石墨烯***發(fā)現(xiàn)是用膠帶一層層粘下來的。石墨烯的發(fā)現(xiàn)可以追溯到2004年，由英國曼徹斯特大學的安德烈·蓋姆和康斯坦丁·諾沃肖洛夫以及荷蘭的斯圖爾特·帕克共同發(fā)現(xiàn)。教授的發(fā)現(xiàn)源于對石墨材料進行的實驗。教授們采用了一種特殊的方法，使用膠帶將石墨片層層撕離，**終得到了非常薄的一層石墨片。通過對這層石墨片的觀察和研究，教授們發(fā)現(xiàn)這個材料具有非常特殊的性質。石墨烯是一種只有一個原子層厚度的二維碳材料，由碳原子以六角晶格結構排列組成。它具有一些非常獨特的性質，比如極高的電導率、優(yōu)異的熱導率、強度高、柔韌性好等。這些特性使得石墨烯成為研究領域中的熱門材料，并在納米科技、電子學、能源存儲等眾多領域展現(xiàn)出巨大的潛力。蓋姆、諾沃肖洛夫和帕克因為對石墨烯的發(fā)現(xiàn)和研究做出的貢獻，于2010年被授予了諾貝爾物理學獎。教授們的工作奠定了石墨烯研究的基礎，并為未來的石墨烯應用開發(fā)打下了堅實的基礎。 氧化石墨烯含有豐富的羥基、羧基和環(huán)氧基等含氧官能團，更高的氧化程度，更好的剝離度。河北制備氧化石墨烯改性

    涂膜法是一種操作簡單、效率相對較高的制備方法，常見的涂膜法可分為噴涂法和旋涂法兩種。３〇＾０山６［４６］等人將００懸浮液噴涂在預熱后的５１／３丨０２基材上，待溶劑完全蒸發(fā)后得到石墨烯薄膜。在噴涂過程中，可通過調節(jié)噴霧持續(xù)時間和分散液濃度來精確地控制ＧＯ片的厚度及密度，進一步還原后所得到的石墨烯薄膜可作為Ｐ型半導體，并表現(xiàn)出良好的場效應響應。除了普遍使用的噴涂法之外，Ｌｉａｎ［４７］等人將電噴霧沉積法與卷對卷工藝相結合，經過機械壓實和２２００°Ｃ高溫處理后得到***石墨烯薄膜，熱導率比較高可達１４３４Ｗｎｒ１Ｋ－１，并且可實現(xiàn)大面積生產。Ｂａｏ［４］等人將ＧＯ分散液沉積在強氧化劑處理過的玻璃基材表面，并使基材分別以５００ｒｐｍ、８００ｒｐｍ和１６００ｒｐｍ的速度旋轉３０ｓ，***在１００°Ｃ烘箱中干燥得到超薄石墨烯薄膜，其電阻可降低至１〇２？ｌ〇３ｎｎｒ２范圍之間，透光率高達８０％，在透明導體方向有著良好的應用前景。 河北制備氧化石墨烯研發(fā)GO氧化石墨（粉末）為棕黑色固體。

石墨經過氧化處理后得到氧化石墨，氧化石墨仍保持石墨的層狀結構，但在每一層的石墨烯單片上引入了許多氧基功能團。這些氧基功能團的引入使得單一的石墨烯結構變得非常復雜。鑒于氧化石墨烯在石墨烯材料領域中的地位，許多科學家試圖對氧化石墨烯的結構進行詳細和準確的描述，以便有利于石墨烯材料的進一步研究，雖然已經利用了計算機模擬、拉曼光譜，核磁共振等手段對其結構進行分析，但由于種種原因(不同的制備方法，實驗條件的差異以及不同的石墨來源對氧化石墨烯的結構都有一定的影響)，氧化石墨烯的精確結構還無法得到確定。大家普遍接受的結構模型是在氧化石墨烯單片上隨機分布著羥基和環(huán)氧基，而在單片的邊緣則引入了羧基和羰基。**近的理論分析表明氧化石墨烯的表面官能團并不是隨機分布，而是具有高度的相關性。

隨著５Ｇ時代的到來，電子設備運行速度***增加的同時，其尺寸也在向微型化發(fā)展，這勢必會導致電子設備在運行過程中產生大量的熱量，從而影響其穩(wěn)定性、可靠性和安全性。因此，設計和制備具有高性能的高導熱散熱材料是促進電子設備發(fā)展的關鍵問題之一。另外，隨著工業(yè)的快速發(fā)展和人口的迅速增長，石油、煤炭、天然氣等不可再生化石燃料的消耗日益增多，導致能源愈發(fā)短缺，因此制備能夠有效吸收、轉換和利用太陽能的新型熱能存儲材料成為了目前急需解決的難題。由于石墨烯具有高熱導率、高吸光性及優(yōu)異的機械性能，被作為制備熱能存儲材料、散熱材料等熱管理材料的理想選擇。氧化石墨易于剝離成穩(wěn)定的氧化石墨烯分散液，易于成膜。

利用石墨烯的納米效應，將石墨烯和其他材料制備成復合薄膜也是石墨烯應用到熱管理中的途徑之一。如中科院陳成猛團隊[58]制備出一種柔性的石墨烯-碳纖維復合膜散熱片，結果表明其熱導率達到977W/(m·K)，其熱傳遞的效果好于銅。**科大[59]制備出三維的石墨烯-碳納米環(huán)薄膜，其熱導率可達946W/(m·K)。浙江大學高超團隊[60]報道了一種快速濕紡組裝（wet-spinningassembly）的方法制備石墨烯薄膜，其熱導率達530~810W/(m·K)?？梢?，將石墨烯和其他材料制備成復合薄膜，復合薄膜的氧化石墨烯是制備導熱膜的主要原料。廣東新型氧化石墨烯有哪些

氧化石墨烯粉末經分散可以呈現(xiàn)單層懸浮液狀態(tài)。河北制備氧化石墨烯改性

    在用氧化還原法將石墨剝離為石墨烯的工業(yè)化生產過程中，得到的石墨烯微片富含多種含氧官能團。由于石墨烯片層上的這些缺陷，在一些情況下，石墨烯微片無法滿足某些復合材料在抗靜電或導電、隔熱或導熱等方面的特殊要求。為了修復石墨烯片層上的缺陷，提高石墨烯微片的碳含量和在導電、導熱等方面的性能。通過調控氧化石墨烯的結構，降低氧化程度，降低難分解的芳香族官能團，如內酯、酮羰基、羧基等官能團的含量，從而增加后續(xù)官能團分解的效率和降低分解溫度。調控氧化條件，減少面內大面積反應。該減少缺陷的方案，有助于提升還原效率，減少面內難以修復的孔洞，使碳原子排布更密集，進一步減少修復段的勢壘，將能量用于增加碳原子離域尺寸，提升晶元大線，從而提升還原石墨烯的本征導電性。研發(fā)了深度還原技術，并通過自主開發(fā)的還原設備，將石墨烯微片碳的質量分數(shù)提高到90%以上；且粉末電導率相比還原前提升20倍，達到了4000S/m以上。 河北制備氧化石墨烯改性