淺談系統(tǒng)級封裝(SiP)的優(yōu)勢及失效分析，半導體組件隨著各種消費性通訊產品的需求提升而必須擁有更多功能，組件之間也需要系統(tǒng)整合。因應半導體制程技術發(fā)展瓶頸，系統(tǒng)單芯片（SoC）的開發(fā)效益開始降低，異質整合困難度也提高，成本和所需時間居高不下。此時，系統(tǒng)級封裝（SiP）的市場機會開始隨之而生。 采用系統(tǒng)級封裝(SiP)的優(yōu)勢，SiP，USI 云茂電子一站式微小化解決方案，相較于SoC制程，采用系統(tǒng)級封裝(SiP)的較大優(yōu)勢來自于可以根據(jù)功能和需求自由組合，為客戶提供彈性化設計。以較常見的智能型手機為例，常見的的功能模塊包括傳感器、Wi-Fi、BT/BLE、RF FEM、電源管理芯片…...等。而系統(tǒng)級封裝即是將這些單獨制造的芯片和組件共同整合成模塊，再從單一功能模塊整合成子系統(tǒng)，再將該系統(tǒng)安裝到手機系統(tǒng)PCB上。SiP封裝基板半導體芯片封裝基板是封裝測試環(huán)境的關鍵載體。江蘇芯片封裝廠家

SIP工藝解析：引線鍵合，在塑料封裝中使用的引線主要是金線，其直徑一般0.025mm～0.032mm。引線的長度常在1.5mm～3mm之間，而弧圈的高度可比芯片所在平面高0.75mm。鍵合技術有熱壓焊、熱超聲焊等。等離子清洗，清洗的重要作用之一是提高膜的附著力。等離子體處理后的基體表面，會留下一層含氯化物的灰色物質，可用溶液去掉。同時清洗也有利于改善表面黏著性。液態(tài)密封劑灌封，將已貼裝好芯片并完成引線鍵合的框架帶置于模具中，將塑封料的預成型塊在預熱爐中加熱，并進行注塑。遼寧MEMS封裝價位SOC與SIP都是將一個包含邏輯組件、內存組件、甚至包含無源組件的系統(tǒng)，整合在一個單位中。

什么是系統(tǒng)級封裝SIP？1、SIP介紹，SIP（System In Package，系統(tǒng)級封裝）為一種封裝的概念，它是將多個半導體及一些必要的輔助零件，做成一個相對單獨的產品，可以實現(xiàn)某種系統(tǒng)級功能，并封裝在一個殼體內。較終以一個零件的形式出現(xiàn)在更高階的系統(tǒng)級PCBA(Printed Circuit Board Assembly)。2.SIP與SOC，SOC(System On a Chip，系統(tǒng)級芯片)是將原本不同功能的IC，整合到一顆芯片中，比如在一個芯片中集成數(shù)字電路、模擬電路、存儲器和接口電路等，以實現(xiàn)圖像處理、語言處理、通訊功能和數(shù)據(jù)處理等多種功能。

「共形」及「分段型」屏蔽，另一方面，系統(tǒng)級封裝模塊需要高密度整合上百顆電子組件，同時避免與PCB主板上其他組件相互干擾。此外，在模塊外部也必須解決相同的干擾問題。因此，必須透過一項重要制程來形成組件之間的屏障，業(yè)界稱之為共形屏蔽(Conformal Shielding)和分段型屏蔽(Compartment Shielding)。 在業(yè)界普遍常見的金屬屏蔽罩，每一段均需要保留約1mm寬度的焊盤與排除區(qū)域 (Keep-Out Zone)，云茂電子的共形及分段型屏蔽只需10%的寬度。以一個多頻4G模塊為例，可為其他組件騰出超過17%的空間，并可屏蔽40-50 dB的電磁干擾。 預計到2028年，SiP系統(tǒng)級封裝市場總收入將達到338億美元，年復合增長率為8.1%。

系統(tǒng)集成封裝（System in Package）可將多個集成電路 (IC) 和元器件組合到單個系統(tǒng)或模塊化系統(tǒng)中，以實現(xiàn)更高的性能，功能和處理速度，同時大幅降低電子器件內部的空間要求。SiP的基本定義，SiP封裝（System In Package系統(tǒng)級封裝）是將多種功能芯片，包括處理器、存儲器等功能芯片集成在一個封裝內，從而實現(xiàn)一個基本完整的功能，與SOC（System On Chip系統(tǒng)級芯片）相對應。不同的是SiP是采用不同功能的芯片在基板上進行并排或疊構后組成功能系統(tǒng)后進行封裝。而SOC則是將所需的組件高度集成在一塊芯片上進行封裝。SiP系統(tǒng)級封裝技術將處理芯片、存儲芯片、被動元件、連接器、天線等多功能器件整合在同一基板上。山西模組封裝方案

汽車電子里的 SiP 應用正在逐漸增加。江蘇芯片封裝廠家

硅中介層具有TSV集成方式為2.5D集成技術中較為普遍的方式，芯片一般用MicroBump與中介層連接，硅基板做中介層使用Bump與基板連接，硅基板的表面采用RDL接線，TSV是硅基板上、下表面的電連接通道，該2.5D集成方式適用于芯片尺寸相對較大的場合，當引腳密度較大時，通常采用Flip Chip方式將Die鍵合到硅基板中。硅中介層無TSV的2.5D集成結構一般如下圖所示，有一顆面積較大的裸芯片直接安裝在基板上，該芯片和基板的連接可以采用Bond Wire 或者Flip Chip兩種方式。大芯片上方由于面積較大，可以安裝多個較小的裸芯片，但是小芯片無法直接連接到基板，所以需要插入一塊中介層，若干裸芯片安裝于中介層之上，中介層具有RDL布線可以從中介層邊緣引出芯片信號，再經Bond Wire 與基板相連。這種中介層一般無需TSV，只需在interposer的上層布線來實現(xiàn)電氣互連，interposer采用Bond Wire和封裝基板連接。江蘇芯片封裝廠家