模組價(jià)格雖比單個(gè)零件昂貴,然而PCB空間縮小,低故障率、低測(cè)試成本及簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì),使總體成本減少。4、簡化系統(tǒng)測(cè)試,SIP模組出貨前已經(jīng)過測(cè)試,減少整機(jī)系統(tǒng)測(cè)試時(shí)間。微晶片的減薄化是SiP增長面對(duì)的重要技術(shù)挑戰(zhàn)。重慶系統(tǒng)級(jí)封裝廠家
晶圓級(jí)封裝(WLP):1、定義,在晶圓原有狀態(tài)下重新布線,然后用樹脂密封,再植入錫球引腳,然后劃片將其切割成芯片,從而制造出真實(shí)芯片大小的封裝。注:重新布線是指在后段制程中,在芯片表面形成新的布線層。2、優(yōu)勢(shì),傳統(tǒng)封裝中,將芯片裝進(jìn)封裝中的時(shí)候,封裝的尺寸都要大于芯片尺寸。WLP技術(shù)的優(yōu)勢(shì)是能夠?qū)崿F(xiàn)幾乎與芯片尺寸一樣大小的封裝。不只芯片是批量化制造,而且封裝也是批量化制造,可以較大程度上降低成本。WLP技術(shù)使用倒裝焊技術(shù)(FCB),所以被稱為FBGA(Flip Chip類型的BGA),芯片被稱為晶圓級(jí)CSP(Chip Size Package)。工藝流程,晶圓級(jí)封裝工藝流程:① 再布線工程(形成重新布線層的層間絕緣膜[中間介質(zhì)層]);② 形成通孔和重新布線層(用來連接芯片和外部端子);③ 形成銅柱,并在銅柱上面生成凸點(diǎn);④ 用樹脂密封,再形成焊球并用劃片機(jī)切割成所需的芯片。重慶系統(tǒng)級(jí)封裝廠家構(gòu)成SiP技術(shù)的要素是封裝載體與組裝工藝。
PiP封裝的優(yōu)點(diǎn):1)外形高度較低;2)可以采用標(biāo)準(zhǔn)的SMT電路板裝配工藝;3)單個(gè)器件的裝配成本較低。PiP封裝的局限性:(1)由于在封裝之前單個(gè)芯片不可以單獨(dú)測(cè)試,所以總成本會(huì)高(封裝良率問題);(2)事先需要確定存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu),器件只能有設(shè)計(jì)服務(wù)公司決定,沒有終端使用者選擇的自由。TSV,W2W的堆疊是將完成擴(kuò)散的晶圓研磨成薄片,逐層堆疊而成。層與層之間通過直徑在10μm以下的細(xì)微通孔而實(shí)現(xiàn)連接。此種技術(shù)稱為TSV(Through silicon via)。與常見IC封裝的引線鍵合或凸點(diǎn)鍵合技術(shù)不同,TSV能夠使芯片在三維方向堆疊的密度更大、外形尺寸更小,并且較大程度上改善芯片速度和降低功耗,成為3D芯片新的發(fā)展方向。
隨著物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代越來越深入人心,不斷的開發(fā)和研究有助于使SiP更接近SoC,降低成本,減少批量要求和初始投資,并在系統(tǒng)簡化方面呈現(xiàn)積極趨勢(shì)。此外,制造越來越大的單片SoC的推動(dòng)力開始在設(shè)計(jì)驗(yàn)證和可制造性方面遇到障礙,因?yàn)閾碛懈蟮男酒瑫?huì)導(dǎo)致更大的故障概率,從而造成更大的硅晶圓損失。從IP方面來看,SiP是SoC的未來替代品,因?yàn)樗鼈兛梢约奢^新的標(biāo)準(zhǔn)和協(xié)議,而無需重新設(shè)計(jì)。此外,SiP方法允許更快、更節(jié)能的通信和電力輸送,這是在考慮Si應(yīng)用的長期前景時(shí)另一個(gè)令人鼓舞的因素。SiP 封裝優(yōu)勢(shì):縮短產(chǎn)品研制和投放市場(chǎng)的周期。
PoP(Package-on-Package),是用于將邏輯器件和存儲(chǔ)器器件進(jìn)行疊層封裝的技術(shù)。通常情況下底層多為邏輯器件,例如移動(dòng)電話基帶(調(diào)制解調(diào)器)處理器或應(yīng)用處理器,上層為存儲(chǔ)器,例如閃存或者疊層內(nèi)存芯片。顯然,這種垂直組合封裝的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是節(jié)省了電路板空間。適用于需要在更小空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更多功能的應(yīng)用,例如數(shù)碼相機(jī)、PDA、MP3 播放器和移動(dòng)游戲設(shè)備等。POP的工藝流程,PoP的組裝方式目前有兩種。一種是預(yù)制PoP工序,即先將PoP的多層封裝堆疊到一起,焊接成一個(gè)元器件,再貼裝到PCB上,然后再進(jìn)行一次回流焊。一種是在板PoP工序上,依次將底部的BGA和頂部BGA封裝在PCB上,然后過一次回流焊。系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)技術(shù)是通過將多個(gè)裸片(Die)及無源器件整合在單個(gè)封裝體內(nèi)的集成電路封裝技術(shù)。南通系統(tǒng)級(jí)封裝參考價(jià)
SIP發(fā)展趨勢(shì),多樣化,復(fù)雜化,密集化。重慶系統(tǒng)級(jí)封裝廠家
SiP 封裝種類,SiP涉及許多類型的封裝技術(shù),如超精密表面貼裝技術(shù)(SMT)、封裝堆疊技術(shù),封裝嵌入式技術(shù)、超薄晶圓鍵合技術(shù)、硅通孔(TSV)技術(shù)以及芯片倒裝(Flip Chip)技術(shù)等。 封裝結(jié)構(gòu)復(fù)雜形式多樣。SiP幾種分類形式,從上面也可以看到SiP是先進(jìn)的封裝技術(shù)和表面組裝技術(shù)的融合。SiP并沒有一定的結(jié)構(gòu)形態(tài),芯片的排列方式可為平面式2D裝和立體式3D封裝。由于2D封裝無法滿足系統(tǒng)的復(fù)雜性,必須充分利用垂直方向來進(jìn)一步擴(kuò)展系統(tǒng)集成度,故3D成為實(shí)現(xiàn)小尺寸高集成度封裝的主流技術(shù)。重慶系統(tǒng)級(jí)封裝廠家