四氟化碳的溶氧性很好，因此被科學(xué)家用于超深度潛水實(shí)驗(yàn)代替普通壓縮空氣。目前已在老鼠身上獲得成功，在275米到366米的深度內(nèi)，四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量比較大的等離子蝕刻氣體，也可以廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅，磷硅玻璃及鎢等薄膜材料的蝕刻，在電子器件表面清洗，太陽能電池的生產(chǎn)，鋁合金門窗制造、激光技術(shù)、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗(yàn)劑、控制宇宙火箭姿態(tài)，印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。同時(shí)，由于四氟化碳的化學(xué)穩(wěn)定性，四氟化碳可用于金屬冶煉，例如：銅、不銹鋼，碳鋼、鋁、蒙乃爾等；還可用于塑料行業(yè)；如：合成橡膠、氯丁橡膠、聚氨基甲酸乙酯。

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另一方面，為了保持氣體供應(yīng)穩(wěn)定，客戶在與氣體供應(yīng)商建立合作關(guān)系后不會(huì)輕易更換氣體供應(yīng)商，且雙方會(huì)建立反饋機(jī)制以滿足客戶的個(gè)性化需求，客戶粘性不斷強(qiáng)化。因此，對(duì)新進(jìn)入者而言，長(zhǎng)認(rèn)證周期與強(qiáng)客戶粘性形成了較高的客戶壁壘。行業(yè)還具有營(yíng)銷網(wǎng)絡(luò)、服務(wù)壁壘。營(yíng)銷網(wǎng)絡(luò)主要體現(xiàn)在氣體公司需要投入大量人力物力進(jìn)行鋪點(diǎn)建設(shè)，不斷擴(kuò)大營(yíng)銷服務(wù)網(wǎng)絡(luò)，以滿足下游客戶對(duì)氣體種類、響應(yīng)速度、服務(wù)質(zhì)量的高要求。氣體下游客戶需要的服務(wù)則包括包裝容器處理、檢測(cè)、維修及供氣系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、安裝乃至氣體供應(yīng)商的配送服務(wù)等。

從近幾年大陸半導(dǎo)體材料、設(shè)備的需求占比來看，大陸半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模占全球的比重由 2013 年的約 4%提升到 2018 年的約 16%，大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模占全球比重由 2016 年的約 16%提升到 2018 年的約 20%。而可預(yù)見的未來，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)能的增加將進(jìn)一步帶動(dòng)本地半導(dǎo)體材料需求。近年來，隨著國(guó)家的對(duì)于集成電路產(chǎn)業(yè)的重視以及資本的支持，國(guó)內(nèi)的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，但是與國(guó)外仍有不小的差距。特別是在上游的半導(dǎo)體材料等領(lǐng)域，更是差距巨大。不過，隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造的崛起，也推動(dòng)了半導(dǎo)體材料的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。也要注意使用四氟化碳的注意事項(xiàng)。

四氟化碳和氧氣瓶在高溫下不反映，四氟化碳是現(xiàn)階段電子光學(xué)制造業(yè)中使用量較大的低溫等離子蝕刻工藝汽體，其高純度氣及四氟化碳高純度氣配高純氧氣的混合體，可市場(chǎng)應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢塑料薄膜原材料的蝕刻工藝。針對(duì)硅和二氧化硅管理體系，選用CF4-H2反映正離子刻蝕時(shí)，根據(jù)調(diào)整二種汽體的占比，能夠得到45：1的可選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅塑料薄膜時(shí)很有效。不良影響簡(jiǎn)述危險(xiǎn)因素類型：GB2.2類不燃?xì)怏w入侵方式：吸進(jìn)身心健康傷害：吸進(jìn)高濃的四氟化碳出現(xiàn)呼吸不暢、嘔吐等室息病癥。在蝕刻過程中，用四氟化碳將多余的銅皮腐蝕掉。上海市原裝四氟化碳高性價(jià)比的選擇

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隨著我國(guó)經(jīng)濟(jì)結(jié)構(gòu)調(diào)整，新興產(chǎn)業(yè)，特別是計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、通信等產(chǎn)業(yè)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)，拉動(dòng)了對(duì)上游集成電路需求。近幾年我國(guó)從國(guó)家信息安全戰(zhàn)略層面不斷加大對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)的政策支持力度，同時(shí)，伴隨國(guó)內(nèi)集成電路技術(shù)的積累，國(guó)內(nèi)近幾年集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)，2014年至2019年期間復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到13.45%，2019年的產(chǎn)值已達(dá)到1494.8億。另一方面，隨著半導(dǎo)體制程節(jié)點(diǎn)的進(jìn)一步縮小，每片晶圓的成本越來越高，特種氣體的消耗量也逐漸增多。邏輯芯片隨著制程節(jié)點(diǎn)的縮小，特種氣體消耗量增長(zhǎng)率達(dá)20%，存儲(chǔ)芯片特種氣體消耗量增長(zhǎng)率為1%。

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