對于堆疊結(jié)構(gòu)，可以區(qū)分如下幾種：芯片堆疊、PoP、PiP、TSV。堆疊芯片，是一種兩個或更多芯片堆疊并粘合在一個封裝中的組裝技術(shù)。這較初是作為一種將兩個內(nèi)存芯片放在一個封裝中以使內(nèi)存密度翻倍的方法而開發(fā)的。 無論第二個芯片是在頭一個芯片的頂部還是在它旁邊，都經(jīng)常使用術(shù)語“堆疊芯片”。技術(shù)已經(jīng)進步，可以堆疊許多芯片，但總數(shù)量受到封裝厚度的限制。芯片堆疊技術(shù)已被證明可以多達 24 個芯片堆疊。然而，大多數(shù)使用9 芯片高度的堆疊芯片封裝技術(shù)的來解決復(fù)雜的測試、良率和運輸挑戰(zhàn)。芯片堆疊也普遍應(yīng)用在傳統(tǒng)的基于引線框架的封裝中，包括QFP、MLF 和 SOP 封裝形式。如下圖2.21的堆疊芯片封裝形式。隨著集成的功能越來越多，PCB承載的功能將逐步轉(zhuǎn)移到SIP芯片上。天津陶瓷封裝方式

汽車汽車電子是 SiP 的重要應(yīng)用場景。汽車電子里的 SiP 應(yīng)用正在逐漸增加。以發(fā)動機控制單元（ECU）舉例，ECU 由微處理器（CPU）、存儲器（ROM、RAM）、輸入/輸出接口（I/O）、模數(shù)轉(zhuǎn)換器（A/D）以及整形、驅(qū)動等大規(guī)模集成電路組成。各類型的芯片之間工藝不同，目前較多采用 SiP 的方式將芯片整合在一起成為完整的控制系統(tǒng)。另外，汽車防抱死系統(tǒng)（ABS)、燃油噴射控制系統(tǒng)、安全氣囊電子系統(tǒng)、方向盤控制系統(tǒng)、輪胎低氣壓報警系統(tǒng)等各個單元，采用 SiP 的形式也在不斷增多。山東系統(tǒng)級封裝行價SIP技術(shù)具有一系列獨特的技術(shù)優(yōu)勢，滿足了當今電子產(chǎn)品更輕、更小和更薄的發(fā)展需求。

SiP具有以下優(yōu)勢：小型化 – 半導(dǎo)體制造的一個極具影響力的元素是不斷小型化的能力。這一事實在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和小工具的新時代變得越來越重要。但是，當系統(tǒng)中只有幾個組件可以縮小時，維護起來變得越來越困難。SiP在這里大放異彩，因為它可以提供更好的芯片集成和更緊密的無源集成。通過這種方式，SiP方法可以將給定系統(tǒng)的整體尺寸減小多達65%。簡化 – SiP方法允許芯片設(shè)計人員使用更抽象的構(gòu)建模塊，從而具有更高的周轉(zhuǎn)率和整體更短的設(shè)計周期的優(yōu)勢。此外，BOM也得到了簡化，從而減少了對已經(jīng)經(jīng)過驗證的模塊的測試。

系統(tǒng)級封裝的優(yōu)勢，SiP和SoC之間的主要區(qū)別在于，SoC 將所需的每個組件集成到同一芯片上，而 SiP方法采用異構(gòu)組件并將它們連接到一個或多個芯片載波封裝中。例如，SoC將CPU，GPU，內(nèi)存接口，HDD和USB連接，RAM / ROM和/或其控制器集成到單個芯片上，然后將其封裝到單個芯片中。相比之下，等效的SiP將采用來自不同工藝節(jié)點（CMOS，SiGe，功率器件）的單獨芯片，將它們連接并組合成單個封裝到單個基板（PCB）上?？紤]到這一點，很容易看出，與類似的SoC相比，SiP的集成度較低，因此SiP的采用速度很慢。然而，較近，2.5D 和 3D IC、倒裝芯片技術(shù)和封裝技術(shù)的進步為使用 SiP 提供的可能性提供了新的視角。有幾個主要因素推動了當前用SiP取代SoC的趨勢：構(gòu)成SiP技術(shù)的要素是封裝載體與組裝工藝。

SiP的未來趨勢和事例。人們可以將SiP總結(jié)為由一個襯底組成，在該襯底上將多個芯片與無源元件組合以創(chuàng)建一個完整的功能單獨封裝，只需從外部連接到該封裝即可創(chuàng)建所需的產(chǎn)品。由于由此產(chǎn)生的尺寸減小和緊密集成，SiP在MP3播放器和智能手機等空間受限的設(shè)備中非常受歡迎。另一方面，如果只要有一個組件有缺陷，整個系統(tǒng)就會變得無法正常工作，從而導(dǎo)致制造良率下降。盡管如此，推動SiP更多開發(fā)和生產(chǎn)的主要驅(qū)動力是早期的可穿戴設(shè)備，移動設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備市場。在當前的SiP限制下，需求仍然是可控的，其數(shù)量低于成熟的企業(yè)和消費類SoC市場。SiP并沒有一定的結(jié)構(gòu)形態(tài)，芯片的排列方式可為平面式2D裝和立體式3D封裝。山東系統(tǒng)級封裝行價

Sip這種創(chuàng)新性的系統(tǒng)級封裝不只大幅降低了PCB的使用面積，同時減少了對外圍器件的依賴。天津陶瓷封裝方式

SiP 封裝優(yōu)勢。在IC封裝領(lǐng)域，是一種先進的封裝，其內(nèi)涵豐富，優(yōu)點突出，已有若干重要突破，架構(gòu)上將芯片平面放置改為堆疊式封裝，使密度增加，性能較大程度上提高，表示著技術(shù)的發(fā)展趨勢，在多方面存在極大的優(yōu)勢特性，體現(xiàn)在以下幾個方面。SiP 實現(xiàn)是系統(tǒng)的集成。采用要給封裝體來完成一個系統(tǒng)目標產(chǎn)品的全部互聯(lián)以及功能和性能參數(shù)，可同時利用引線鍵合與倒裝焊互連技術(shù)以及別的IC芯片堆疊等直接內(nèi)連技術(shù)，將多個IC芯片與分立有源和無源器件封裝在一個管殼內(nèi)。天津陶瓷封裝方式